Blog de la compañía En stock: Infineon IKW25N120T2: Dispositivo discreto IGBT TrenchStop® de 1200 V/25 A (con diodo antiparalelo)

En aplicaciones de alta potencia como variadores de frecuencia industriales, inversores fotovoltaicos y fuentes de alimentación ininterrumpida (SAI), los IGBT actúan como dispositivos de conmutación de potencia principales, y sus pérdidas de conducción y rendimiento de conmutación impactan directamente en la eficiencia y fiabilidad del sistema. Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. tiene actualmente en stock el Infineon IKW25N120T2—un dispositivo discreto IGBT TrenchStop® de 2ª generación de 1200V y 25A que incorpora un diodo EmCon de recuperación suave-rápida antiparalelo en un encapsulado TO-247-3, adecuado para diseños de electrónica de potencia con requisitos estrictos de eficiencia energética y robustez.

Descripción general del producto

El IKW25N120T2 pertenece a la familia de productos Low Loss DuoPack de Infineon. Utiliza la tecnología de puerta de zanja de campo de parada de zanja de segunda generación TrenchStop® para integrar el IGBT y el diodo de rueda libre en un solo encapsulado, simplificando el diseño del circuito y mejorando la fiabilidad del sistema. Presenta una tensión de ruptura colector-emisor (V_CE) de 1200 V, una corriente de colector continua (I_C) de 25 A a T_C = 25°C, una corriente de colector pulsada de hasta 100 A, una disipación de potencia máxima de 349 W y un rango de temperatura de unión de funcionamiento de -40°C a +175°C.

Parámetros clave de un vistazo

Tensión colector-emisor V_CE: 1200 V

Corriente de colector continua I_C (T_C = 25°C): 25 A

Corriente de colector pulsada I_Cpuls: 100 A

Tensión de saturación colector-emisor V_CE(sat): 1,7 V (T_j=25°C) / 2,2 V (a 25 A, 15 V)

Disipación de potencia máxima P_d: 349 W

Carga de puerta Q_g: 120 nC

Energía de apagado E_off: 1,35 mJ

Tiempo de recuperación inversa del diodo t_rr: 195 ns

Tiempo de resistencia a cortocircuito t_SC: 10 μs

Encapsulado: PG-TO-247-3

Ventajas técnicas

Baja pérdida en estado ON y coeficiente de temperatura positivo: La V_CE(sat) del IKW25N120T2 presenta un coeficiente de temperatura positivo, lo que facilita el reparto de corriente cuando se conectan varios dispositivos en paralelo y reduce el riesgo de embalamiento térmico. La caída de tensión de saturación típica a 25°C es de solo 1,7 V, lo que reduce eficazmente la pérdida de potencia en estado ON.

Diodo de recuperación suave integrado: El diodo EmCon HE incorporado presenta características de recuperación suave y un tiempo de recuperación inversa de 195 ns, lo que suprime eficazmente los picos de tensión y la interferencia electromagnética (EMI) durante la conmutación del inversor, mejorando así la compatibilidad electromagnética del sistema.

Alta capacidad de resistencia a cortocircuitos: Un tiempo de resistencia a cortocircuitos de 10 μs proporciona al dispositivo una mayor robustez en condiciones de funcionamiento anormales, permitiendo a los circuitos de protección un tiempo de respuesta suficiente. Esto lo hace adecuado para aplicaciones con altos requisitos de fiabilidad, como variadores industriales y sistemas SAI.

Baja EMI y fácil operación en paralelo: La tecnología TrenchStop® de segunda generación optimiza las formas de onda de conmutación y reduce la interferencia electromagnética, mientras que la V_CE(sat) con coeficiente de temperatura positivo simplifica el diseño en paralelo, haciéndolo adecuado para requisitos de escalado de alta corriente.

Áreas de aplicación típicas

Variadores de frecuencia industriales: En variadores de servo y sistemas de regulación de velocidad de motores trifásicos controlados por PLC, el IKW25N120T2 mejora la eficiencia energética y la respuesta dinámica gracias a sus bajas pérdidas en estado ON y sus rápidas características de conmutación (t_on/t_off del orden de 100 ns).

Fuentes de alimentación ininterrumpida (SAI): Este dispositivo se utiliza en la etapa de salida del inversor de los sistemas SAI en línea para lograr una conversión CC-CA de alta eficiencia. Admite modulación PWM de alta frecuencia (típicamente ≤20 kHz), y el diodo de rueda libre incorporado optimiza la fiabilidad de la conversión.

Inversores fotovoltaicos: En las etapas de elevación/inversión de microinversores o inversores de cadena, la tensión nominal de 1200V cumple los requisitos de tensión del bus CC, mientras que el alto tiempo de resistencia a cortocircuitos mejora la robustez del sistema y cumple las normas de seguridad IEC 62109.

Fuentes de alimentación para calentamiento por inducción y soldadura: Se utiliza como dispositivo de conmutación principal en topologías resonantes como LLC y ZVS, aprovechando sus características de conmutación suave y baja corriente de cola para reducir la EMI y el estrés térmico.

Infraestructura de carga de vehículos eléctricos: Adecuado para la etapa de conversión de potencia de las estaciones de carga, cumpliendo las demandas de conversión de potencia de alta tensión y alta corriente.

Mingjiada Electronics: En stock

Establecida en 2004, Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. es un conocido distribuidor híbrido de componentes electrónicos. Con almacenes en Hong Kong, Shenzhen y otras ubicaciones, la empresa mantiene amplios recursos de inventario y un riguroso sistema de verificación de calidad. Todos los materiales se someten a una estricta inspección antes de ser puestos en stock para garantizar que son productos genuinos y sellados de fábrica.

El IKW25N120T2 está actualmente en stock y disponible para satisfacer diversas necesidades, desde prototipos de I+D hasta producción en masa. Mingjiada proporciona selección de productos, documentación técnica y soporte de precios. Póngase en contacto con nuestro equipo de ventas para obtener la información más reciente sobre el estado del inventario y los precios.

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