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MOSFET del modo del aumento del canal N del microprocesador DMT47M2SFVWQ 40V 150°C del circuito integrado de las adquisiciones
MOSFET del modo del aumento del canal N del microprocesador DMT47M2SFVWQ 40V 150°C del circuito integrado de las adquisiciones
Descripción de producto de DMT47M2SFVWQ
El MOSFET del canal N de DMT47M2SFVWQ es un MOSFET del modo del aumento 40V con el producto excelente del RDS del × de QG (ENCENDIDO) (FOM) y el punto bajo RDS (ENCENDIDO). El RDS bajo (ENCENDIDO) se asegura de que las pérdidas del en-estado sean mínimas. Este MOSFET asegura confiable y el uso robusto del final debido al 100% unclamped la transferencia y la prueba inductivas en la producción.
El MOSFET de DMT47M2SFVWQ se diseña para cumplir los requisitos rigurosos de usos automotrices.
Especificación de DMT47M2SFVWQ
Número de parte:
DMT47M2SFVWQ
7,5 mOhms
- 20 V, + 20 V
4 V
nC 12,1
- 55 C
+ 150 C
2,67 W
Características de DMT47M2SFVWQ
MOSFET del modo del aumento 40V
Producto excelente del RDS del × de QG (ENCENDIDO) (FOM)
El RDS bajo (ENCENDIDO) asegura pérdidas mínimas del en-estado
Lado mojable para la inspección óptica mejorada
Asegura confiable y los usos robustos del final debido al 100% unclamped la transferencia y la prueba inductivas en la producción
Diseñó cumplir los requisitos rigurosos de usos automotrices
Sin plomo y completamente RoHS obedientes
PPAP capaz
Dispositivo ‘verde’ libre del halógeno y del antimonio
AEC-Q101 calificó
Usos de DMT47M2SFVWQ
Control de motor
Funciones de gestión del poder
Convertidores de DC-DC
Usos automotrices
Tipo de la compra
Compramos una serie amplia de módulos usados en los diversos campos, incluyendo pero no sólo 5G, la nueva energía, Internet de cosas, Internet de los vehículos, dispositivos automóvil-estándar, estaciones base, comunicaciones, inteligencia artificial, radiofrecuencia, aparatos electrodomésticos, tiristores, servicio médico, industria, Bluetooth 5,0, Ethernet, sensores, módulos ópticos, DC/DC, Wi-Fi, LPWA, GNSS, e IGBT.
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