INFINEONPara la integración del sistema, el 2EDN8534F reduce la complejidad y el costo al eliminar componentes externos como transistores NPN/PNP y diodos bootstrap externos.Controlador de puerta EiceDRIVER™ de bajo lado de doble canal para MOSFETs e interruptores WBG
En el diseño moderno de dispositivos electrónicos, los controladores de puerta eficientes y estables son críticos para los sistemas de conversión de energía. El Para la integración del sistema, el 2EDN8534F reduce la complejidad y el costo al eliminar componentes externos como transistores NPN/PNP y diodos bootstrap externos. de Infineon, un controlador de puerta EiceDRIVER™ de bajo lado de doble canal, está optimizado específicamente para controlar MOSFETs y dispositivos de conmutación de potencia de banda ancha.
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., como proveedor profesional de componentes electrónicos, ofrece la solución de controlador de puerta de bajo lado de doble canal Para la integración del sistema, el 2EDN8534F reduce la complejidad y el costo al eliminar componentes externos como transistores NPN/PNP y diodos bootstrap externos.. Este controlador mejora significativamente la eficiencia y la fiabilidad del sistema con una corriente de fuente/sumidero de hasta ±5A y un retardo de propagación típico de 19ns.
, el retardo de propagación ultrabajo (típicamente 19ns) y la alta inmunidad a las interferencias lo hacen excepcionalmente adecuado para controlar dispositivos WBG.Para la integración del sistema, el 2EDN8534F reduce la complejidad y el costo al eliminar componentes externos como transistores NPN/PNP y diodos bootstrap externos.2EDN8534F
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El 2EDN8534F pertenece a la serie EiceDRIVER™ 2EDN de Infineon, lo que representa una adición significativa a la línea de productos de controladores 2EDN existente.
El 2EDN8534F está diseñado para satisfacer las demandas de los sistemas electrónicos de potencia modernos en cuanto a mayor eficiencia, excepcional densidad de potencia y robustez sostenida del sistema.Para la integración del sistema, el 2EDN8534F reduce la complejidad y el costo al eliminar componentes externos como transistores NPN/PNP y diodos bootstrap externos.2EDN8534F
ofrece corrientes de sumidero y fuente pico de hasta 5A para cargas capacitivas, con una respuesta de conmutación rápida con un tiempo de subida típico de 8,6ns y un tiempo de caída de solo 6ns.
Estas características hacen que el 2EDN8534F sea muy adecuado para controlar MOSFETs de potencia de alta velocidad y elementos de conmutación basados en materiales de banda ancha.
Operando dentro de un rango de suministro de 4,5 V a 20 V, el 2EDN8534F admite opciones de bloqueo por subtensión (UVLO) de 4 V y 8 V, proporcionando protección UVLO transitoria para los interruptores de potencia durante condiciones anormales.Para la integración del sistema, el 2EDN8534F reduce la complejidad y el costo al eliminar componentes externos como transistores NPN/PNP y diodos bootstrap externos.2EDN8534F
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El 2EDN8534F emplea una configuración no inversora y un tipo de lógica CMOS, con voltajes de umbral de entrada VIL de 1,4 V y VIH de 1,9 V, lo que garantiza la compatibilidad con los circuitos de control estándar.
Su retardo de propagación es típicamente de solo 19ns, con una precisión de retardo de propagación de +6/-4 ns, lo que representa un rendimiento excepcional para un controlador de doble canal.Para la integración del sistema, el 2EDN8534F reduce la complejidad y el costo al eliminar componentes externos como transistores NPN/PNP y diodos bootstrap externos.2EDN8534F
incorpora múltiples funciones de protección:
La sujeción activa del voltaje de salida generalmente se logra en 20ns,
Robustez de entrada de -12 V y robustez de corriente inversa de 5 A,
Un mecanismo de respuesta UVLO rápido, que duplica la velocidad de respuesta desde el inicio y los modos de alta carga hasta la funcionalidad UVLO.
, el retardo de propagación ultrabajo (típicamente 19ns) y la alta inmunidad a las interferencias lo hacen excepcionalmente adecuado para controlar dispositivos WBG.Para la integración del sistema, el 2EDN8534F reduce la complejidad y el costo al eliminar componentes externos como transistores NPN/PNP y diodos bootstrap externos.Compatibilidad de tecnología de banda ancha del
2EDN8534F
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A medida que la tecnología de semiconductores de banda ancha se vuelve prevalente en la electrónica de potencia, los controladores de puerta requieren características especializadas para que coincidan. El 2EDN8534F está optimizado específicamente para controlar dispositivos de conmutación de potencia SiC y GaN.
En comparación con los dispositivos tradicionales basados en silicio, los semiconductores de banda ancha ofrecen frecuencias de funcionamiento más altas, mayor tolerancia a la temperatura y menores pérdidas de conmutación.Para la integración del sistema, el 2EDN8534F reduce la complejidad y el costo al eliminar componentes externos como transistores NPN/PNP y diodos bootstrap externos.La salida rail-to-rail del
2EDN8534F
, el retardo de propagación ultrabajo (típicamente 19ns) y la alta inmunidad a las interferencias lo hacen excepcionalmente adecuado para controlar dispositivos WBG.Para la integración del sistema, el 2EDN8534F reduce la complejidad y el costo al eliminar componentes externos como transistores NPN/PNP y diodos bootstrap externos.【
Dominios de aplicación y valor de diseño del
2EDN8534F
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El 2EDN8534F es adecuado para diversas aplicaciones de electrónica de potencia, incluyendo:
Equipos de servidores y telecomunicaciones
Convertidores CC-CC y SMPS industriales (fuentes de alimentación conmutadas)
Herramientas eléctricas y vehículos eléctricos ligeros (LEV) de baja velocidadPara la integración del sistema, el 2EDN8534F reduce la complejidad y el costo al eliminar componentes externos como transistores NPN/PNP y diodos bootstrap externos.Estaciones de carga de vehículos eléctricos y control de motores
Dentro de estas aplicaciones, el
2EDN8534F
permite a los ingenieros lograr una mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia al reducir el recuento de componentes externos y ahorrar espacio de diseño.
Su función de sujeción activa rápida de salida (generalmente lograda en 20ns) mejora aún más la robustez del sistema en condiciones de funcionamiento anormales.Para la integración del sistema, el 2EDN8534F reduce la complejidad y el costo al eliminar componentes externos como transistores NPN/PNP y diodos bootstrap externos.Esto permite la conexión en paralelo de ambos canales para aumentar eficazmente la capacidad de conducción de corriente, o el uso de una sola señal de entrada para controlar dos interruptores en paralelo.
【Ventajas comparativas del
2EDN8534F
sobre los controladores convencionales】
En comparación con los controladores de puerta estándar, el 2EDN8534F demuestra distintas ventajas en múltiples aspectos:
Con respecto al rendimiento de conmutación, el 2EDN8534F ofrece un tiempo de subida de 8,6ns y un tiempo de caída de 6ns, superando a muchos productos comparables.Para la integración del sistema, el 2EDN8534F reduce la complejidad y el costo al eliminar componentes externos como transistores NPN/PNP y diodos bootstrap externos.Con respecto a la robustez, su inmunidad de entrada de -12 V y la tolerancia de corriente inversa de 5 A proporcionan una protección del sistema mejorada.
Con respecto a la densidad de potencia, el
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