Blog de la compañía De HBM a LPDDR5: Mingjiada Electronics suministra chips de memoria para Samsung y SK Hynix

La Comisión consideró que los importes procedentes de China no constituían ayuda estatal en el sentido del artículo 2 del Reglamento de base.Es un proveedor con casi 30 años de experiencia en el sector de los componentes electrónicos.A continuación se presenta una introducción a sus principales productos de chips de memoria.

Líneas de productos principales

1. Rango completo de chips de memoria de Samsung

Mingjiada Electronics suministra chips de memoria de Samsung que abarcan todas las categorías, incluidas DRAM, NAND Flash, UFS, HBM y eMMC.La tecnología abarca desde procesos maduros hasta la última generación de soluciones de alto rendimiento:

1. Serie HBM de alto rendimiento

HBM3 Icebolt: KHBAC4A03D-MC1H (24 GB de capacidad, apilamiento de 12 capas, velocidad de transferencia de 6,4 Gbps, ancho de banda total de 819 GB/s), diseñado específicamente para el entrenamiento de IA, computación de alto rendimiento (HPC),y aceleración del centro de datos

HBM2E Flashbolt: KHAA84901B-JC17, que ofrece un ancho de banda alto y baja latencia para aplicaciones de computación gráfica y metaverso

2. Serie DDR SDRAM

DDR4: K4A8G165WC-BCWE (8Gb de capacidad, velocidad de 3200Mbps), adecuado para servidores y estaciones de trabajo; K4A4G045WE-BCRC ampliamente utilizado en teléfonos inteligentes y sistemas de control industrial

DDR3L: K4B4G0846E-BCMA (4Gb de capacidad, velocidad de 1866Mbps, baja potencia de 1.5V), validado para la fiabilidad de grado automotriz, adecuado para electrónica automotriz, dispositivos médicos y automatización industrial

K4B4G1646E-BYMA: 4Gb DDR3L SDRAM en paquete FBGA-96, soporte para caché y multitarea

3. Serie LPDDR de baja potencia

LPDDR5 uMCP: KM2L9001CM-B518 y KM8L9001JA-B624 (capacidad de 128 GB), integrando LPDDR5 DRAM con memoria flash UFS 3.1. Diseñado para teléfonos inteligentes y dispositivos portátiles de gama media a alta,proporcionando un equilibrio entre un ancho de banda elevado y un bajo consumo de energía

LPDDR4X: Modelos que incluyen K3KL8L80EM-MGCV, que cumplen los requisitos estrictos de consumo de energía para terminales IoT

4Memoria flash de UFS

UFS 3.1: KLUDG4UHYB-B0EP (128GB), adecuado para dispositivos móviles emblemáticos y soluciones automotrices

UFS 2.1: KLUBG4G1ZF-C0CQ (512GB), que admite un ancho de banda de 6Gbps para dispositivos móviles de alto rendimiento y sistemas de infoentretenimiento en el vehículo

5. Almacenamiento embebido eMMC

EMMC 5. ¿Qué quiere decir?1: KLMAG1JETD-B041 (128GB), ampliamente implementado en teléfonos inteligentes y tabletas para un arranque rápido del sistema y experiencias de aplicación sin problemas

6. NAND Flash. ¿ Qué quieres decir?

Tecnología V-NAND: K4F6E3S4HB-KHCL adecuada para almacenamiento integrado y electrónica automotriz

2Los chips de memoria de SK Hynix

Mingjiada Electronics mantiene un suministro estable a largo plazo de chips de memoria de alto rendimiento de SK Hynix, con productos clave que incluyen:

1. Serie LPDDR4X

H9HCNNNBKUMLHR-NMOR: 128 GB de alta capacidad, soportando velocidades de transferencia de datos de 4266 Mbps a sólo 1.1V de voltaje de funcionamiento.Funciona de forma fiable en un amplio rango de temperaturas de -40°C a +85°CEs ampliamente utilizado en teléfonos inteligentes, tabletas, ordenadores portátiles y servidores, ofrece un procesamiento de datos de alta velocidad, bajo consumo de energía y una fiabilidad superior.

2- Almacenamiento empresarial e industrial

Mingjiada Electronics también suministra soluciones de memoria especializadas de SK Hynix para centros de datos, SSD empresariales y electrónica automotriz,satisfacer requisitos estrictos de alta durabilidad y estabilidad.

3Áreas de aplicación típicas

• Servidores y centros de datos de IA: HBM3, DDR4, SSD de la empresa

• Electrónica automotriz: DDR3L, eMMC, UFS de grado automotriz conforme con la certificación AEC-Q

• teléfonos inteligentes y dispositivos móviles: LPDDR5, UFS 3.1, eMMC 5.1

• Control industrial y IoT: SLC NAND, DDR de grado industrial, SPI NAND

• Dispositivos médicos y electrónica de consumo: DRAM de alta fiabilidad, serie LPDDR de baja potencia

4Contacta con nosotros.

Telefono: +86 13410018555 (el Sr. Chen)

E-mail: chen13410018555@163.com / ventas@hkmjd.com

Dirección: habitaciones 1239-1241, Edificio New Asia Guoli, calle Zhenzhong, distrito de Futian, Shenzhen.

Página web oficial:La Comisión ha adoptado una decisión sobre la aplicación de la presente Decisión.