Blog de la compañía Transistores MOSFET de potencia de canal N de Infineon IPB60R045P7 600V CoolMOSTM P7

InfineónSe aplicará el procedimiento siguiente:Transistores MOSFET de potencia de canal N de 600 V CoolMOSTM P7

En la industria electrónica moderna, los transistores MOSFET de potencia se utilizan como dispositivos de conmutación de alta eficiencia en una amplia gama de aplicaciones como la gestión de energía,Control industrial y electrónica automotrizLa serie CoolMOSTM P7 de Infineon es muy favorecida por el mercado por su excelente rendimiento y fiabilidad.La Comisión consideró que los importes procedentes de China no constituían ayuda estatal en el sentido del artículo 2 del Reglamento de base.como distribuidor de componentes electrónicos de renombre mundial, suministra desde hace mucho tiempo transistores MOSFET de potencia N-canal IPB60R045P7 CoolMOSTM P7 a Infineon,proporcionar a los clientes productos de alta calidad y servicios profesionales.

InfineónSe aplicará el procedimiento siguiente:Supervisión general del producto CoolMOSTM P7

1, Descripción del productoSe aplicará el procedimiento siguiente:

IPB60R045P7 600V CoolMOSTM P7 superjunction MOSFET es el sucesor de la serie 600V CoolMOSTM P6. Continúa equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño.El mejor RonxA de su clase y la carga de puerta inherentemente baja (QG) de la plataforma CoolMOSTM de 7a generación aseguran su alta eficiencia.

2,Especificaciones deSe aplicará el procedimiento siguiente:

Polaridad del transistor: N-canal

Número de canales: 1 Canal

Vds - Tensión de ruptura de la fuente de drenaje: Las demás:

Id - Corriente de drenaje continua: 61 A

Rds encendido - Resistencia de la fuente de drenaje: 45 mOhms

Vgs - Tensión de la fuente de la puerta: - 20 V, más 20 V

Vgs th - Tensión de umbral de la fuente de la puerta: 1.7 V

Qg - Carga de la puerta: 90 a.C.

Temperatura mínima de funcionamiento: - 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento: + 150 °C

Pd - Disposición de energía: Las demás:

Modo de canal: Mejoramiento

Configuración: No casado

Tiempo de caída: 5 ns

Tiempo de ascenso: 5 ns

Tiempo de retraso típico de apagado: 28 ns

Tiempo típico de retraso de encendido: 10 ns

Peso unitario: 4 gramos

3, ElSe aplicará el procedimiento siguiente:es un transistor MOSFET de potencia de canal N de alto rendimiento de la serie CoolMOSTM P7 de Infineon, con tecnología MOSFET avanzada con las siguientes características clave:

Capacidad de alto voltaje: el IPB60R045P7 tiene un alto voltaje de fuente de drenaje (Vdss) de hasta 650V, lo que lo hace adecuado para escenarios de aplicación de alto voltaje.

Baja resistencia de encendido: La resistencia de encendido extremadamente baja del IPB60R045P7 reduce significativamente las pérdidas de conducción y mejora la eficiencia general.la resistencia de encendido (Rds On) es de sólo 45 mOhm, reduciendo efectivamente el consumo de energía.

Capacidad de carga de alta corriente: el IPB60R045P7 cumple con los requisitos de alta potencia con una corriente de drenaje continua (Id) de 48A a 25 °C.

Rendimiento de conmutación rápido: gracias a la tecnología de superjunción de la plataforma CoolMOSTM P7,el dispositivo IPB60R045P7 tiene una carga de puerta (QG) y pérdidas de conmutación extremadamente bajas para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia.

Amplio rango de temperatura: el IPB60R045P7 funciona en el rango de temperatura de -55°C a 150°C para ambientes hostiles.

Protección ESD integrada: el diodo Zener incorporado del IPB60R045P7 proporciona hasta 2 kV de protección contra descargas electrostáticas (ESD), mejorando la fiabilidad del dispositivo.

Diseño de paquetes optimizado: el IPB60R045P7 admite una amplia gama de paquetes (por ejemplo, D2PAK) para montar a través de agujeros y superficies para satisfacer las necesidades de diferentes escenarios de aplicación.

4,Ventajas técnicas deSe aplicará el procedimiento siguiente:

Diseño de alta eficiencia: el IPB60R045P7 alcanza una mayor eficiencia al optimizar el factor de calidad (FOM) del RDS(on) y QG,lo que lo hace particularmente adecuado para topologías de conmutación dura y suave como PFC y LLC.

Facilidad de uso: La resistencia de puerta integrada (RG) reduce la sensibilidad a las oscilaciones y simplifica el flujo de diseño.su baja tendencia a la sonoridad y la excelente robustez del diodo del cuerpo reducen aún más la complejidad del diseño.

Excelente rendimiento térmico: bajas pérdidas de conmutación y conducción permiten al dispositivo mantener un funcionamiento estable en entornos de alta temperatura, lo que lo hace adecuado para diseños de alta densidad de potencia.

5, Características y ventajas deSe aplicará el procedimiento siguiente:

600V P7 permite un excelente FOM RDS ((on) xEoss y RDS ((on) xQG

Facilidad de uso

Durabilidad de la ESD ≥ 2kV (clase HBM 2)

Resistencia de puerta integrada RG

Diodo de carrocería resistente

Amplia cartera de paquetes de montaje a través de agujeros y superficies

Las piezas de grado estándar y de grado industrial están disponibles

Los excelentes FOM RDS (en) xQG / RDS (en) xEoss permiten una mayor eficiencia

Facilidad de uso

Facilidad de uso en entornos de fabricación al evitar que se produzcan fallos de la ESD

La RG integrada reduce la sensibilidad a las oscilaciones del MOSFET

El MOSFET es adecuado tanto para topologías de conmutación duras como resonantes como PFC y LLC

Excelente robustez durante la conmutación dura del diodo del cuerpo visto en la topología LLC

Apto para una amplia variedad de aplicaciones finales y potencias de salida

Partes disponibles adecuadas para aplicaciones industriales y de consumo

6,Aplicaciones deSe aplicará el procedimiento siguiente:

Fuentes de alimentación industriales: incluidas las fuentes de alimentación de servidores, equipos de comunicación y SMPS industriales, su alto rendimiento y fiabilidad satisfacen las necesidades de los ambientes industriales adversos.

Electrónica de consumo: el IPB60R045P7 es adecuado para fuentes de alimentación de TV, adaptadores y cargadores, lo que ayuda a alcanzar los objetivos de diseño de miniaturización y alto rendimiento.

Nueva energía: las características de alto rendimiento y baja pérdida del IPB60R045P7 se demuestran plenamente en inversores solares y puestos de carga de vehículos eléctricos.

7Economía y desarrolloSe aplicará el procedimiento siguiente: