Como proveedor especializado de componentes electrónicos, Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. ofrece un gran stock de SCT020HU (SCT020HU120G3AG), los MOSFET de potencia de carburo de silicio (SiC) de grado automotriz de tercera generación de STMicroelectronics, en un paquete HU3PAK. Es adecuado para aplicaciones de potencia de alta fiabilidad, como inversores principales en vehículos de nueva energía, cargadores a bordo (OBC) y fuentes de alimentación DC/DC para vehículos eléctricos (EV) e híbridos (HEV). Estos son productos genuinos y originales disponibles para suministro a granel, con muestras también disponibles.
SCT020HU Descripción del producto
El SCT020HU es un MOSFET de potencia N-channel de carburo de silicio (SiC) de tercera generación de STMicroelectronics, que cumple con el estándar de grado automotriz AEC-Q101. Presenta un paquete HU3PAK, una clasificación de 1200V y una corriente de drenaje continua de 100A. Aprovechando la tecnología de proceso SiC de tercera generación, el dispositivo mantiene una resistencia en encendido extremadamente baja en todo el rango de temperatura. Presenta baja carga de puerta, baja capacitancia parásita y características de conmutación de alta velocidad. Con un diodo intrínseco robusto y rápido incorporado y un pin de detección de fuente, mejora la eficiencia de conversión de los circuitos de potencia al tiempo que reduce el tamaño y el peso general de la unidad de fuente de alimentación, lo que lo convierte en la opción preferida para la conversión de potencia de alto voltaje en vehículos de nueva energía. Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. mantiene un stock a largo plazo del SCT020HU, ofreciendo productos genuinos en stock para satisfacer las necesidades de prototipado de I+D y adquisición para producción en masa, al tiempo que garantiza la seguridad del suministro para proyectos a largo plazo.
Especificaciones
- Modelo: SCT020HU (SCT020HU120G3AG)
- Marca: STMicroelectronics
- Tipo de dispositivo: MOSFET SiC N-channel (transistor de potencia de carburo de silicio)
- Paquete: HU3PAK
- Tensión drenador-fuente Vdss: 1200V
- Corriente de drenaje continua Id (Tc): 100A
- Resistencia típica en encendido Rds (on): 18.5mΩ, máximo 28mΩ @ 50A, Vgs=18V
- Carga de puerta máxima Qg: 121nC @ 18V
- Capacitancia de entrada máxima Ciss: 3,465 pF @ 800 V
- Tensión de puerta Vgs: Máximo +18 V, -5 V
- Disipación de potencia máxima Ptot: 281 W
- Rango de temperatura de la unión de operación: -55 °C a +175 °C
- Estándares de certificación: Certificación de grado automotriz AEC-Q101, RoHS
- Proceso: MOSFET SiC de tercera generación
Características del producto
1. Certificación de grado automotriz AEC-Q101, adecuada para las duras condiciones de altas y bajas temperaturas y vibraciones encontradas en aplicaciones automotrices
2. Mantiene una Rds(on) extremadamente baja en todo el rango de temperatura, reduciendo las pérdidas de conducción y mejorando la eficiencia energética del sistema
3. El rendimiento de conmutación de alta velocidad y la baja capacitancia parásita admiten la conversión de potencia de alta frecuencia, reduciendo el tamaño del disipador de calor
4. Diodo de cuerpo ultra-rápido integrado y estable con excelentes características inversas
5. El diseño del pin de detección de fuente optimiza el muestreo de la unidad, mejorando aún más la eficiencia de la conversión de potencia
6. Paquete HU3PAK con rendimiento térmico superior, adecuado para módulos de potencia de alta potencia y alta densidad
7. El proceso de carburo de silicio de tercera generación garantiza una alta fiabilidad, adecuado para aplicaciones automotrices de larga duración
Escenarios de aplicación
- Inversores de tracción principales para vehículos de nueva energía (EV/HEV)
- Cargadores a bordo (OBC)
- Convertidores DC/DC de alto voltaje para vehículos eléctricos
- Unidades de potencia de alto voltaje para convertidores de almacenamiento de energía
- Fuentes de alimentación industriales de alto voltaje y módulos de potencia de estaciones de carga de alta potencia
Servicios de suministro de Mingjiada Electronics
Establecida en 1996, Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. cuenta con la certificación del sistema de gestión de calidad internacional ISO 9001 y se especializa en el suministro de componentes para los sectores 5G, nueva energía, Internet de las cosas (IoT) e Internet de los vehículos (IoV).
Para la serie SCT020HU, Mingjiada Electronics proporciona las siguientes garantías de suministro:
1. Disponibilidad de stock: Adoptamos una estrategia de stock en mano, apoyando solicitudes de muestras y adquisiciones a granel para satisfacer los requisitos en cada etapa, desde pruebas de I+D hasta el aumento de la producción en masa.
2. Productos genuinos: Garantizamos productos 100% genuinos y proporcionamos hojas de datos completas y soporte técnico.
3. Cumplimiento de pedidos integral: Además de los dispositivos discretos SiC, ofrecemos servicios complementarios de microcontroladores de grado automotriz, CI de controlador y componentes periféricos, reduciendo así la complejidad de las cadenas de suministro de nuestros clientes.
Póngase en contacto con Mingjiada Electronics para obtener las últimas cotizaciones e información de stock:
Sitio web: www.hkmjd.com
Teléfono: +86 13410018555
Correo electrónico: sales@hkmjd.com
Dirección: Habitaciones 1239–1241, Edificio Guoli, Carretera Zhenzhong, Distrito Futian, Shenzhen
Etiquetas: SCT020HU120G3AG, SCT020HU120G3A, SCT020HU120G3, SCT020HU120G, SCT020HU120, SCT020HU12, SCT020HU1, SCT020HU
Persona de Contacto: Mr. Sales Manager
Teléfono: 86-13410018555
Fax: 86-0755-83957753