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STGW80H65DFB Circuito integrado Chip Trench Gate Field-Stop Transistores IGBT de alta velocidad de la serie HB

Microprocesador del circuito integrado
May 29, 2025
Conexión De Categoría: Microprocesador del circuito integrado
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Las etiquetas:
#Microprocesador 24-PQFN del circuito integrado #Linear en doble canal de TUSB1002ARGER #Microprocesadores integrados QFN24
Brief: Discover the STGW80H65DFB Integrated Circuit Chip, a high-speed HB Series IGBT Transistor with a trench gate field-stop structure. Ideal for photovoltaic inverters and high-frequency converters, this 650V 80A device offers optimal efficiency with low saturation voltage and safe paralleling capabilities.
Related Product Features:
  • Estructura avanzada de parada de campo de la puerta de la zanja para una alta eficiencia.
  • 650V collector-emitter breakdown voltage and 80A collector current.
  • Serie de conmutación de alta velocidad con corriente de cola mínima.
  • Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6V (typ.) @ IC = 80A.
  • Positive VCE(sat) temperature coefficient for safer paralleling.
  • Distribución de parámetros ajustada que garantiza un rendimiento constante.
  • Very fast soft recovery antiparallel diode for enhanced reliability.
  • Operating temperature range: -55°C to 175°C (TJ).
FAQ:
  • What is the maximum junction temperature of the STGW80H65DFB?
    The maximum junction temperature is TJ = 175°C.
  • What applications is the STGW80H65DFB suitable for?
    It is ideal for photovoltaic inverters and high-frequency converters.
  • Does the STGW80H65DFB support safe paralleling?
    Yes, its slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution enable safe paralleling.
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