INFINEONIMT65R057M1HTransistores MOSFET de carburo de silicio CoolSiC™ de 650V 57mΩ
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., como distribuidor de renombre mundial de componentes electrónicos, ofrece el IMT65R057M1H transistor MOSFET CoolSiC™ en stock. Con su excepcional rendimiento de conmutación, su extraordinaria fiabilidad y su amplia adaptabilidad de aplicación, abre nuevas posibilidades para el diseño de sistemas de electrónica de potencia modernos.
【IMT65R057M1H Descripción general del producto】
El IMT65R057M1H representa una oferta emblemática dentro de la serie CoolSiC™ MOSFET de Infineon. Construido con tecnología de semiconductores de zanja avanzada, está optimizado para ofrecer pérdidas mínimas de aplicación y la máxima fiabilidad operativa.
Este IMT65R057M1H MOSFET de carburo de silicio de canal N presenta un voltaje drenaje-fuente (Vds) de 650 V y una corriente de drenaje continua (Id) de 44 A, con una resistencia de encendido de solo 0,057 ohmios. Su baja resistencia de encendido y su alta capacidad de corriente permiten una mejora del 3-5% en la eficiencia del sistema, extendiendo significativamente la autonomía de los vehículos eléctricos.
Alojado en un encapsulado HSOF-8, el IMT65R057M1H admite temperaturas de funcionamiento de hasta 175°C, simplificando los sistemas de gestión térmica y reduciendo los costes, al tiempo que satisface las exigencias de alta fiabilidad en entornos extremos.
【Ventajas e innovaciones de la tecnología de carburo de silicio】
En comparación con los dispositivos tradicionales basados en silicio, el material de carburo de silicio posee una característica de banda prohibida amplia, con un ancho de banda prohibida aproximadamente tres veces mayor que el del silicio y una resistencia del campo eléctrico crítico aproximadamente diez veces mayor.
Esto permite a los MOSFET de SiC utilizar regiones de deriva más delgadas y más fuertemente dopadas, reduciendo significativamente la resistencia de encendido. A diferencia de los dispositivos IGBT bipolares, los MOSFET de SiC son unipolares, lo que elimina las corrientes de cola de apagado y logra hasta un 80% menos de pérdidas de conmutación en comparación con los IGBT de silicio.
Los MOSFET CoolSiC de Infineon emplean una estructura de puerta de zanja asimétrica, aprovechando las propiedades anisotrópicas de los cristales de SiC. El plano cristalino utilizado para el canal está orientado en un ángulo específico con respecto al eje vertical, minimizando la densidad de estados de interfaz y las trampas de la capa de óxido para garantizar la máxima movilidad de los portadores del canal.
【IMT65R057M1H Diseño de fiabilidad y características de rendimiento】
El IMT65R057M1H emplea la tecnología de chip M1H CoolSiC mejorada de Infineon, mejorando significativamente la resistencia de encendido drenaje-fuente, ampliando el rango de voltaje puerta-fuente y mejorando la flexibilidad de accionamiento.
La tecnología M1H amplía aún más el rango de resistencia de voltaje de puerta, con valores de voltaje de resistencia en estado estacionario entre -7 V y 20 V, y valores de voltaje de resistencia transitoria entre -10 V y 23 V. El voltaje de encendido recomendado es de 15-18 V, y el voltaje de apagado es de -5 V a 0 V.
El IMT65R057M1H MOSFET presenta un alto voltaje de umbral (aproximadamente 4,5 V), superando a muchos competidores, junto con una capacitancia de Miller excepcionalmente baja. Este elevado voltaje de umbral suprime eficazmente los fenómenos de conducción parásita, mejorando la estabilidad del sistema.
【IMT65R057M1H Empaquetado y rendimiento térmico】
El IMT65R057M1H utiliza un encapsulado HSOF-8 (también conocido como PG-HSOF-8), un encapsulado de montaje en superficie adecuado para aplicaciones de alta densidad de potencia.
El IMT65R057M1H está diseñado con un rendimiento térmico excepcional, soportando una temperatura de unión máxima de 175°C, mejorando así aún más la densidad de potencia. Sus robustas características térmicas permiten un funcionamiento estable en entornos de alta temperatura y funcionamiento severo.
【Áreas de aplicación del IMT65R057M1H】
El MOSFET de carburo de silicio IMT65R057M1H encuentra una amplia aplicación en múltiples dominios de alto rendimiento, sirviendo como un componente clave para mejorar la eficiencia del sistema.
Dentro del sector de vehículos de nueva energía, el IMT65R057M1H es adecuado para inversores de accionamiento principal, cargadores integrados (OBC) y convertidores CC-CC. Sus características de alta frecuencia de conmutación y bajas pérdidas mejoran la eficiencia del sistema, reducen la disipación de energía y amplían la autonomía.
Dentro del sector de las energías renovables, este MOSFET IMT65R057M1H encuentra aplicación en inversores fotovoltaicos y sistemas de almacenamiento de energía. La alta frecuencia de conmutación y las bajas pérdidas del MOSFET CoolSiC™ mejoran la eficiencia de la conversión solar, permitiendo eficiencias del sistema superiores al 99%.
Además, el IMT65R057M1H es adecuado para aplicaciones que incluyen fuentes de alimentación industriales, fuentes de alimentación de servidores, equipos de telecomunicaciones y fuentes de alimentación ininterrumpida (SAI). En estos dominios, reduce los requisitos térmicos del sistema al tiempo que aumenta la densidad de potencia.
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