DDA por díaHMC517LC4TRAmplificador de Bajo Ruido MMIC de Rango Dinámico Alto GaAs pHEMT
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., también conocida como Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Como distribuidor de componentes electrónicos de renombre mundial, ha suministrado durante un período prolongado el amplificador de bajo ruido MMIC de pHEMT de arseniuro de galio de alto rango dinámico HMC517LC4TR de ADI.Este dispositivo RF de alto rendimiento demuestra características eléctricas excepcionales dentro de la banda de frecuencia de 17-26 GHz y se aplica ampliamente en campos de gama alta como la radio punto a punto, sistemas VSAT y equipos de prueba.
HMC517LC4TRResumen del producto y especificaciones técnicas:
El HMC517LC4TR es un amplificador de bajo ruido de alto rango dinámico con transistor de alta movilidad de electrones pseudomorfo de arseniuro de galio (pHEMT).El producto está envasado con tecnología de montaje de superficie libre de plomo (SMT) conforme con las normas RoHS., que opera en frecuencias de 17 GHz a 26 GHz, y pertenece a la categoría de dispositivos de microondas de banda Ka.y sistemas de radar.
En cuanto a los envases, elHMC517LC4TRadopta un paquete LGA-24 con dimensiones de 4x4 milímetros, en línea con la tendencia moderna hacia la miniaturización y la alta integración en el diseño de dispositivos electrónicos.Este embalaje no sólo ofrece un excelente rendimiento térmico para una gestión eficiente del calor, sino que también es compatible con la tecnología de fabricación de montaje superficial de gran volumen, simplificando significativamente el proceso de producción.
Los principales parámetros técnicos delHMC517LC4TRincluyen:
Intervalo de frecuencia de funcionamiento: de 17 GHz a 26 GHz, que cubre la banda Ka
Aumento de señal pequeño: 19 dB (típico), proporcionando una capacidad de amplificación de señal estable
El valor del ruido: 2,5 dB, superior a los productos similares
Punto de interceptación de tercer orden de salida (OIP3): +23 dBm, demostrando un excelente rendimiento lineal
Potencia de salida del punto de compresión de 1 dB (P1 dB): +13 dBm, garantizando un margen de potencia de salida suficiente
Voltagem de funcionamiento: fuente de alimentación única +3V, simplificando el diseño de la energía del sistema
Corriente de funcionamiento: 67 mA, con un control razonable del consumo de energía
Una ventaja de diseño importante de laHMC517LC4TRes su red de emparejamiento de 50 ohmios totalmente integrada, lo que significa que los ingenieros no necesitan diseñar circuitos de emparejamiento de impedancia complejos o utilizar componentes externos al aplicar este dispositivo,simplificando en gran medida el proceso de diseño del sistema de RFLos puertos de entrada y salida utilizan un diseño estándar de 50Ω, lo que facilita aún más la integración del sistema.
Características de rendimiento y ventajas de diseño de laHMC517LC4TR:
Como un amplificador MMIC de bajo ruido basado en pHEMT de arseniuro de galio, el HMC517LC4TR ofrece múltiples ventajas en términos de rendimiento de RF, integración y confiabilidad,lo que lo convierte en una opción ideal para aplicaciones de alta frecuencia.
El rendimiento de banda ancha es una de las características más destacadas del amplificador.Esta capacidad de banda ancha permite que un solo dispositivo satisfaga las necesidades de múltiples aplicaciones, reduciendo significativamente la complejidad de la conmutación de banda de frecuencia en el diseño del sistema, al mismo tiempo que se reducen los costes de gestión de materiales y de inventario.
En términos de rendimiento de ruido, el HMC517LC4TR ofrece una cifra de ruido de 2,5 dB, que es extremadamente baja para un amplificador de banda Ka.Sus características de bajo ruido lo hacen particularmente adecuado para su uso como amplificador de primera etapa en un receptor frontalEn comparación con los amplificadores tradicionales a base de silicio, este dispositivo, basado en la tecnología pHEMT de arseniuro de galio, permite reducir el ruido del sistema al máximo y mejorar la sensibilidad del receptor.ofrece ventajas significativas en el rendimiento acústico, características de frecuencia y estabilidad de temperatura.
La alta linealidad es otra característica clave de laHMC517LC4TR. Con un punto de intercepción de salida de tercer orden (OIP3) de +23 dBm y una potencia de salida de punto de compresión de 1 dB de +13 dBm,puede manejar señales de alto rango dinámico sin introducir distorsiones notables de intermodulaciónEsto lo hace adecuado no sólo como un amplificador de bajo ruido, sino también como un conductor de oscilador local (LO) para balanceados, I/Q, o mezcladores de imágenes suprimidas.
En términos de comodidad de la integración del sistema, el emparejamiento de entrada/salida de 50 ohms totalmente integrado elimina la necesidad de un diseño de red de emparejamiento externo,mientras que el paquete de montaje en superficie (SMT) es totalmente compatible con los procesos modernos de ensamblaje de PCBEstas características en conjunto hacen que el dispositivo sea una solución de RF "plug-and-play", reduciendo significativamente los ciclos de desarrollo de productos.
Desde el punto de vista de la fiabilidad, la tecnología pHEMT del arseniuro de galio ofrece inherentemente una capacidad de operación a altas temperaturas y una excelente resistencia a la radiación.Combinado con el riguroso sistema de control de calidad de ADI, garantizando el funcionamiento estable del HMC517LC4TR en ambientes adversos.
Áreas de aplicación típicas para elHMC517LC4TR:
La comunicación por radio punto a punto es uno de los escenarios de aplicación principales para este amplificador.Sus características de ancho de banda son particularmente adecuadas para sistemas de comunicación de microondas que operan a través de múltiples bandas de frecuenciaUna ganancia de 19 dB compensa efectivamente las pérdidas en la vía de transmisión, mejorando la relación señal-ruido general del sistema.
Los sistemas de comunicaciones por satélite, en particular los equipos VSAT (Very Small Aperture Terminal), son otro área de aplicación importante para este amplificador.Comunicaciones por satélite, el HMC517LC4TR puede servir como un amplificador de baja ruido antes del convertidor de abajo.Su rendimiento estable y su embalaje compacto son particularmente adecuados para equipos terminales VSAT con espacio limitadoUna cifra de ruido de 2,5 dB es particularmente importante para los sistemas de recepción por satélite, ya que afecta directamente al valor G/T global del enlace (número de mérito).
Los equipos de ensayo y medición siguen teniendo una demanda constante deHMC517LC4TREn instrumentos como las fuentes de señal de microondas y los analizadores de espectro, el amplificador puede servir como un módulo de acondicionamiento de señal, proporcionando la ganancia necesaria y características de bajo ruido.La amplia cobertura de ancho de banda de 17-26 GHz reduce el número de amplificadores necesarios en los sistemas de ensayo, simplificando el diseño de los instrumentos.
Los sistemas electrónicos militares también son un mercado importante para el HMC517LC4TR.el amplificador puede utilizarse en el extremo delantero del receptor o en la cadena de generación de señales de interferenciaSu amplio ancho de banda permite la cobertura de múltiples frecuencias de amenazas,Mientras que la resistencia a la radiación inherente de la tecnología de arseniuro de galio (GaAs) mejora la confiabilidad en ambientes electromagnéticos duros.
Además, el HMC517LC4TR es muy adecuado para su uso como conductor de oscilador local (LO) para mezcladores.La conducción del puerto LO del mezclador requiere una potencia suficiente para garantizar una buena eficiencia de conversión.La alta linealidad y el nivel de potencia moderado del amplificador lo convierten en una opción ideal para la conducción LO.
La comunicación de onda milimétrica 5G es un área de aplicación potencialmente emergente para elHMC517LC4TRA medida que 5G se expanda a bandas de frecuencia más altas, la banda de 24 GHz a 40 GHz se utilizará para la comunicación de onda milimétrica 5G.El rango operativo de 17-26GHz del HMC517LC4TR puede soportar la sección de procesamiento de frecuencia intermedia de estos sistemas.
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