Blog de la compañía Suministro en stock de MOSFET de potencia de canal N Infineon BSZ440N10NS3G OptiMOS™3 Transistor de potencia, 100V

Mingjiada Electronics en oferta: MOSFET de potencia de canal N InfineonBSZ440N10NS3G, Transistor de potencia OptiMOS™3, 100 V.

BSZ440N10NS3G Descripción del producto
El MOSFET de potencia de canal N Infineon BSZ440N10NS3G es un transistor de potencia de la serie OptiMOS™3 con una clasificación de 100 V. El BSZ440N10NS3G está empaquetado en un encapsulado PG-TSDSON-8, que presenta un tamaño compacto (3,3 × 3,3 × 1,1 mm), lo que lo hace ideal para diseños de circuitos de alta densidad. El BSZ440N10NS3G cumple con las normas RoHS y AEC-Q101, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de electrónica industrial y automotriz.

BSZ440N10NS3G Características del producto
Baja resistencia en estado activo: RDS(on) tan bajo como 3,8 miliohmios (típico), el BSZ440N10NS3G reduce significativamente la pérdida de potencia y mejora la eficiencia del sistema.
Capacidad de conmutación rápida: El BSZ440N10NS3G admite escenarios de funcionamiento de alta frecuencia, satisfaciendo las demandas de la conversión de potencia eficiente moderna.
Alta capacidad de corriente de sobretensión: El BSZ440N10NS3G puede soportar sobretensiones de corriente más grandes durante períodos cortos sin daños.
Diodo inverso incorporado: El BSZ440N10NS3G reduce la necesidad de componentes adicionales y simplifica el diseño del circuito.
Cumple con RoHS: Respetuoso con el medio ambiente y adecuado para aplicaciones del mercado global.
Tipo de encapsulado: El BSZ440N10NS3G utiliza un encapsulado PG-TSDSON-8, mejorando el rendimiento térmico y eléctrico al tiempo que reduce el espacio de instalación.

El BSZ440N10NS3G presenta las siguientes características destacadas:
Resistencia en estado activo ultrabaja: RDS(on) = 3,8 mΩ @ Vgs = 10 V
Capacidad de conmutación rápida: Qg = 9,1 nC @ 10 V
Alta capacidad de corriente: Id = 18 A @ 25°C
Rango de temperatura de funcionamiento amplio: -55°C a +150°C
Diodo inverso incorporado

Parámetros clave
Los parámetros principales del BSZ440N10NS3G incluyen:
Tensión drenaje-fuente (VDS): 100 V
Corriente de drenaje continua (Id): 18A
Corriente de drenaje de pulso (Idp): 660A
Tensión puerta-fuente (Vgs): ±20V
Tensión de umbral (Vgs(th)): 2,7V
Capacitancia de entrada (Ciss): 640pF

Aplicaciones típicas
El BSZ440N10NS3G se utiliza ampliamente en:
Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
Convertidores CC-CC
Accionamientos de motores
Sistemas de gestión de baterías
Fuentes de alimentación industriales

Mingjiada Electronics garantiza que el BSZ440N10NS3G es genuino y está en stock. Con sus excelentes parámetros de rendimiento y fiabilidad, el BSZ440N10NS3G es una opción ideal para el diseño de electrónica de potencia.

Para consultas sobre la compra del BSZ440N10NS3G, póngase en contacto con Mingjiada Electronics para obtener la información más reciente sobre precios e inventario.

Información de contacto:
Sr. Chen: +86 13410018555
Correo electrónico: sales@hkmjd.com
Sitio web: www.integrated-ic.com
Dirección: Sala 1239-1241, Edificio Xinyazhou Guoli, Carretera Zhenzhong, Distrito Futian, Ciudad de Shenzhen