Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. está ofreciendo actualmente el Infineon IMT65R033. Este MOSFET de carburo de silicio CoolSiC™ G2 de 650V, con encapsulado TOLL y una resistencia en encendido de 33 mΩ, es un dispositivo de conmutación ideal para diseños de fuentes de alimentación de próxima generación con alta densidad de potencia.
Descripción del Producto: IMT65R033
El IMT65R033 pertenece a la plataforma tecnológica MOSFET CoolSiC™ de segunda generación de Infineon. En comparación con la primera generación y los dispositivos tradicionales basados en silicio, mejora significativamente la eficiencia del sistema manteniendo una alta fiabilidad. Sus objetivos de diseño principales son reducir los costos del sistema, aumentar la densidad de potencia y extender la vida útil del producto.
Un punto clave de este modelo es el uso del encapsulado TOLL (TO-LeadLess). Si bien mantiene una huella compacta de 8x8 mm, supera las limitaciones térmicas de los encapsulados tradicionales y utiliza la avanzada tecnología de unión por difusión .XT para reducir significativamente la resistencia térmica (RthJC máx. de solo 0.48 K/W), asegurando que el rendimiento del chip de carburo de silicio se aproveche al máximo.
Especificaciones Técnicas Clave
Modelo: IMT65R033
Voltaje (VDS): 650 V
Resistencia en encendido (RDS(on)): 33 mΩ (típica) / 42 mΩ (máxima)
Corriente (ID): 68 A (a 25°C)
Tipo de Encapsulado: TOLL (PG-HSOF-8-2)
Temperatura de Operación: -55°C a 175°C
Resistencia Térmica (RthJC): 0.48 K/W
Ventajas Clave: Análisis de los Aspectos Técnicos Destacados del IMT65R033’
Excelente Figura de Mérito (FOM) y Baja Resistencia en Encendido: La resistencia en encendido de 33 mΩ, combinada con una carga de puerta optimizada, resulta en pérdidas de conmutación y conducción extremadamente bajas, lo que lo hace esencial para lograr una eficiencia ultra alta (como en fuentes de alimentación de servidor de clase titanio).
Mejorada Fiabilidad del Ciclo Térmico del Encapsulado: Gracias al encapsulado TOLL y la tecnología .XT, este dispositivo ofrece cuatro veces la durabilidad en pruebas de ciclo térmico (TCoB), permitiendo un rendimiento excepcional en aplicaciones industriales y automotrices con requisitos de fiabilidad estrictos.
Voltaje de Control Flexible: Admite control unipolar (VGS(off) = 0), simplificando el diseño del circuito de control de puerta y reduciendo el número de componentes auxiliares necesarios para la desconexión con voltaje negativo.
Compatibilidad de Pines: Totalmente compatible con el pinout del encapsulado estándar de la industria de 8x8, lo que permite a los clientes actualizar o reemplazar productos sin modificar el diseño de la PCB.
Aplicaciones Típicas
El CoolSiC™ IMT65R033 de Infineon es adecuado para aplicaciones con requisitos estrictos de eficiencia y gestión térmica:
Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) y fuentes de alimentación de servidor
Inversores fotovoltaicos solares y sistemas de almacenamiento de energía en baterías (BESS)
Infraestructura de carga de vehículos eléctricos (EV)
Fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS)
Sistemas de calefacción, ventilación y aire acondicionado (HVAC) y variadores de motor industriales
Servicios de Reciclaje
Al mismo tiempo, Mingjiada Electronics ofrece reciclaje de efectivo a largo plazo y a alto precio para MOSFET de carburo de silicio, específicamente el Infineon IMT65R033. Solo aceptamos productos obtenidos a través de canales oficiales, como distribuidores, comerciantes y fábricas de usuarios finales; no aceptamos productos de fuentes no oficiales.
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Etiquetas: IMT65R033M2H, IMT65R033M2, IMT65R033M, IMT65R033
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