Blog de la compañía Adquisición de transistores MOSFET de trinchera IMBG120R140M1H 1200 V SiC

Adquisición de transistores MOSFET de trinchera IMBG120R140M1H 1200 V SiC

Descripción

El MOSFET SiC IMBG120R140M1H de 1200 V, 140 mΩ en un paquete D2PAK-7L (TO-263-7) se basa en un proceso de semiconductores de trinchera de última generación optimizado para combinar el rendimiento con la confiabilidad en la operación.Las bajas pérdidas de energía de la tecnología CoolSiC, combinadas con la tecnología de interconexión .XT en un nuevo paquete SMD optimizado de 1200 V, permiten la máxima eficiencia y potencial de enfriamiento pasivo en aplicaciones como unidades, cargadores y fuentes de alimentación industriales.

Beneficios
Mejora de la eficiencia
Habilitación de una frecuencia más alta
Mayor densidad de potencia
Reducción del esfuerzo de refrigeración
Reducción de la complejidad y el costo del sistema
El paquete SMD permite la integración directa en PCB, con enfriamiento por convección natural sin disipador de calor adicional

Proceso de reciclaje específico
1. Simplemente puede clasificar sus existencias de IC/módulos e identificar el modelo, la marca, la fecha de producción, la cantidad, etc.
2. Envíe su lista de inventario a nuestro equipo de evaluación por fax o correo electrónico.
3. Cuando reciba la oferta de compra de uno de nuestros profesionales, podemos negociar el método de transacción específico y la entrega y llegar a un acuerdo.
4. Solo reciclamos de canales regulares, como agentes, comerciantes y fábricas, y no aceptamos fuentes irregulares.