Brief: Descubra el chip de circuito integrado de memoria M29F800FB5AN6E2, una memoria flash NOR paralela de 8 Mbit integrada en un encapsulado TSOP-48. Ideal para operaciones de LECTURA, BORRADO y PROGRAMACIÓN con una fuente de alimentación de bajo voltaje de 4.5-5.5V. Perfecto para sistemas embebidos que requieren soluciones de memoria confiables y eficientes.
Related Product Features:
Memoria Flash NOR Paralela de 8Mbit con encapsulado TSOP-48 para un diseño compacto y eficiente.
Fuente única de baja tensión (4,5-5,5 V) para operaciones de lectura, eliminación y programación.
Tiempo de acceso rápido de 55 ns para un rendimiento de alta velocidad.
Algoritmos de programa de byte / palabra incrustados para una fácil integración.
Borrar los modos de suspensión y reanudación para una operación flexible.
Bajo consumo de energía con modos de espera y espera automática.
Duradero con 100.000 ciclos de PROGRAMACIÓN/BORRADO por bloque.
Compatible con RoHS y con firma electrónica con código del fabricante: 0x01h.
FAQ:
¿Cuál es el rango de voltaje de funcionamiento para el chip de memoria IC M29F800FB5AN6E2?
El M29F800FB5AN6E2 opera dentro de un rango de voltaje de 4.5V a 5.5V.
¿Cuál es el tamaño de la memoria y la organización de la M29F800FB5AN6E2?
Cuenta con un tamaño de memoria de 8Mbit organizado como 1M x 8 o 512k x 16.
¿El M29F800FB5AN6E2 cumple con las normas RoHS?
Sí, el M29F800FB5AN6E2 es compatible con RoHS y viene en un paquete TSOP-48.
¿Cuál es la temperatura máxima de funcionamiento para este chip de circuito integrado de memoria?
El M29F800FB5AN6E2 puede operar a temperaturas de hasta +85 °C.