Introducción del chip de circuito integrado IRF1310NPBF, un MOSFET de potencia HEXFET de canal N de 100 V con características robustas que incluyen una corriente de drenaje continua de 42A y una disipación de potencia máxima de 160W.Diseñado para la fiabilidad con tecnología de proceso avanzada¡Experimenta un alto rendimiento y eficiencia en tus aplicaciones! ¡Bienvenido a visitar nuestro sitio web!
Se trata de un sistema de circuito integrado que tiene una capacidad de transmisión superior a la de un transistor.