Introducción del IPW65R110CFD, un transistor MOSFET de potencia N-Channel de 650V de vanguardia en un paquete TO-247-3 robusto con un voltaje de ruptura de 700V, corriente de drenaje continua de 31.2A,y eficiencia energética avanzada, este producto ofrece bajas pérdidas de conmutación y un mejor rendimiento EMI. Ideal para aplicaciones en telecomunicaciones, energía solar y movilidad electrónica.Bienvenido a visitar nuestro sitio web!
Se trata de un sistema de circuito integrado de alta potencia que permite la transmisión de datos de un circuito integrado de alta velocidad a un circuito integrado de alta velocidad.