Blog de la compañía Transistores de MOSFET para automóviles de canal P OptiMOSTM-P2 de Infineon IPD50P04P4L-11

InfineónSe aplicará el procedimiento de ensayo.Transistores MOSFET para automóviles de canal P OptiMOSTM-P2

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. y sus subsidiariasComo distribuidor de componentes electrónicos de renombre mundial, se especializa en el suministro a InfineonSe aplicará el procedimiento de ensayo.Diseñados para aplicaciones de electrónica automotriz, estos MOSFET de alto rendimiento cuentan con una alta eficiencia, bajas pérdidas y alta confiabilidad.lo que los hace ideales para aplicaciones como la gestión de la energía de los vehículos eléctricos, sistemas de gestión de baterías (BMS) y cargadores a bordo.

Descripción general del productoSe aplicará el procedimiento de ensayo.
IPD50P04P4L-11 es un MOSFET de potencia de canal P de la familia OptiMOSTM-P2 de Infineon, fabricado utilizando tecnología avanzada de zanja con las siguientes características básicas:

Parámetros de voltaje y corriente: 40 V de tensión de resistencia, corriente de escape continua de 50 A
Paquete: PG-TO252-3 (DPAK), adecuado para el diseño de PCB de alta densidad
Resistencia encendida: muy bajas características RDS ((on), reduciendo significativamente las pérdidas en estado encendido.
Rendimiento de conmutación: carga de la puerta optimizada (Qg) y capacidad de salida (Coss) para conmutación de alta eficiencia
Rango de temperatura: amplio rango de temperatura de funcionamiento para aplicaciones de grado automotriz

Ventajas del productoSe aplicará el procedimiento de ensayo.

1Excelente rendimiento eléctrico.
IPD50P04P4L-11 adopta la avanzada tecnología OptiMOSTM-P2 de Infineon, que tiene:
Resistencia de encendido más baja (RDS ((on)) para una reducción de la pérdida de potencia
Capacidad de conmutación de mayor frecuencia para mejorar la eficiencia del sistema
Características optimizadas del diodo de carrocería para mejorar el rendimiento de la recuperación inversa
Mejor rendimiento térmico para una mayor densidad de potencia

2. Confiabilidad de grado automotriz
Como un MOSFET de grado automotriz, el IPD50P04P4L-11 cumple con estrictos estándares de electrónica automotriz:
Certificación AEC-Q101 para garantizar la fiabilidad en entornos adversos
Excelente resistencia a las vibraciones y los golpes
Capacidad de alta temperatura para el compartimento del motor y otros entornos de alta temperatura
Garantía de suministro a largo plazo para cumplir con los requisitos del ciclo de vida de los productos de automoción

3Amplia gama de aplicaciones
IPD50P04P4L-11 es adecuado para una variedad de sistemas electrónicos de automóviles:
Vehículos eléctricos/híbridos: cargadores integrados (OBC), convertidores CC-CC, sistemas de gestión de baterías (BMS).
Electrónica automotriz tradicional: dirección asistida eléctrica (EPS), sistema de inyección de combustible, control de la bomba de agua/bomba de combustible
Electrónica del cuerpo: cerraduras de puertas inteligentes, ajuste del asiento, control de ventanas
Sistemas de información y entretenimiento: gestión de energía, amplificadores de audio

Parámetros técnicos deSe aplicará el procedimiento de ensayo.
Polaridad del transistor: canal P
Número de canales: 1 canal
Vds - Tensión de ruptura de la fuente de drenaje: 40 V
Id - Corriente de drenaje continua:50 A
Rds encendido - Resistencia de la fuente de drenaje:17.2 mOhms
Vgs - Tensión de la fuente de la puerta:- 16 V, + 5 V
Vgs th - Tensión de umbral de la fuente de la puerta:1.2 V
La carga de la puerta: 45 nC.
Temperatura mínima de funcionamiento: - 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento: + 175 C
Pd - Disposición de energía:58 W
Tiempo de caída:39 ms
Alturas:2.3 mm
Duración:6.5 mm
Tipo de producto:MOSFET
Tiempo de elevación:9 s
Tiempo de retraso típico de apagado:46 ms
Tiempo de retraso típico de encendido:12 ms
Ancho:6.22 mm
Peso unitario: 330 mg

Soluciones de aplicaciónSe aplicará el procedimiento de ensayo.

1Sistema de gestión de energía de los automóviles
Las aplicaciones típicas del IPD50P04P4L-11 en sistemas de gestión de energía de automóviles incluyen:

Conmutación de carga: para controlar el encendido/apagado de cargas de alta corriente
Protección de polaridad inversa: evita que los circuitos dañinos dañen la conexión inversa de la batería
Gestión del camino de alimentación: conmutación sin interrupciones en múltiples sistemas de alimentación
Circuitos de precarga: limita la corriente de carga del condensador y protege a los contactores

2. Aplicaciones de motor
Con su alta capacidad de corriente y baja resistencia, el IPD50P04P4L-11 es ideal para su uso en:

Dispositivos de motor de corriente continua pequeños
Control del motor paso a paso
Motor de propulsión de ventilador/bomba
Accesorios para asiento eléctrico/ventanas

3. Topologías de puente H
En los circuitos de puente H que requieren control bidireccional, el IPD50P04P4L-11 se puede utilizar con MOSFET de canal N para lograr:

Control del motor de CC hacia adelante y hacia atrás
Acción de las válvulas electrónicas
Otras aplicaciones que requieren corriente bidireccional