MOSFET del poder del carburo de silicio del microprocesador SCT1000N170AG HiP247 del circuito integrado de SIC

MOSFET del poder del carburo de silicio del microprocesador SCT1000N170AG HiP247 del circuito integrado de SIC

Descripción de producto de SCT1000N170AG

SCT1000N170AG este MOSFET del poder del carburo de silicio se produce que explota las propiedades avanzadas, innovadoras de los materiales anchos del bandgap.

Especificación de SCT1000N170AG

Características del microprocesador del circuito integrado de SIC

• AEC-Q101 Rev. C calificó
• Diodo intrínseco muy rápido y robusto del cuerpo
• Capacitancias bajas
• Capacidad de funcionamiento muy alta de la temperatura de empalme (TJ = °C) 200

Usos de SCT1000N170AG

• Inversor principal (tracción eléctrica)
• Convertidor de DC/DC para EV/HEV
• A bordo el cargador (OBC)

Otros componentes electrónicos en existencia

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.