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GaN IC

Porcelana GaN IC

Medios fines generales de GaN IC IGI60F1414A1L IGI60F1414A1LAUMA1 del conductor del puente

Categoría:Conductores llenos del semipuente de PMIC

Serie:CoolGaN™

Usos:Fines generales
El conductor LMG3411R070RWHR Gan Power Ic Power Distribution del FET cambia el canal 32VQFN de P

Ratio - Ingreso:Producción:1:1

Interfaz:Lógica, PWM

La tensión de alimentación (Vcc/Vdd):9.5V ~ 18V
Conductor P Channel GaN Driver Integrated del interruptor de LMG3410R070RWHR GaN IC

Configuración de salida:Alto lado

Tipo de salida:P-canal

Voltado - Carga:480V (máximo)
El FET 600V de LMG3422R030RQZR GaN integrado aisló a GaN Gate Drivers

Corriente de salida:1,2 A

Voltado de alimentación - Min:7.5 V

Válvula de alimentación - máximo:de tensión de 18 V
Canal N de IC del interruptor de la distribución de poder de LMG3411R150RWHR Gan Driver IC 6A VQFN32

Voltaje - Carga:480V (máximo)

Voltaje - fuente (Vcc/Vdd):9.5V ~ 18V

Actual - salida (máxima):6A
Conductor Load Drivers Smart del FET de LMG3410R150RWHR GaN IC 150mohm Gan

Interfaz:Lógica, PWM

Voltaje - Carga:480V (máximo)

Voltaje - fuente (Vcc/Vdd):9.5V ~ 18V
Medio conductor General Purpose VQFN54 del puente del MOSFET GaN IC LMG3422R050RQZR

Configuración de salida:medio puente

Usos:Propósito general

Actual - salida/canal:1.2A
LMG3425R050RQZR Gan Mosfet Driver Silicon Driver Gan Fet Drivers Integrated

Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 125°C (TJ)

Voltaje de fuente:7,5 V ~ 18 V

Tiempo de subida:2,5 ns
MOSFET TO247 del foso de IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC 1200V Gan Fet Transistor 14mohm sic

Tipo del FET:Canal N

Drene al voltaje de la fuente (Vdss):1200 V

Vgs (máximo):+20V, -5V
LMG3425R030RQZR Gan Fet Gate Driver VQFN54 integró el medio puente Gan Driver

Configuración:Inversión, No-invirtiendo

Paquete/caso:VQFN-54

Voltaje de fuente:7,5 V - 18 V
GANB8R0-040CBA GaN IC 40V Bi-direccional GaN FETs WLCSP16 Nitruro de galio FETs

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
LMG2652RFBR GaN IC GaN Power FET Puente medio 650V GaN Etapas de potencia VQFN19

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar

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