Infineón1EDI3033AS: las condiciones de los productosEl conductor de la puerta de alta tensión de un solo canal para automóviles para MOSFET SiC
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., también conocida como Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Como proveedor nacional líder de componentes electrónicos, ha estado suministrando constantemente a Infineon1EDI3033AS: las condiciones de los productosun controlador de puerta de alta tensión de un solo canal de grado automotriz, que proporciona una solución óptima de conducción para aplicaciones SiC MOSFET.
Resumen de las1EDI3033AS: las condiciones de los productosEl conductor de la puerta
El Infineon 1EDI3033AS es un controlador de puerta aislado de un solo canal de alto rendimiento diseñado específicamente para MOSFETs de carburo de silicio (SiC).Utiliza tecnología de aislamiento de transformadores sin núcleo (CT) avanzada para proporcionar señales de accionamiento seguras y confiables para interruptores de alta tensiónEl dispositivo cumple con la norma de certificación AEC-Q100 de grado automotriz, lo que garantiza un funcionamiento estable en ambientes electrónicos automotrices adversos.Es una opción ideal para aplicaciones como los sistemas de propulsión eléctrica en vehículos de nueva energía, cargadores integrados (OBC) y convertidores CC-CC.
El 1EDI3033AS cuenta con un voltaje de aislamiento de hasta 5 kVrms y una corriente de accionamiento máxima de ±10 A,permitir la conmutación rápida de los MOSFET de SiC y aprovechar plenamente sus ventajas de alta frecuencia y alta eficienciaEn comparación con las soluciones de aislamiento tradicionales basadas en optoacopladores o transformadores de pulso, el 1EDI3033AS emplea tecnología de transformador sin núcleo,que ofrece un menor retraso de propagación (valor típico de 25 ns) y una mayor inmunidad transitoria de modo común (CMTI > 150 kV/μs), garantizando un funcionamiento estable del sistema incluso en entornos con alto ruido.
Características técnicas básicas del1EDI3033AS: las condiciones de los productos
El controlador de puerta Infineon 1EDI3033AS integra múltiples tecnologías innovadoras, lo que le da una ventaja significativa en el campo de los controladores de MOSFET SiC.El dispositivo utiliza un paquete compacto DSO-8 con dimensiones de sólo 5 mm × 6.1 mm, lo que lo hace ideal para aplicaciones de electrónica automotriz con espacio limitado. Soporta un amplio rango de voltaje de trabajo de 15V a 30V, compatible con varios diseños de fuente de alimentación del sistema,y incluye protección contra el bloqueo por debajo del voltaje (UVLO) para evitar el funcionamiento no deseado en condiciones de voltaje anormal.
En términos de capacidad de accionamiento, el 1EDI3033AS proporciona una corriente de salida máxima de ± 10 A,que permite la carga y descarga rápidas de la capacidad de la puerta del SiC MOSFET para alcanzar velocidades de conmutación de nivel de nanosegundosEsta característica es crucial para aprovechar plenamente las ventajas de alta frecuencia de los dispositivos SiC, reduciendo efectivamente las pérdidas de conmutación y mejorando la eficiencia del sistema.El conductor integra una función de sujeción Miller activa internamente, evitando la conducción involuntaria de los MOSFET de SiC causada por el efecto Miller en condiciones altas de dv/dt, mejorando significativamente la fiabilidad del sistema.
El rendimiento de aislamiento es otro punto destacado del 1EDI3033AS.con un aislamiento reforzado de 5 kVrms (conforme a las normas UL 1577) y una inmunidad transitoria de modo común (CMTI) superior a 150 kV/μsEste alto nivel de rendimiento de aislamiento es particularmente importante para los sistemas de alto voltaje (como las plataformas de vehículos eléctricos de 800 V),evitar eficazmente las interferencias de la señal entre los circuitos del lado superior y del lado inferior y garantizar el funcionamiento estable del sistema en condiciones extremas.
El 1EDI3033AS también cuenta con funciones de protección integrales, incluido el bloqueo de bajo voltaje (UVLO), la protección contra el exceso de temperatura y la protección contra cortocircuitos.Estos mecanismos de protección se activan rápidamente cuando ocurren anomalías en el sistemaEl controlador funciona en un amplio rango de temperatura de -40°C a +125°C,que cumplen plenamente los requisitos medioambientales de las aplicaciones de electrónica automotriz.
Compatibilidad perfecta de la1EDI3033AS: las condiciones de los productoscon MOSFETs de carburo de silicio
La combinación del controlador de puerta Infineon 1EDI3033AS y los MOSFETs SiC (CoolSiCTM) representa la vanguardia de la tecnología de electrónica de potencia.pérdidas de conducción más bajasSin embargo, para aprovechar al máximo estas ventajas, es esencial un controlador de puerta especialmente optimizado.
El 1EDI3033AS ha sido específicamente optimizado para satisfacer los requisitos únicos de accionamiento de los MOSFET SiC.Los dispositivos SiC generalmente requieren voltajes de accionamiento de puertas más altos (generalmente de +18V / 3V a +20V / 5V) para garantizar una conducción completa y un apagado confiable, y la tensión de salida ajustable del 1EDI3033AS cumple perfectamente este requisito. Además, la capa de óxido de puerta de los MOSFET SiC es más sensible a la tensión,y el control preciso de voltaje de puerta proporcionado por el 1EDI3033AS puede extender efectivamente la vida útil del dispositivo.
En términos de características de conmutación, la combinación de los MOSFET 1EDI3033AS y SiC logra velocidades de conmutación de nivel de nanosegundos, lo que reduce significativamente las pérdidas de conmutación.Los datos de las pruebas muestran que el módulo MOSFET CoolSiCTM de 1200V accionado por el 1EDI3033AS reduce las pérdidas de conmutación en más del 50% en comparación con los IGBT tradicionales basados en silicio, mejorando la eficiencia del sistema en un 3-5%, lo que se traduce en un ahorro energético significativo y un rango ampliado para aplicaciones de alta potencia, como los sistemas de propulsión de vehículos eléctricos.
La gestión térmica también es una consideración crítica en las aplicaciones de SiC. El 1EDI3033AS admite entornos operativos de alta temperatura hasta 175 °C,con un contenido de nitrógeno en peso superior o igual a 10%, pero no superior o igual a 50%Esta compatibilidad a altas temperaturas permite a los sistemas utilizar disipadores de calor más pequeños o diseños de mayor densidad de energía, lo que ayuda a reducir el tamaño y el peso del sistema.especialmente adecuado para aplicaciones de electrónica automotriz con espacio limitado.
Las aplicaciones de la1EDI3033AS: las condiciones de los productosen vehículos de nueva energía
Los vehículos de nueva energía son una de las áreas de aplicación más importantes para el controlador de puertas 1EDI3033AS.con su alta tensiónEl 1EDI3033AS, diseñado específicamente para los MOSFET de SiC, es un sistema de transmisión eléctrica de alta velocidad, con características de alta temperatura y alta frecuencia, que se ha convertido en la opción preferida para los sistemas de transmisión eléctrica.desempeña un papel crucial en esta transformación.
En las aplicaciones de inversores de accionamiento principal, el 1EDI3033AS se utiliza para conducir módulos de potencia MOSFET CoolSiCTM, lo que permite una conversión eficiente de la energía de la batería CC a la potencia de motor CA.En comparación con las soluciones tradicionales a base de silicio, los inversores de SiC pueden mejorar la eficiencia en un 3-5%, lo que significa que los vehículos eléctricos pueden lograr un aumento del 5-8% en el alcance con la misma capacidad de la batería.La alta capacidad de accionamiento y las características de respuesta rápida del 1EDI3033AS garantizan la conmutación de alta velocidad de los MOSFET SiC, mientras que sus robustas características de protección mejoran la fiabilidad del sistema, cumpliendo con los estrictos requisitos de la electrónica automotriz.
Los cargadores a bordo (OBC) son otro escenario de aplicación importante. El 1EDI3033AS que impulsa los MOSFET SiC permite una mayor densidad de potencia y una conversión CA-CC más eficiente,con soporte para carga a bordo de 11 kW o incluso 22 kWSu tamaño compacto es particularmente adecuado para entornos electrónicos automotrices con espacio limitado.mientras que su alto voltaje de aislamiento asegura un aislamiento seguro entre el lado de alto voltaje y el lado de bajo voltaje, que cumplen las normas de seguridad electrónica del automóvil.
En los convertidores CC-DC, la combinación del controlador 1EDI3033AS y los MOSFET SiC permite frecuencias de conmutación a nivel de MHz,Reducción significativa del tamaño y el peso de los componentes pasivos como los inductores y condensadoresEsto es particularmente importante para la conversión de voltaje de 800V-400V o 800V-12V en vehículos eléctricos, lo que ayuda a reducir el peso total del vehículo y mejorar la eficiencia energética.
Las aplicaciones de la1EDI3033AS: las condiciones de los productosen los sectores de la energía industrial y renovable
Además de los vehículos de nueva energía, el controlador de puertas Infineon 1EDI3033AS tiene aplicaciones extensas en los sectores de automatización industrial y energía renovable.0 y la transición energética, la demanda de soluciones electrónicas de potencia eficientes y fiables está creciendo rápidamente, y la combinación de los MOSFET 1EDI3033AS y SiC se está convirtiendo en un punto de referencia técnico en estos campos.
En el sector de la propulsión de motores industriales, los MOSFET de SiC accionados por el 1EDI3033AS pueden alcanzar una eficiencia del inversor de hasta el 98%, apoyando frecuencias de conmutación de 50~100 kHz,reducción significativa del tamaño de los filtros de salidaEsto es particularmente importante para aplicaciones de alto rendimiento dinámico, como servos, unidades de frecuencia variable y robótica, ya que mejora la velocidad de respuesta del sistema y la precisión del control.La alta inmunidad al ruido del 1EDI3033AS también lo hace muy adecuado para abordar los desafíos comunes de interferencia electromagnética (EMI) en entornos industriales.
Los inversores fotovoltaicos son otra aplicación clave. Los inversores de cuerda accionados por el 1EDI3033AS alcanzan una eficiencia de hasta el 99%, lo que representa un 1.Mejora del 5-2% con respecto a las soluciones tradicionales a base de silicioLas características de funcionamiento a altas temperaturas del 1EDI3033AS le permiten soportar las duras fluctuaciones de temperatura de los sistemas fotovoltaicos exteriores.mientras que su alto voltaje de aislamiento garantiza la seguridad del sistema en el lado de alta tensión de CC.
En el sector de suministro de energía para centros de datos, la combinación de los 1EDI3033AS y los MOSFET SiC permite suministrar energía a servidores con una eficiencia superior al 96% y una densidad de potencia igual o superior a 100 W/in3,Reducción significativa del consumo de energía y de los requisitos de refrigeración del centro de datosLas características de conmutación rápida del 1EDI3033AS facilitan la implementación de convertidores de resonancia LLC de alta frecuencia,reducción del tamaño de los transformadores y componentes de filtro para satisfacer la demanda de los centros de datos de fuentes de alimentación de alta densidad de potencia.
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