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FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 energía fotovoltaica del módulo 950V 70A de la fase IGBT

Módulo dual automotriz de los módulos FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A IGBT de IGBT

Porcelana Módulos automotrices de IGBT

módulo automotriz FS03MR12A6MA1LBBPSA1 del Mosfet de los módulos 1200V de 400A IGBT sic

Drene al voltaje de la fuente (Vdss):1200V (1.2kV)

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C:400A

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs:3.7mOhm @ 400A, 15V
módulo llano F3L400R10W3S7B11BPSA1 de los módulos 3 automotrices IGBT de 950V 400A IGBT

Número de la parte:F3L400R10W3S7B11BPSA1

Tipo de IGBT:Foso

Estado del producto:Actividad
Parada de campo del foso del módulo 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):950 V

Actual - colector (Ic) (máximo):310 A

Poder - máximo:20 mW
Módulos automotrices FS05MR12A6MA1BBPSA1 de los módulos de poder del carburo de silicio de HEV 1200V 200A

Característica del FET:Carburo de silicio (SiC)

Voltagem de salida a la fuente (Vdss):1200 V (1,2 kV)

Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:Las demás:
Módulos automotrices IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Módulo IGBT de medio puente

Número de la parte:FF300R08W2P2B11ABOMA1

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):750 V

Corriente - colector (Ic) (máximo):200 A
Módulos IGBT FS03MR12A6MA1BBPSA1 Mosfet Array 6N Channel 3 Phase Bridge

Número de la parte:FS03MR12A6MA1BBPSA1

Característica del FET:Carburo de silicio (SiC)

Voltagem de salida a la fuente (Vdss):1200 V (1,2 kV)
1700V solo IGBT automotriz ModulesTransistors IXYN50N170CV1 SOT-227-4

Número de parte:IXYN50N170CV1

Voltaje máximo del emisor de la puerta:- 20 V, 20 V

Paladio - disipación de poder:880 W
Transistores del módulo del soporte IXYN140N120A4 380A IGBT del chasis SOT-227-4 solos

Número de la parte:IXYN140N120A4

Actual - colector (Ic) (máximo):380A

corriente de la salida del Puerta-emisor:nA 200
Módulos IGBT automotrices de montaje en chasis 1200V 220A Transistor único

Número de parte:IXYN110N120C4

Actual - atajo del colector:50 µA

Capacitancia entrada:5,42 N-F @ 25 V
Transistores con una capacidad de transmisión superior a 300 W

Número de la parte:MSCSM120DDUM31CTBL2NG

Identificación - corriente continua del dren:79 A

Paladio - disipación de poder:310 w
El tornillo monta los transistores automotrices del Mosfet de los módulos 79A 310W de IGBT

Número de parte:MSCSM120DUM31CTBL1NG

Vf - voltaje delantero:1,5 V en 30 A

Vr - Voltaje inverso:1,2 kilovoltios
Diodos rectificadores MSCDR90A160BL1NG Diodo de serie de conexión de pareja 1

Número de la parte:MSCDR90A160BL1NG

Configuración del diodo:Conexión en serie de 1 par

Tecnología:Estándar

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