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Blog de la compañía Transistores de 3A IGBT7 S7 de 1200V y de 3A de IGD03N120S7 de Infineon

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Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
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Transistores de 3A IGBT7 S7 de 1200V y de 3A de IGD03N120S7 de Infineon
últimas noticias de la compañía sobre Transistores de 3A IGBT7 S7 de 1200V y de 3A de IGD03N120S7 de Infineon

InfineónSe trata de una prueba de la eficacia de los medicamentos.Transistores IGBT7 S7 de 1200 V y 3A

 

Se trata de una prueba de la eficacia de los medicamentos.es de conmutación dura de 1200 V, 3 Un único TRENCHSTOP TM IGBT7 S7 discreto en paquete TO-252 que ofrece VCEsat bajo para lograr pérdidas de conducción muy bajas en aplicaciones objetivo.

 

Especificaciones deSe trata de una prueba de la eficacia de los medicamentos.

Categoría de productos:IGBT

Tecnología: Si

En el caso de los vehículos de la categoría M2 y M3

Configuración:Sólo

Voltado del colector-emitente VCEO máximo:1,2 kV

Voltado de saturación del colector-emitente:1.65 V

Corriente continua del colector a 25 C:10 A

Pd - Disipación de energía:45 W

Temperatura mínima de funcionamiento: - 40 °C

Temperatura máxima de funcionamiento: + 150 C

Corriente de fuga del emisor de la puerta:100 nA

 

Características delSe trata de una prueba de la eficacia de los medicamentos.

VCE = 1200 V

IC = 3 A

La tensión de saturación baja VCEsat = 2 V a Tvj = 150°C

resistencia al cortocircuito 8 μs

Amplio rango de capacidad de control de dv/dt

 

Las ventajas deSe trata de una prueba de la eficacia de los medicamentos.

Diseño compacto para el suministro de alta tensión

EMI reducido min interferencia electromagnética

 

Las aplicaciones deSe trata de una prueba de la eficacia de los medicamentos.

Dispositivos de accionamiento y control de motores industriales

 

Dibujo del paquete PG-TO252-3

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Tiempo del Pub : 2024-12-05 13:19:07 >> Lista de las noticias
Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Mr. Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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