Adquisición Junta de evaluación de los conductores FET de Renesas: conductor FET, conductor GaN FET, conductor Buck FET sincrónico
La Comisión consideró que los importes procedentes de China no constituían ayuda estatal en el sentido del artículo 2 del Reglamento de base.es un importante reciclador mundial de inventario de componentes electrónicos, que se ha comprometido a ofrecer a sus clientes servicios profesionales de reciclado de componentes electrónicos,Ayudar a los clientes a digerir el inventario, reducir el almacenamiento y reducir los costes de almacenamiento y de gestión.
El campo del reciclaje tiene las siguientes ventajas fundamentales:
1Capacidad de cobertura completa del modelo
Apoya el reciclaje de componentes electrónicos de diversas marcas y modelos, incluidos los circuitos integrados IC, los chips 5G, los nuevos circuitos integrados de energía, los chips IoT, los chips Bluetooth, los chips automotrices,circuitos integrados de inteligencia artificial, circuitos integrados Ethernet, chips de memoria, sensores, módulos IGBT, etc., que cubren la electrónica automotriz, el control industrial, las comunicaciones, la IA y otros campos.
2- Evaluación profesional y recuperación a alto precio
Tenemos un equipo técnico experimentado para llevar a cabo pruebas de autenticidad y verificación de rendimiento para garantizar precios precisos.
3Proceso de servicio eficiente y flexible
Proporcionar cotización rápida las 24 horas y apoyar el modo "inspección el mismo día, pago el mismo día".
Aceptar el reciclaje mixto de materias de lotes completos y a granel, y apoyar los servicios de recogida puerta a puerta, logística transfronteriza y recogida en almacén.
I. Juntas de evaluación de los conductores de FET: Fundación Industrial de Alta Confiabilidad
Los paneles de evaluación de controladores universales de FET se centran en ofrecer una capacidad de accionamiento de puerta estable y robusta, adecuada para diversas aplicaciones, incluidos los accionamientos de motores y la conversión de potencia.Su valor fundamental radica en la simplificación de la complejidad del diseño de, circuitos de conmutación de alta corriente.
1Modelos básicos y análisis de características
Representados por los paneles de evaluación de la serie ISL78424EVAL3Z/ISL78444EVAL1Z, están diseñados específicamente para evaluar los controladores de medio puente de 100 V.
Capacidad de accionamiento robusta: proporciona corriente de fuente de 3A y corriente de sumidero de 4A, lo que permite un encendido y apagado rápidos del MOSFET para reducir eficazmente las pérdidas de conmutación.
Diseño integrado: Incorpora dos MOSFET de canal N incorporados para formar una etapa de alimentación de medio puente completa, lo que permite la conexión directa de carga (por ejemplo, motores de CC) para ensayos.
Control y protección inteligentes:
Entrada PWM de tres niveles (ISL78424/ISL78444): controla simultáneamente los controladores de lado alto y de lado bajo con una sola señal, simplificando la interfaz del controlador.
Tiempo muerto programable: ajustable a través de una sola resistencia (35ns a 400ns) para evitar la conducción directa entre los lados alto y bajo, garantizando la seguridad del sistema.
Amplio rango de funcionamiento: tensión de alimentación de 8V a 18V, conductor de lado alto soporta oscilaciones de voltaje de hasta 70V y temperatura de funcionamiento de -40°C a +140°C,satisfacer exigentes requisitos industriales y automotrices.
2Escenarios de aplicación típicos
Motor de accionamiento de corriente continua (BLDC): Proporciona soluciones de accionamiento para ventiladores, bombas y articulaciones robóticas.
Reguladores de conmutación síncrona: se utilizan en diseños de etapas de potencia para fuentes de alimentación CC-DC.
Fuentes de alimentación y equipos de automatización industriales: adecuado para sistemas de control de automatización de fábricas debido a su alta fiabilidad.
II. Junta de evaluación de los conductores de FET de nitruro de galio (GaN): ampliar los límites de eficiencia y densidad
A medida que aumenta la demanda de alta densidad de potencia y eficiencia en IA, carga rápida y sistemas de energía renovable, las soluciones basadas en GaN semiconductor de banda ancha están a la vanguardia.El consejo de evaluación de GaN de Renesas aborda los cuellos de botella en la conversión de alta potencia.
1Análisis del modelo básico y de las características
El tablero de evaluación RTKA226110DE0010BU sirve como un buen ejemplo, integrando el controlador de puerta RAA226110 con un 650V GaN E-HEMT (Transistor de alta movilidad electrónica mejorado).
Integración de GaN a prueba de futuro: Los dispositivos GaN de 650V incorporados de GaN Systems reducen las pérdidas de conmutación hasta en un 50% y la densidad de potencia triple en comparación con los MOSFET tradicionales basados en silicio.
0V apagado simplifica el diseño: ofrece una solución de voltaje de apagado de 0V que elimina circuitos complejos de generación de voltaje negativo,especialmente adecuado para aplicaciones de baja a media potencia para agilizar el diseño.
Topología de medio puente lista para el uso: el tablero de evaluación incorpora todos los circuitos necesarios, incluida una fuente de alimentación aislada y un disipador de calor,con una altura de sólo 35 mm y compatible con los diseños de chasis de 1U.
Rendimiento excepcional del dispositivo: en combinación con los FET SuperGaN® de cuarta generación de Renesas (por ejemplo, la serie TP65H030G4P), con una baja resistencia de encendido de 30 mΩ y un voltaje umbral optimizado de 4 V,garantizar la inmunidad al ruido al tiempo que se mejora la eficiencia.
2Escenarios de aplicación típicos
Fuente de alimentación del centro de datos de IA: utilizado en PFC de tótem dentro de arquitecturas de 800 V, alcanzando una eficiencia máxima superior al 99,2% y una densidad de potencia de 120 W/in3,mejorando así la eficiencia energética del servidor.
Estaciones de carga rápida de EV: admite carga de alta potencia de 22kW +.Las altas frecuencias de conmutación (> 500 kHz) combinadas con características de baja pérdida reducen significativamente el tamaño del transformador y los costes de gestión térmica.
Suministradores de energía de almacenamiento y comunicación fotovoltaicos: adecuados para microinversores solares de alta eficiencia y convertidores bidireccionales CC-CC, mejorando la eficiencia general del ciclo energético.
III. Junta de evaluación de los controladores FET sincrónicos de buck: gestión precisa y eficiente de la energía
Para aplicaciones que requieren conversión multicanal, ajustable y altamente eficiente,el panel de evaluación del controlador de buck sincrónico proporciona una plataforma de verificación integral de la gestión de la energía.
1Modelos básicos y análisis de características
Si tomamos como ejemplo los paneles de evaluación ISL78264EVAL1Z e ISL81601EVAL1Z, demuestran diferentes énfasis en el rendimiento.
Sus principales características se resumen en el cuadro siguiente:
ISL78264EVAL1Z Consejo de evaluación
Controllador de núcleo ISL78264 Controlador de doble bucle síncrono
Rango de voltaje de entrada de 3,75 V a 42,0 V
Capacidad de salida Canal 1: 3.3V/5V fijo o ajustable entre 0,8 y 5V; Canal 2: 0,8-32V ajustable
Frecuencia de conmutación de 200 kHz a 2 MHz programable
Ventajas principales Dos salidas independientes, flexibilidad excepcional, corriente de quiescencia ultrabaja (6μA por canal)
Aplicaciones típicas ECU de automóviles, sistemas de infoentretenimiento, control industrial
ISL81601EVAL1Z Consejo de evaluación
Controlador de núcleo ISL81601 controlador de buck sincrónico de alto voltaje de 60 V
Rango de tensión de entrada de 9V a 60V
Capacidad de salida Soporta operación bidireccional; la capacidad de corriente de salida depende del FET externo y el inductor
Frecuencia de conmutación programable de 100 kHz a 600 kHz
Ventajas principales Alta tensión de entrada, funcionamiento bidireccional, características de protección robustas integradas
Aplicaciones típicas Aplicaciones de alta corriente, sistemas alimentados por baterías, fuentes de alimentación de equipos de comunicación
2Ventajas del diseño
Estos comités de evaluación ofrecen colectivamente una flexibilidad y fiabilidad excepcionales:
Modo de alta eficiencia: admite el modo de PWM forzado y el modo de ahorro de energía de carga ligera (por ejemplo, DEM, salto de pulso) para optimizar la eficiencia en todo el rango de carga.
Características de protección integrales: la protección integrada contra el sobrevoltado (OVP), el subvoltado (UVP), el sobrecorriente (OCP) y la sobre temperatura (OTP) garantizan el funcionamiento estable del sistema.
Persona de Contacto: Mr. Sales Manager
Teléfono: 86-13410018555
Fax: 86-0755-83957753