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Blog de la compañía Suministro Nuevo y Original UJ3C065080B3: EliteSiC™ 650V/25A Dispositivo de Potencia JFET Cascoded de Carburo de Silicio (SiC) (Paquete D2PAK-3)

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
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Compañía El blog
Suministro Nuevo y Original UJ3C065080B3: EliteSiC™ 650V/25A Dispositivo de Potencia JFET Cascoded de Carburo de Silicio (SiC) (Paquete D2PAK-3)
últimas noticias de la compañía sobre Suministro Nuevo y Original UJ3C065080B3: EliteSiC™ 650V/25A Dispositivo de Potencia JFET Cascoded de Carburo de Silicio (SiC) (Paquete D2PAK-3)

La Comisión consideró que los importes procedentes de China no constituían ayuda estatal en el sentido del artículo 2 del Reglamento de base.ha estado suministrandoLos requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deben cumplirse en todos los casos.: EliteSiCTM 650V/25A carburo de silicio (SiC) en cascada dispositivo de energía JFET (D2PAK-3 paquete) durante mucho tiempo.Por favor, póngase en contacto con nosotros inmediatamente para obtener más información!

 

Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deben cumplirse en todos los casos.Resumen del producto
UJ3C065080B3 es un dispositivo de potencia JFET en cascada de carburo de silicio (SiC) de 650V/25A lanzado por UnitedSiC, empaquetado en un paquete D2PAK-3 (TO-263-3) adecuado para conmutación de alta frecuencia,conversión de potencia de alta eficienciaLa UJ3C065080B3 combina el rendimiento superior del material SiC, ofreciendo baja resistencia, conmutación de alta velocidad y estabilidad a altas temperaturas.lo que lo convierte en una alternativa ideal a los MOSFET y IGBT tradicionales basados en silicio.

 

Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deben cumplirse en todos los casos.Características clave
Capacidad de alta tensión y alta corriente
650V voltaje de ruptura de la fuente de drenaje (Vds), corriente de drenaje continua de 25A (Id), con corriente de pulso de hasta 65A, adecuado para aplicaciones de alta potencia.
Resistencia de encendido ultrabaja (Rds(en))
80 mΩ (típico), reduciendo las pérdidas de conducción y mejorando la eficiencia del sistema.
Rendimiento de conmutación de alta velocidad
13ns tiempo de subida, 11ns tiempo de caída, reduciendo las pérdidas de conmutación, adecuado para aplicaciones de alta frecuencia.
Funcionamiento en un amplio rango de temperaturas
-55°C a +175°C, adecuado para entornos adversos.
Estructura mejorada de SiC FET
Cuenta con un diseño JFET en cascada, compatible con los controladores MOSFET estándar, sin necesidad de apagado de voltaje negativo.
Conforme con la certificación de automóviles AEC-Q101
Adecuado para sistemas electrónicos de automóviles, como cargadores a bordo de vehículos eléctricos (EV) y convertidores CC-CC.

 

Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deben cumplirse en todos los casos.Principales aplicaciones
Sistemas de accionamiento de vehículos eléctricos
UJ3C065080B3 se puede utilizar en inversores de plataforma de alto voltaje de 800 V para mejorar la eficiencia energética y reducir los requisitos de disipación de calor.
Fuentes de alimentación industrial e inversores fotovoltaicos
Adecuado para fuentes de alimentación de conmutación de alta frecuencia e inversores solares para reducir la pérdida de energía.
Fuentes de alimentación de servidores y centros de datos
La alta eficiencia del UJ3C065080B3 optimiza los convertidores de CC a CC de 48 V, aumentando la densidad de potencia.
Carga inalámbrica y dispositivos de carga rápida
Utilizar las ventajas de alta frecuencia del SiC para mejorar la eficiencia de carga y reducir el tamaño de los componentes magnéticos.
Los motores y la automatización industrial
UJ3C065080B3 es adecuado para servos y inversores, mejorando la fiabilidad del sistema.

 

Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deben cumplirse en todos los casos.Especificaciones detalladas
Modelo:
Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deben cumplirse en todos los casos.
Marca: UnitedSiC
En el paquete: D2PAK-3 (TO-263-3)
Tecnología: SiC (carburo de silicio)
Voltagem de la fuente de drenaje (Vds): 650 V
Corriente de escape continua (Id): 25 A
Corriente de escape de pulso (Idm): 65 A
Resistencia de encendido (Rds ((on)): 80 (típica) mΩ
Carga de la puerta (Qg): 51 nC
La tensión de la fuente de entrada (Vgs): ±25 V
La tensión de umbral (Vgs ((th)): 4 V
Tiempo de conmutación (tr/tf): 13/11 ns
Rango de temperatura de funcionamiento: -55 °C a +175 °C
Disposición de energía (Pd): 115 W

 

Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deben cumplirse en todos los casos.Cadena de suministro y inventario
Mingjiada Electronics ofrece disponibilidad de stock para UJ3C065080B3, con un amplio inventario y soporte para una entrega rápida.
Proporcionamos productos originales del fabricante y apoyamos la verificación de la certificación AEC-Q101.
Las muestras están disponibles para aplicaciones en nuevas energías, electrónica automotriz, fuentes de alimentación industrial y otros campos.

 

Resumen de las actividades
Como parte de la serie UnitedSiC EliteSiCTM, el
Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deben cumplirse en todos los casos.es un dispositivo de potencia SiC de 650V/25A. ofrece bajas pérdidas de conducción, conmutación de alta velocidad y estabilidad a altas temperaturas, lo que lo convierte en una opción ideal para aplicaciones como vehículos eléctricos,Inversores fotovoltaicosEl embalaje D2PAK-3 de UJ3C065080B3 facilita el diseño de PCB, mientras que la certificación AEC-Q101 garantiza su fiabilidad en la electrónica automotriz.

 

Para obtener precios o más información sobre el producto, póngase en contacto con el Sr. Chen:
Teléfono: +86 13410018555
El correo electrónico: sales@hkmjd.com
Página web:
La Comisión ha adoptado una decisión sobre la aplicación de la presente Decisión.

Tiempo del Pub : 2025-06-17 10:28:02 >> Lista de las noticias
Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Mr. Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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