Blog de la compañía De la adquisición solos IGBT transistores TO-3PN de la parada de campo del transistor IGBT FGA40N65SMD 650V

De la adquisición solos IGBT transistores TO-3PN de la parada de campo del transistor IGBT FGA40N65SMD 650V

Descripción de producto de FGA40N65SMD

FGA40N65SMD es el transistor IGBT - los solos IGBT transistores de la parada de campo de 650V, paquete son TO-3PN, a través de agujero. Apriete la distribución del parámetro, temperatura de funcionamiento es -55°C ~ 175°C (TJ).

Especificación de FGA40N65SMD

Características de FGA40N65SMD

• Poder - máximo: 349 W
• Actual - colector (Ic) (máximo): 80 A
• Actual - colector pulsado (Icm): 120 A
• Energía que cambia: 820µJ (encendido), 260µJ (apagado)
• Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
• Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): 650 V

Foto del paquete de FGA40N65SMD

El específico recicla proceso

1. Usted puede clasificar simplemente su acción de IC/module e identificar el modelo, la marca, la fecha de producción, la cantidad, el etc.

2. Envíe por favor su lista del inventario a nuestro equipo de la evaluación por fax o al email.

3. Cuando usted recibe la oferta de la compra a partir del uno de nuestros profesionales, podemos negociar el método y la entrega específicos de la transacción y alcanzar un acuerdo.

4. Reciclamos solamente de los canales regulares, tales como agentes, los comerciantes, y las fábricas, y no aceptamos fuentes irregulares.