Mingjiada Electronics ahora ofrece el IRFP4110PBF transistor MOSFET de potencia en stock a largo plazo. Este MOSFET de canal N, empaquetado en un encapsulado TO-247AC, presenta parámetros de alto rendimiento de 100V/180A, lo que lo convierte en una opción ideal para aplicaciones como fuentes de alimentación industriales y accionamientos de motores.
IRFP4110PBF Descripción general del producto
El IRFP4110PBF es un producto estrella de la serie StrongIRFET™ de Infineon, que utiliza la avanzada tecnología HEXFET® de MOSFET de potencia. Cuenta con una resistencia extremadamente baja en estado de conducción (tan baja como 3.7mΩ) y una capacidad de disipación de potencia de hasta 370W. Este dispositivo IRFP4110PBF es particularmente adecuado para la rectificación síncrona de alta eficiencia, sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI) y aplicaciones de conmutación de potencia de alta velocidad.
IRFP4110PBF Especificaciones
Tensión nominal: 100V
Corriente nominal: 180A
Resistencia en estado de conducción: RDS(on) valor típico de 1.4mΩ (VGS = 10V)
Tipo de encapsulado: TO-247
Tensión de puerta: VGS(th) valor típico de 2.5V
Rango de temperatura de funcionamiento: -55°C a +175°C
Tensión de ruptura drenaje-fuente: BVDSS ≥ 100V
Corriente de pico repetitiva de drenaje: IDM = 360A (pulso)
IRFP4110PBF Características
Baja resistencia en estado de conducción: La baja resistencia en estado de conducción del IRFP4110PBF asegura un funcionamiento de alto rendimiento en aplicaciones de alta corriente, reduciendo significativamente el consumo de energía.
Capacidad de alta corriente: Con una capacidad de corriente de drenaje continua de 180A, puede manejar cargas elevadas, lo que hace que el IRFP4110PBF sea adecuado para diversos requisitos de alta potencia.
Alta fiabilidad: El producto se somete a un riguroso control de calidad y pruebas para garantizar la estabilidad y fiabilidad en entornos hostiles.
Rendimiento de conmutación rápido: El IRFP4110PBF tiene una capacidad de conmutación rápida, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta frecuencia y reduce eficazmente las pérdidas de conmutación.
Ventajas del encapsulado: El diseño del encapsulado TO-247 facilita la disipación de calor y la instalación, lo que hace que el IRFP4110PBF sea adecuado para aplicaciones de alta densidad de potencia.
Aplicaciones
El IRFP4110PBF MOSFET de potencia se utiliza ampliamente en los siguientes campos:
Gestión de energía: Se utiliza en fuentes de alimentación conmutadas, convertidores CC-CC, etc., proporcionando una conversión de energía eficiente y estable.
Accionamiento de motores: En accionamientos de motores industriales y motores de tracción de vehículos eléctricos, el IRFP4110PBF ofrece alta eficiencia y fiabilidad.
Inversores solares: En sistemas de generación de energía solar, el IRFP4110PBF permite una conversión y transmisión de energía eficientes.
Electrónica de consumo: Como adaptadores para portátiles y cargadores de tabletas, el IRFP4110PBF proporciona soluciones eficientes y compactas.
Garantía de calidad de suministro y servicio
Mingjiada Electronics garantiza que todas las unidades IRFP4110PBF suministradas son productos originales de Infineon, con servicios completos de trazabilidad de la cadena de suministro. Nuestras ventajas incluyen:
Inventario de stock adecuado: Las unidades IRFP4110PBF siempre están en stock en nuestro almacén de Shenzhen, lo que respalda las necesidades urgentes.
Políticas de adquisición flexibles: Admite pedidos a partir de 1 pieza, satisfaciendo las necesidades desde muestras de I+D hasta la producción en masa.
Entrega de respuesta rápida: Los pedidos regulares se pueden enviar el mismo día, con entrega al día siguiente a las principales ciudades de todo el país.
Información de adquisición
Para obtener las últimas cotizaciones, solicitudes de muestras o consultas de compra al por mayor de IRFP4110PBF, contáctenos a través de los siguientes métodos:
Teléfono: +86 13410018555
Correo electrónico: sales@hkmjd.com
Dirección de la empresa: Sala 1239-1241, Edificio Xinyazhou Guoli, Carretera Zhenzhong, Distrito Futian, Ciudad de Shenzhen, Provincia de Guangdong
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