Blog de la compañía Memoria de alta fiabilidad de grado aeroespacial: Infineon CYEL15B102Q-SXM F-RAM endurecida contra la radiación para NewSpace

Infineon CYEL15B102Q-SXM F-RAM endurecido a la radiación para NewSpace — Mingjiada Electronics se especializa en el suministro y la adquisición de memoria de alta fiabilidad de grado aeroespacial

CYEL15B102Q-SXM Resumen del producto F-RAM endurecido a la radiación para NewSpace

El CYEL15B102Q-SXM es un F-RAM no volátil de 2 Mb con interfaz SPI, endurecido a la radiación, de alta fiabilidad y compacto, desarrollado por Infineon para satélites NewSpace en órbita terrestre baja (LEO). Utilizando tecnología de almacenamiento ferroeléctrico, presenta capacidad de escritura instantánea, resistencia de lectura/escritura ultra alta y bajo consumo de energía. Cumple con los requisitos de alta fiabilidad de grado aeroespacial y entornos hostiles, y está diseñado específicamente para aplicaciones de almacenamiento críticas como plataformas de satélites, cargas útiles, sensores a bordo y registro de datos.

Mingjiada Electronics ofrece suministro a largo plazo de dispositivos CYEL15B102Q-SXM nuevos, genuinos y en stock, así como servicios de compra y reciclaje de alto precio. Damos soporte a la gestión integral de pedidos para los sectores aeroespacial, de defensa y de alta fiabilidad.

CYEL15B102Q-SXM Especificaciones

Marca/Modelo: Infineon CYEL15B102Q-SXM

Capacidad de almacenamiento: 2 Mb (256K × 8)

Tipo de interfaz: SPI, hasta 25 MHz

Tipo de memoria: F-RAM no volátil (Memoria Ferroeléctrica RAM)

Tolerancia a la radiación: 50 kRad(Si) TID

Voltaje de operación: 2.0 V–3.6 V

Temperatura de operación: -55°C a +125°C (Grado Militar)

Paquete: SOIC de 8 pines (Tamaño pequeño, Alta fiabilidad)

Resistencia: 10¹⁴ ciclos (lectura/escritura ilimitada)

Retención de datos: 121 años @85°C

Características: Escritura instantánea sin demora, bajo consumo de energía, endurecido a la radiación, alta fiabilidad

Cumplimiento: AEC-Q006, RoHS, Código de fecha de lote único (SLDC), 100% probado

CYEL15B102Q-SXM Características

Densidad de Mb

Frecuencia de operación de la interfaz SPI hasta 25 MHz

Tecnología de escritura no volátil instantánea de Infineon

Resistencia de 10 billones de ciclos de lectura/escritura

Retención de datos de 120 años a +85°C

Voltaje de programación ultra bajo (2 V)

Rango de voltaje de operación de 2.0 V–3.6 V

Baja corriente de operación (máx. 10 mA)

Grado de temperatura militar de –55°C/+125°C

Paquete SOIC de 8 pines

CYEL15B102Q-SXM Ventajas del producto

Cumple con AEC-Q006

Cumple con RoHS

Tolerancia a la radiación de 50 Krad (Si) TID

Código de fecha de lote único (SLDC)

Cobertura de prueba eléctrica del 100%

Certificado de Conformidad (CoC)

Aplicaciones: Satélites NewSpace, constelaciones LEO, detección a bordo, control espacial, registro de datos de alta fiabilidad

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