Introducción: El crecimiento explosivo en la potencia de computación de IA impulsa una transformación en las arquitecturas de suministro de energía de los servidores
Con el despliegue a gran escala de grandes modelos de lenguaje, AI generativa y clusters de GPU, la demanda de potencia de computación en los centros de datos de IA está creciendo exponencialmente.Los sistemas de suministro de energía de los servidores están experimentando una actualización integral de las arquitecturas tradicionales de 12 V a las arquitecturas de bus de 48 V.En este contexto, la selección de los dispositivos de potencia se ha convertido en un factor clave para determinar la eficiencia, la densidad de potencia y la fiabilidad del sistema.Como dispositivos de conmutación de núcleo en unidades de suministro de energía de servidores (PSU), convertidores de buses intermedios de 48 V (IBC) y módulos de regulación de voltaje a bordo (VRM), el rendimiento de los MOSFET de potencia afecta directamente a la eficiencia energética general del sistema.
Las empresas incluidas en la lista de empresas incluidas en la lista de empresas incluidas en la lista de empresas incluidas en la lista de empresas incluidas en la lista de empresas incluidas en la lista de empresas incluidas en la lista de empresas incluidas en la lista de empresas incluidas en la lista de empresas incluidas en la lista de empresas incluidas en la lista de empresas incluidas en la lista de empresas incluidas en la lista de empresas.La Comisión ha adoptado una decisión sobre la aplicación de la presente Decisión.), fundada en 1996, es una distribuidora independiente autorizada de componentes electrónicos de renombre mundial con casi tres décadas de experiencia en la industria.la empresa ha establecido sucursales en Hong Kong, Japón, Rusia y Taiwán, y está certificado según las normas ISO 9001:2014 e ISO 14001:2014Mingjiada mantiene un stock a largo plazo de productos MOSFET de potencia de marcas líderes en el mundo como Infineon, Navitas, ST, ON Semiconductor, ROHM, Renesas, Wolfspeed y Microchip,suministro de soluciones de semiconductores de potencia de parada única para aplicaciones de suministro de energía de centros de datos de IA y servidores.
I. Requisitos básicos para los MOSFET de potencia en las fuentes de alimentación de los servidores de IA
Las fuentes de alimentación de los servidores de IA suelen incluir múltiples etapas de conversión de potencia, incluida la etapa PFC (corrección del factor de potencia), la etapa del convertidor de resonancia LLC, la etapa del convertidor IBC de 48V a 12V,y VRM a bordoLos requisitos de rendimiento para los MOSFET de potencia varían entre estas etapas:
Las fases AC-DC de alto voltaje (PFC/LLC): requieren MOSFETs de superjunción CoolMOSTM o MOSFETs CoolSiCTM/SiC con un voltaje de ruptura de 600V/650V o superior.con bajas pérdidas de conmutación y alta eficiencia de conversión.
Conversión de bus de 48 V (IBC): Requiere MOSFET OptiMOSTM de voltaje medio a bajo con una potencia nominal de 40 V ≈ 100 V, con resistencia de encendido ultrabaja (RDS ((on)) y capacidad de conmutación de alta frecuencia.
Fuente de alimentación VRM a bordo: requiere MOSFET de alta corriente y bajo voltaje para proporcionar una fuente de alimentación núcleo precisa para chips aceleradores de IA como GPU y TPU.
BBU (Battery Backup Unit): A medida que los voltajes de suministro evolucionan hacia ± 400V e incluso 800V, los MOSFET de SiC se utilizan cada vez más en BBU de alto voltaje.
II. Resumen detallado de la gama de productos MOSFET de energía de Mingjiada
1Infineon
Mingjiada ha suministrado durante mucho tiempo a Infineon la gama completa de MOSFET de potencia de canal N, que cubren los siguientes productos principales:
(1) OptiMOSTM Serie El punto de referencia para la alta eficiencia en aplicaciones de media y baja tensión
La serie OptiMOSTM es la gama insignia de MOSFET de potencia de media y baja tensión de Infineon, que cubre un rango de voltaje de 12V a 250V y ofrece una alta eficiencia de conmutación y alta densidad de potencia.Las principales ofertas de Mingjiada incluyen::
OptiMOSTM 5: cobertura de voltaje completo de 60V a 250V, incluidos modelos como el BSC052N08NS5 (80V/5.2mΩ) y el ISC013N06NM5SC,especialmente diseñados para rectificación síncrona en servidores de IA y fuentes de alimentación de telecomunicaciones.
OptiMOSTM 6: cobertura de voltaje completo de 60V a 200V, con una resistencia de encendido reducida en un 30% en comparación con la generación anterior y una mejora significativa en el factor de calidad.La serie 100V presenta una reducción del 18% en la resistencia de encendido y una mejora máxima del 42% en los factores clave de calidad.
OptiMOSTM 7/8: Utilizando procesos avanzados de metalización de cobre y tecnología de obleas de 300 mm, el RDS ((on) se reduce en un 25% para las variantes de 40V y en un 40% para las variantes de 80V/100V.
(2) MOSFETs de súper unión de alta tensión de la serie CoolMOSTM
La serie CoolMOSTM emplea tecnología MOSFET de superjunción y es adecuada para fuentes de alimentación de conmutación de alta eficiencia.con una capacidad de transmisión superior a 100 W,Mami Electric ha incorporado los dispositivos CoolMOSTM 8 de Infineon en su fuente de alimentación de servidores AI de 5.5kW, logrando una alta eficiencia,alta densidad de potencia y alta fiabilidad.
(3) MOSFETs de carburo de silicio de la serie CoolSiCTM
Los MOSFETs CoolSiCTM utilizan tecnología de carburo de silicio, soportando tensiones nominales de hasta 1200V/1700V, con capacidad para operar a una temperatura de unión de 175°C y pérdidas de resistencia ultrabajas.Mingjiada suministra la gama completa de productos CoolSiCTM, que ofrecen ventajas significativas en la etapa PFC y las etapas de conversión DC-DC de alto voltaje de las fuentes de alimentación de los servidores de IA.
(4) La serie CoolGaNTM de transistores de nitruro de galio
La serie CoolGaNTM se basa en la tecnología de nitruro de galio (GaN) y presenta cero carga de recuperación inversa y frecuencias de conmutación ultra altas.Los dispositivos CoolGaNTM admiten una entrega de energía de alta eficiencia a través de toda la cadena, desde la red hasta el chip, satisfaciendo los requisitos de alta densidad de potencia de la infraestructura informática de IA.
(5) Serie StrongIRFETTM ¢ Dispositivos de uso general rentables
La serie StrongIRFETTM se posiciona como una gama rentable de MOSFET de media y baja tensión, que ofrece una durabilidad excepcional y protección contra avalanchas.La serie StrongIRFETTM 2 cuenta con un VBRDSS máximo de 100 V, una RDS mínima de sólo 1,2 mΩ y un rango de temperatura de funcionamiento de -55 °C a 175 °C.
2. Navitas ¢ MOSFETs de la serie GeneSiC
Mingjiada ha suministrado durante mucho tiempo la serie Navitas GeneSiC de MOSFETs de carburo de silicio, que utilizan una tecnología única de puerta planar asistida por zanja.
Serie Gen-3 Fast (G3F): diseñada específicamente para aplicaciones que requieren las velocidades de conmutación más rápidas y la mayor eficiencia, dirigidas a alta frecuencia,escenarios de alta densidad de energía, como las fuentes de alimentación de los servidores de centros de datos de IALas posiciones de voltaje incluyen 650V y 1200V, con opciones de embalaje como D2PAK-7L, TOLL y TO-247-4.
Serie Gen-3 Rugged (G3R): centrándose en la robustez extrema y la alta fiabilidad, cuenta con mayor tensión de resistencia a la avalancha y una mayor capacidad de cortocircuito, con voltajes calificados que cubren 1,200 V y 1700 V. No hay electricidad.
3. STMicroelectrónica MOSFETs de potencia y MOSFETs SiC
Mingjiada tiene en stock la gama completa de MOSFET de potencia ST y MOSFET de carburo de silicio (SiC).con una capacidad de transmisión superior a 300 W,Los MOSFET de SiC ST ofrecen un rango de voltaje extendido de 650 V a 2.200 V, con un rendimiento de conmutación excepcional y una resistencia de encendido extremadamente baja por unidad de área.Las aplicaciones típicas incluyen las fuentes de alimentación de servidores y telecomunicaciones, micro inversores y carga rápida.
4Otras marcas principales
Mingjiada también suministra productos MOSFET de potencia de las siguientes marcas:
Onsemi: MOSFETs de carburo de silicio EliteSiC, diseñados específicamente para inversores de tracción de vehículos eléctricos y conversión de potencia de alto voltaje.
ROHM: MOSFETs de alimentación de canal N, MOSFETs de grado automotriz y MOSFETs SiC. ROHM®s 750V SiC MOSFET®SCT4013DLL® ha sido adoptado en la BBU de las fuentes de alimentación de servidores de IA.
Renesas: MOSFETs de energía de grado automotriz e industrial.
Wolfspeed: MOSFET y módulos de potencia SiC SiC que cubren el rango de voltaje completo de 650V a 1700V.
Microchip: MOSFET de carburo de silicio en todas las clasificaciones de voltaje; la serie 650V es adecuada para aplicaciones de voltaje medio a alto, como fuentes de alimentación de servidores.
Toshiba: MOSFETs de alta confiabilidad.
III. Ventajas del servicio de Mingjiada
Amplia disponibilidad de stock: Con dos centros de almacenamiento en Shenzhen y Hong Kong, mantenemos un stock de más de 2 millones de modelos populares, que soportan el pedido el mismo día, el envío al día siguiente.
Aseguramiento de la calidad: Todos los productos son 100% genuinos y certificados según las normas ISO 9001 e ISO 14001, con pruebas de extremo a extremo para garantizar una calidad confiable.
Adquisición flexible: Apoyamos todo, desde muestras de pequeños lotes (a partir de una sola unidad) hasta pedidos de producción de gran volumen, satisfaciendo las necesidades del cliente en todas las etapas.
Entrega rápida: los pedidos estándar se entregan en 1 ¢ 3 días; los pedidos urgentes se envían en 4 horas y se entregan en 24 ¢ 48 horas.
Conclusión
En el contexto del rápido desarrollo de la infraestructura de computación de IA,MOSFETs de energía eficientes y confiables son esenciales para lograr una alta densidad de energía y eficiencia energética en los sistemas de suministro de energía de servidoresCon una amplia gama de productos MOSFET de potencia que cubren marcas líderes mundiales como Infineon, Navitas, ST, ON Semiconductor, ROHM y Wolfspeed,junto con una amplia disponibilidad de existencias y capacidades de entrega rápida, Mingjiada Electronics se compromete a proporcionar soluciones de adquisición de semiconductores de energía de parada única para centros de datos de IA y aplicaciones de suministro de energía de servidores.
Contacta con nosotros
Tel: +86 13410018555 (el Sr. Chen)
El correo electrónico: sales@hkmjd.com
Dirección: habitaciones 1239 ¥ 1241, Edificio New Asia Guoli, calle Zhenzhong, distrito de Futian, Shenzhen.
¡Su mensaje debe tener entre 20 y 3.000 caracteres!
Spanish
