A medida que los sistemas de conversión de energía continúan evolucionando hacia frecuencias más altas, tamaños más pequeños y mayor eficiencia,Los dispositivos de energía de nitruro de galio (GaN) están reemplazando gradualmente a los MOSFET tradicionales a base de silicio para convertirse en los componentes centrales de los diseños de electrónica de potencia de próxima generaciónEl modelo IGT65R de la serie CoolGaNTM 650V G5 de Infineon ha ganado un amplio reconocimiento en fuentes de alimentación industriales, fuentes de alimentación de telecomunicaciones, centros de datos y cargadores.gracias a su excelente rendimiento de conmutación y ventajas a nivel del sistema.
La Comisión consideró que los importes procedentes de China no constituían ayuda estatal en el sentido del artículo 2 del Reglamento de base.mantiene un stock a largo plazo de todos los modelos de la serie IGT65R y ofrece servicios globales de recompra de alto valor para dispositivos originales de esta serie,proporcionar a los socios servicios de extremo a extremo que van desde la adquisición hasta la optimización del inventario.
Resumen del producto: Transistores de potencia CoolGaNTM 650V de la serie IGT65R
ElIGT65Rforma parte de la serie CoolGaNTM 650V G5 de Infineon de transistores de potencia de nitruro de galio en modo de mejora (modo e), diseñados específicamente para aplicaciones de conversión de potencia de alta frecuencia.Fabricado utilizando tecnología de obleas de 200 mm (8 pulgadas) y líneas de producción totalmente automatizadas, esta serie cuenta con tolerancias de fabricación estrictas y la más alta calidad del producto, por lo que es adecuada para una amplia gama de aplicaciones, desde electrónica de consumo hasta sistemas industriales.
Como representante de la tecnología de semiconductores de tercera generación, la serie IGT65R ofrece ventajas significativas para el diseño del sistema a través de una carga de puerta extremadamente baja, cero carga de recuperación inversa,y velocidades de conmutación ultra-rápidas, aumentando efectivamente la densidad de potencia, reduciendo los costos de BOM del sistema y permitiendo un factor de forma compacto.
Especificaciones clave
Marca: Infineon
Tecnología: Modo de mejora del modo E, interruptor normalmente cerrado
Ventilación de la fuente de escape (Vdss): 650 V
Se aplicará la corriente de drenaje continua (Id): 13 A (Tc)
Resistencia de encendido (RDS(encendido)): 140 mΩ (típico)
Carga de la puerta (Qg): 1,8 nC (típico)
Capacidad de entrada (Ciss): 155 pF @ 400 V
Disposición de energía (Pd): 47 W
Rango de temperatura de funcionamiento: -55°C a +150°C
Tipo de envase: PG-HSOF-8 (enfriado por el fondo)
Protección ESD: HBM de 2 kV, conforme con las normas JEDEC
Resumen de los modelos de la misma serie
IGT65R025D2: 25 mΩ TOLL / DFN de alta corriente
IGT65R035D2: 35 mΩ 49 A PG-HSOF-8
IGT65R045D2: 45 mΩ de corriente media a alta PG-HSOF-8
IGT65R055D2: 55 mΩ Corriente media Varios paquetes
IGT65R140D2: 140 mΩ 13 A PG-HSOF-8
Principales características y beneficios
1. Interruptor de modo de mejora (modo E) normalmente cerrado
La serie IGT65R utiliza tecnología de transistores de modo de mejora y cuenta con un interruptor normalmente cerrado,garantizar la seguridad del sistema durante el arranque y en condiciones de avería sin necesidad de circuitos de accionamiento de voltaje negativo adicionales.
2Velocidad de conmutación ultra rápida y recuperación inversa cero
Las propiedades físicas únicas de los dispositivos de nitruro de galio (GaN) resultan en una carga de puerta y carga de salida extremadamente bajas,que permite velocidades de conmutación muy superiores a las de los MOSFET tradicionales a base de silicioAdemás, la ausencia de un cargo de recuperación inversa (Qrr = 0) reduce significativamente las pérdidas de cambio.haciendo que estos dispositivos sean particularmente adecuados para topologías de conmutación dura y suave como el PFC de tótem y el LLC de alta frecuencia.
3Apoyo de conducción inversa
El IGT65R admite conducción inversa, reduciendo efectivamente las pérdidas de conducción del diodo de cuerpo en aplicaciones como la rectificación síncrona y mejorando la eficiencia general del sistema.
4. RDS dinámico bajo (en) y paquete enfriado por el fondo
La serie CoolGaNTM G5 de próxima generación presenta una resistencia de encendido dinámica extremadamente baja, manteniendo pérdidas de conducción estables incluso en condiciones de funcionamiento de alta temperatura y alta frecuencia.El paquete enfriado por el fondo (e.g., PG-HSOF-8) optimiza la ruta de disipación de calor, facilitando los diseños de alta densidad de potencia.
5Excelente robustez de conmutación
Los dispositivos ofrecen una durabilidad de conmutación excepcional, garantizando un funcionamiento confiable bajo condiciones de estrés eléctrico severas, y están certificados según las normas de aplicación industrial JEDEC.
Áreas de aplicación típicas
ElIGT65RLa serie de transistores CoolGaNTM se utiliza principalmente en aplicaciones de conversión de potencia basadas en topologías de conmutación dura y conmutación blanda de medio puente:
Fuentes de alimentación industriales y de telecomunicaciones: conversión de energía CA-CC, fuentes de alimentación de conmutación industrial (SMPS)
Fuentes de alimentación para centros de datos y servidores: módulos de alimentación para servidores de alta eficiencia, UPS
Cargadores y adaptadores: carga rápida USB-C PD, adaptadores para portátiles, cargadores de herramientas eléctricas
Sistemas de carga para vehículos eléctricos: cargadores a bordo (OBC), convertidores CC-DC
Nuevas energías y energía fotovoltaica: Inversores solares, conversión de energía para sistemas de almacenamiento de energía
Infraestructura de telecomunicaciones: Fuentes de alimentación de las estaciones base, módulos rectificadores de comunicación
Mingjiada Electronics. Servicios profesionales de suministro y reciclaje para la serie IGT65R.
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., fundada en 1996 y con sede en Shenzhen, opera sucursales en Hong Kong, Japón, Rusia, Estados Unidos, Canadá, Alemania y otros lugares.Es un distribuidor independiente autorizado de componentes electrónicos de renombre mundial.
Servicios de suministro: Solo productos originales originales
Mingjiada Electronics mantiene un stock a largo plazo de todos los modelos de la serie IGT65R, incluidos IGT65R140D2, IGT65R045D2, IGT65R035D2, IGT65R025D2, IGT65R055D2 y más.Todos los productos son originales de Infineon, obtenidos a través de canales oficiales, garantizando una calidad fiable.
Inventario en stock, entrega rápida
Apoyo a las muestras de lotes pequeños y a las compras a granel
Precios transparentes Bienvenidas las consultas
Servicio de recompra: Recompra de inventario en efectivo a un precio elevado
Mingjiada Electronics ofrece servicios de recompra a largo plazo y de alto precio en todo el mundo para la serie IGT65R y la gama completa de dispositivos de energía Infineon CoolGaNTM:
Las partidas aceptadas: inventario de excedentes de fábrica, stock de distribuidores e inventario individual
Requisitos de reciclaje: Solo aceptamos productos originales sellados de fábrica obtenidos a través de canales oficiales; deben estar presentes las etiquetas originales del fabricante.
Ventajas del servicio: evaluación justa, precios transparentes, pago rápido y recogida de puerta en puerta en todo el país
Proceso sencillo: envío de los datos del inventario → Inspección y evaluación → Negociación y transacción → Pago rápido
Además de laIGT65REn la actualidad, Mingjiada Electronics compra constantemente todos los modelos de la serie CoolGaNTM de Infineon, incluidos IGLT65R035D2, IGT65R025D2, IGT65R045D2, IGT65R055D2, IGT65R140D2 y otros.
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