Infineon IKW25N120H3 Transistores IGBT de 25A 1200V de Alta Velocidad con Diodo Antiparalelo
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., un conocido distribuidor independiente de componentes electrónicos en la industria, ofrece el transistor IGBT IKW25N120H3 de alta velocidad de Infineon de 1200V y 25A en stock. Emplea la avanzada tecnología TRENCHSTOP™ e integra un diodo antiparalelo inverso.
Este IKW25N120H3 dispositivo logra un excelente equilibrio entre las pérdidas de conmutación y las pérdidas de conducción, lo que lo hace particularmente adecuado para aplicaciones de conmutación dura de alta frecuencia. Es una opción ideal para aplicaciones como accionamientos de motores industriales, sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI), equipos de soldadura e inversores solares.
【IKW25N120H3 Descripción general del producto】
El IKW25N120H3 es un producto representativo de la tecnología IGBT TRENCHSTOP™ de alta velocidad de cuarta generación de Infineon. Está empaquetado en un encapsulado TO-247-3, integrando un IGBT de 1200V, 25A y un diodo antiparalelo de alta velocidad.
Este diseño reduce la necesidad de componentes externos, mejorando la integración y la fiabilidad del sistema.
La característica técnica más notable del IKW25N120H3 dispositivo son sus características de conmutación optimizadas. Emplea tecnología de trinchera de parada de campo, que no solo logra una baja caída de tensión de saturación (Vce(sat)), sino que también reduce significativamente las pérdidas de conmutación, lo que permite un funcionamiento eficiente a frecuencias de hasta 70 kHz.
【IKW25N120H3 Análisis de los parámetros clave de rendimiento】
El IKW25N120H3 cuenta con varias características eléctricas impresionantes, que determinan directamente su rendimiento en las aplicaciones:
Especificaciones de voltaje y corriente: Voltaje colector-emisor (Vces) de hasta 1200V, corriente de colector continua (Ic) de hasta 50A a 25°C y 25A a 100°C, con capacidad de corriente de pulso de hasta 100A.
Características de conducción: El voltaje de saturación colector-emisor (Vce(sat)) tiene un valor típico de 2,05 V (probado a 15 V de voltaje de puerta y 25 A de corriente de colector). Esta baja caída de voltaje de conducción ayuda a reducir la pérdida de potencia en el estado de conducción.
Características de conmutación: El tiempo de retardo de encendido (td(on)) es de solo 26 ns, y el tiempo de retardo de apagado (td(off)) es de 277 ns. Estas rápidas velocidades de conmutación lo hacen adecuado para aplicaciones de alta frecuencia, pero se deben considerar el sobreimpulso de voltaje y la interferencia electromagnética en el diseño del circuito del controlador.
Pérdidas de conmutación: La energía de encendido (Eon) es de 1,8 mJ, y la energía de apagado (Eoff) es de 0,85 mJ (en condiciones de conmutación dura). Las menores pérdidas de conmutación se traducen directamente en una mayor eficiencia del sistema y en una reducción de los requisitos de gestión térmica.
Características del diodo integrado: El tiempo de recuperación inversa (trr) del diodo antiparalelo incorporado es de 290 ns, y el voltaje directo (VF) es de 2,4 V. Esto asegura la capacidad de manejar cargas inductivas.
Rendimiento térmico: La disipación de potencia máxima (Ptot) del dispositivo es de 326W, con un rango de temperatura de unión de funcionamiento de -40°C a +175°C. El amplio rango de temperatura le permite soportar entornos operativos hostiles.
【IKW25N120H3 Características de estructura y embalaje】
El IKW25N120H3 adopta el encapsulado de orificio pasante TO-247-3 estándar (también conocido como PG-TO247-3), que ofrece una excelente resistencia mecánica y rendimiento térmico.
Las dimensiones del encapsulado IKW25N120H3 son: longitud 16,13 mm, ancho 5,21 mm, altura 21,1 mm². Este formato de embalaje ampliamente utilizado facilita la instalación y la disipación de calor, y es compatible con la mayoría de los disipadores de calor estándar.
El dispositivo IKW25N120H3 pesa aproximadamente 5,42 gramos. Los materiales de embalaje cumplen con las normas RoHS y sin plomo, cumpliendo con los requisitos ambientales. El interior del embalaje presenta un sustrato de cobre y un diseño optimizado de cableado interno, lo que garantiza una excelente capacidad de manejo de corriente y eficiencia de conductividad térmica.
【IKW25N120H3 Características técnicas y ventajas】
El transistor IGBT IKW25N120H3 combina múltiples ventajas técnicas:
Capacidad de alto voltaje: voltaje de ruptura del colector de 1200 V, adecuado para entornos de aplicación de alto voltaje
Manejo de alta corriente: corriente de colector continua máxima de hasta 50 A, corriente de pulso de hasta 100 A
Rendimiento de baja pérdida: Combina baja pérdida de conmutación y baja pérdida de conducción para mejorar la eficiencia del sistema
Excelente rendimiento térmico: Rango de temperatura de unión de funcionamiento de -40°C a 175°C, con una potencia nominal máxima de 326W
Características de conmutación rápida: Adecuado para topologías de conmutación de alta frecuencia por encima de 20 kHz
Estas características hacen que el IKW25N120H3 sea una opción ideal para una amplia gama de aplicaciones de electrónica de potencia.
【IKW25N120H3 Áreas de aplicación】
El IKW25N120H3 es adecuado para una amplia gama de aplicaciones de electrónica de potencia, particularmente aquellas que requieren altas frecuencias de conmutación y alta eficiencia:
Accionamientos de motores industriales: Se utiliza como componentes de conmutación de potencia en variadores de frecuencia y servomotores, su alta frecuencia de conmutación admite el control de motores de alta precisión.
Sistema de alimentación ininterrumpida (SAI): Especialmente adecuado para las secciones de inversor y rectificador de los sistemas SAI en línea, mejorando la eficiencia de la conversión de energía.
Equipos de soldadura: Se utiliza en la sección de conversión de potencia de las máquinas de soldadura por inversor, donde las altas frecuencias permiten transformadores más pequeños.
Inversores solares: Adecuado para la etapa de conversión de CC a CA de los inversores fotovoltaicos tipo cadena, con capacidad de alto voltaje para cumplir con los requisitos de voltaje de las cadenas fotovoltaicas.
Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS): Particularmente adecuado para las etapas de conversión de potencia de alta frecuencia en fuentes de alimentación de comunicación de alta potencia y fuentes de alimentación de servidores.
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