ADIA medida que las comunicaciones 5G se expanden a bandas de frecuencia más altas, la tecnología de ondas milimétricas es cada vez más importante. La cobertura del Amplificador de potencia de propósito general GaAs PHEMT MMIC
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., como distribuidor de renombre mundial de componentes electrónicos, ha estado suministrando constantemente el A medida que las comunicaciones 5G se expanden a bandas de frecuencia más altas, la tecnología de ondas milimétricas es cada vez más importante. La cobertura del de alto rendimiento de ADI, un amplificador de potencia de propósito general de arseniuro de galio PHEMT MMIC.
Descripción general del producto A medida que las comunicaciones 5G se expanden a bandas de frecuencia más altas, la tecnología de ondas milimétricas es cada vez más importante. La cobertura del HMC383LC4TR
El HMC383LC4TR es un amplificador de potencia de propósito general de alto rendimiento de arseniuro de galio PHEMT MMIC fabricado utilizando procesos de semiconductores avanzados, diseñado específicamente para aplicaciones de alta frecuencia de 12 GHz a 30 GHz. El dispositivo HMC383LC4TR se utiliza ampliamente en comunicaciones inalámbricas, sistemas de radar, pruebas y mediciones y otros campos debido a su excelente rendimiento de RF y características de funcionamiento estables.
El amplificador A medida que las comunicaciones 5G se expanden a bandas de frecuencia más altas, la tecnología de ondas milimétricas es cada vez más importante. La cobertura del proporciona 15 dB de ganancia y +18 dBm de potencia saturada con una única fuente de alimentación de +5 V. La ganancia y la potencia de salida se mantienen constantes en toda la banda de frecuencia operativa, lo que permite el uso de una solución de amplificador de oscilador local/controlador universal en múltiples bandas de radiofrecuencia. Los puertos de entrada/salida de RF están bloqueados en CC y adaptados a 50 ohmios para facilitar su uso.
El amplificador A medida que las comunicaciones 5G se expanden a bandas de frecuencia más altas, la tecnología de ondas milimétricas es cada vez más importante. La cobertura del está alojado en un encapsulado QFN de 24 pines (4 mm × 4 mm) compatible con RoHS y sin plomo, lo que lo hace ideal para los procesos de fabricación de tecnología de montaje superficial (SMT) y fácil de integrar en varios diseños de PCB de alta frecuencia. El encapsulado compacto del HMC383LC4TR no solo ahorra un valioso espacio en la PCB, sino que también proporciona una excelente conductividad térmica, lo que garantiza la estabilidad del dispositivo en condiciones de funcionamiento de alta potencia.
A medida que las comunicaciones 5G se expanden a bandas de frecuencia más altas, la tecnología de ondas milimétricas es cada vez más importante. La cobertura del HMC383LC4TR
Categoría de producto: Amplificador de RF
Frecuencia de funcionamiento: 12 GHz a 30 GHz
Tensión de alimentación de funcionamiento: 5 V
Corriente de alimentación de funcionamiento: 100 mA
Ganancia: 15 dB
Figura de ruido (NF): 7,5 dB
Tipo: Amplificador de propósito general
Método de montaje: SMD/SMT
Paquete/Carcasa: QFN-24
Tecnología: Arseniuro de galio
P1dB - Punto de compresión: 16 dBm
OIP3 - Punto de intercepción de tercer orden: 25 dBm
Temperatura mínima de funcionamiento: -40 °C
Temperatura máxima de funcionamiento: +85 °C
Pérdida de retorno de entrada: 11 dB
Número de canales: 1 canal
Pd - Disipación de potencia: 920 mWA medida que las comunicaciones 5G se expanden a bandas de frecuencia más altas, la tecnología de ondas milimétricas es cada vez más importante. La cobertura del HMC383LC4TR
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Características de funcionamiento de banda ancha: Cubre un rango de frecuencia ultra amplio de 12 GHz a 30 GHz, lo que permite que el HMC383LC4TR se adapte a varios requisitos de banda de frecuencia de comunicación inalámbrica, incluidas las bandas Ku y K.A medida que las comunicaciones 5G se expanden a bandas de frecuencia más altas, la tecnología de ondas milimétricas es cada vez más importante. La cobertura del HMC383LC4TR
proporciona un valor de ganancia típico de 15 dB, manteniendo una planitud de ganancia constante en toda la banda de frecuencia operativa, lo que mejora eficazmente el rendimiento general de la cadena de señal.
Excelente potencia de salida: La potencia de salida saturada alcanza +18 dBm, con un punto de intercepción de tercer orden de salida (OIP3) de +25 dBm y un punto de compresión P1dB de 16,5 dBm, lo que le permite controlar mezcladores posteriores u otros dispositivos de alta potencia.A medida que las comunicaciones 5G se expanden a bandas de frecuencia más altas, la tecnología de ondas milimétricas es cada vez más importante. La cobertura del HMC383LC4TR
solo requiere una única fuente de alimentación de +5 V (corriente de funcionamiento de 100 mA), lo que simplifica el diseño de la alimentación del sistema y reduce el consumo general de energía.
Adaptación de impedancia optimizada: Los puertos de entrada y salida de RF incorporan una red de adaptación de 50 Ω internamente y cuentan con un diseño de bloqueo de CC, lo que permite la integración directa en sistemas de RF estándar y reduce la necesidad de componentes de adaptación externos.A medida que las comunicaciones 5G se expanden a bandas de frecuencia más altas, la tecnología de ondas milimétricas es cada vez más importante. La cobertura del HMC383LC4TR
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El HMC383LC4TR, con su excelente rendimiento de RF y características de ancho de banda amplio, ha encontrado una amplia aplicación en múltiples campos de alta tecnología, proporcionando soluciones de amplificación de señal fiables para varios sistemas inalámbricos.
Sistemas de comunicación inalámbrica punto a punto y punto a multipuntoA medida que las comunicaciones 5G se expanden a bandas de frecuencia más altas, la tecnología de ondas milimétricas es cada vez más importante. La cobertura del HMC383LC4TR
es una opción ideal para construir sistemas de radio punto a punto (P2P) y punto a multipunto (P2MP). Sus características de ancho de banda amplio permiten a los diseñadores de sistemas utilizar un único diseño de amplificador para cubrir múltiples bandas de frecuencia, lo que reduce la complejidad de la lista de materiales (BOM) y los costes de producción. En los sistemas VSAT (Terminal de apertura muy pequeña), este amplificador proporciona una ganancia de señal estable, lo que garantiza la fiabilidad de los enlaces de comunicación por satélite.
Equipos de prueba y medición y sistemas de sensores
En equipos de prueba y medición de alta gama, el HMC383LC4TR sirve como amplificador de control, proporcionando señales amplificadas puras y estables para instrumentos como generadores de señales y analizadores de espectro. Sus excelentes características de linealidad y potencia de salida lo hacen especialmente adecuado para sistemas de sensores y equipos de prueba de radar, donde la integridad de la señal es fundamental.
Aplicaciones de control de oscilador local (LO)A medida que las comunicaciones 5G se expanden a bandas de frecuencia más altas, la tecnología de ondas milimétricas es cada vez más importante. La cobertura del HMC383LC4TR
funciona excepcionalmente bien. Proporciona suficiente potencia de control para los mezcladores de la serie HMC, manteniendo al mismo tiempo una excelente pureza espectral. Esta característica lo hace muy valioso en sistemas de conversión de frecuencia, especialmente en aplicaciones que requieren un alto rango dinámico.
Sistemas militares y aeroespaciales
En aplicaciones militares y aeroespaciales, los equipos electrónicos deben funcionar de forma fiable en condiciones ambientales extremas. El diseño robusto del HMC383LC4TR y los parámetros de rendimiento estables le permiten soportar estos entornos exigentes. Desde sistemas de guerra electrónica hasta terminales de comunicación por satélite, este amplificador ofrece el rendimiento de RF requerido.
Comunicaciones 5G y de ondas milimétricasA medida que las comunicaciones 5G se expanden a bandas de frecuencia más altas, la tecnología de ondas milimétricas es cada vez más importante. La cobertura del HMC383LC4TR
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