Infineon IPA60R060P7 Transistor MOSFET de potencia de canal N CoolMOS™ P7
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., como distribuidor de renombre mundial de componentes electrónicos, suministra Infineon IPA60R060P7 genuinos, transistores MOSFET de potencia de canal N CoolMOS™ P7. Este MOSFET emplea la avanzada tecnología Super Junction (SJ) de séptima generación, proporcionando una solución ideal para aplicaciones de fuentes de alimentación conmutadas de alto rendimiento.
【IPA60R060P7 Descripción general del producto】
El IPA60R060P7 es un MOSFET de potencia de canal N alojado en un encapsulado de orificio pasante TO-220-3. Este dispositivo presenta una tensión drenador-fuente (Vdss) de 600 V y una corriente de drenaje continua de 48 A (@25°C).
La resistencia en estado activo (RDS(on)) máxima del IPA60R060P7 es de 60 mΩ (a una tensión de accionamiento de 10 V y condiciones de prueba de 15,9 A). Esta baja resistencia en estado activo reduce eficazmente las pérdidas por conducción y mejora la eficiencia del sistema.
El IPA60R060P7 exhibe una carga de puerta (Qg) de solo 67 nC (@10 V) y una capacitancia de entrada (Ciss) de 2895 pF (@400 V). Estos bajos valores de carga y capacitancia de puerta se traducen en una reducción de las pérdidas de conmutación y en menores requisitos de accionamiento, lo que permite un rendimiento excepcional en aplicaciones de conmutación de alta frecuencia.
El IPA60R060P7 admite una tensión puerta-fuente (Vgs) máxima de ±20 V, con una tensión de umbral (Vgs(th)) que oscila entre 3 V y 4 V (típico 3,5 V). Su amplio rango de temperatura de unión de funcionamiento, de -55°C a 150°C, lo hace adecuado para aplicaciones en diversas condiciones ambientales.
【Ventajas técnicas de CoolMOS™ P7】
CoolMOS™ P7 de Infineon, el sucesor de la serie 600V CoolMOS™ P6, logra un equilibrio perfecto entre alta eficiencia y facilidad de uso durante su proceso de diseño.
La plataforma CoolMOS™ de séptima generación ofrece lo mejor en su clase RonxA y una baja carga de puerta inherente (QG), lo que garantiza una alta eficiencia del sistema. En comparación con las generaciones anteriores y los competidores, la carga de puerta Qg y Eoss se reducen en un 30-60%, lo que reduce significativamente las pérdidas de accionamiento y conmutación.
【IPA60R060P7 Ventajas técnicas】
El IPA60R060P7 integra un diodo ESD (a partir de 180 mΩ y superior a RDS(on)) y una resistencia de puerta (RG), lo que mejora la robustez del dispositivo. La RG integrada reduce la susceptibilidad del MOSFET a la oscilación, ayuda a prevenir fallos ESD y mejora la facilidad de uso en entornos de fabricación.
El IPA60R060P7 MOSFET emplea un diseño de diodo de cuerpo robusto, lo que demuestra una excelente robustez en la conmutación del diodo de cuerpo dentro de las topologías LLC. Es adecuado para topologías de conmutación dura como PFC y LLC, así como para topologías de conmutación resonantes.
1. Rendimiento de alta eficiencia
El IPA60R060P7 exhibe excelentes métricas de figura de mérito (FOM), incluyendo RDS(on) × Eoss y RDS(on) × QG. Estos parámetros optimizados se traducen directamente en una mayor eficiencia del sistema, particularmente en aplicaciones de conmutación de alta frecuencia.
2. Usabilidad mejorada
El IPA60R060P7 incorpora múltiples características que mejoran significativamente la facilidad de diseño:
Diodo de protección ESD integrado: Los modelos a partir de 180 mN y superiores a RDS(on)s cuentan con un diodo ESD integrado, que evita fallos ESD en entornos de fabricación.
Resistencia de puerta (RG) integrada: Reduce la susceptibilidad del MOSFET a la oscilación.
Diodo de cuerpo robusto: Habilita el MOSFET para topologías de conmutación dura como PFC y LLC, así como para topologías de conmutación resonantes, lo que demuestra una excelente robustez en la comunicación del diodo de cuerpo dentro de las configuraciones LLC.
3. Rendimiento térmico y fiabilidad
El IPA60R060P7 exhibe características térmicas sobresalientes, logrando una capacidad máxima de disipación de potencia de 164W (Tc=25°C). Su amplio rango de temperatura de unión de funcionamiento (-55°C a 150°C) lo hace adecuado para diversas condiciones ambientales.
【IPA60R060P7 Áreas de aplicación】
El IPA60R060P7 es adecuado para múltiples aplicaciones de fuente de alimentación, incluyendo, entre otras:
Fuentes de alimentación para televisores: Proporcionando una conversión de energía eficiente para televisores LCD y de plasma.
SMPS industriales (fuentes de alimentación conmutadas): Sistemas de alimentación para aplicaciones industriales.
Fuentes de alimentación para servidores y equipos de comunicación: Satisfaciendo los requisitos de energía eficientes de los centros de datos y la infraestructura de comunicación.
Sistemas de iluminación: Diseños de fuentes de alimentación para diversos dispositivos de iluminación de alta eficiencia.
Adaptadores y cargadores: Adaptación de energía y soluciones de carga para diversos dispositivos.
El IPA60R060P7 también se emplea ampliamente en sistemas PC Silverbox, unidades UPS (fuente de alimentación ininterrumpida), aplicaciones solares, vehículos eléctricos pequeños y ligeros, y escenarios de carga de vehículos eléctricos (EV) de CC.
Su amplia aplicabilidad y su excelente rendimiento hacen del IPA60R060P7 una opción ideal tanto para aplicaciones de consumo como industriales.
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