Introducción del chip de circuito integrado STGW80H65DFB, un transistor IGBT de alta velocidad de la serie HB. Con un voltaje de ruptura colector-emittente de 650V y una corriente máxima de 120A,garantiza una eficiencia óptima con bajas pérdidas de conducción y conmutación. Este componente compatible con RoHS es ideal para inversores fotovoltaicos y convertidores de alta frecuencia. Aumente sus proyectos con tecnología de vanguardia! Bienvenido a visitar nuestro sitio web!
Se trata de un sistema de circuito integrado de alta velocidad de alta velocidad de serie Hb-igbt.