Infineon IPD70R600P7S Transistor MOSFET de potencia de canal N CoolMOS™ de 700V
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., como proveedor profesional de componentes electrónicos, proporciona MOSFETs de potencia IPD70R600P7S genuinos.
El IPD70R600P7S MOSFET de potencia CoolMOS™ P7 de 700V, un transistor de canal N que utiliza tecnología de super-unión, ofrece un rendimiento de conmutación excepcional y un costo de sistema optimizado, lo que lo convierte en una opción ideal para una conversión de energía eficiente en electrónica de consumo y aplicaciones industriales.
El IPD70R600P7S no solo hereda las características de baja pérdida de la serie CoolMOS, sino que también logra avances significativos en la facilidad de uso y la integración del sistema, proporcionando soluciones sobresalientes para aplicaciones como cargadores, adaptadores y sistemas de iluminación.
【IPD70R600P7S Descripción general del producto】
La serie Infineon CoolMOS™ P7 representa un avance significativo en la tecnología MOSFET de potencia de alto voltaje. Utilizando la tecnología de super-unión pionera de Infineon, esta serie está optimizada específicamente para aplicaciones sensibles a los costos dentro del mercado de electrónica de consumo.
Como el dispositivo de 700V dentro de esta serie, el IPD70R600P7S logra un excelente equilibrio entre rentabilidad y facilidad de uso.
El IPD70R600P7S plataforma CoolMOS P7 de 700V está dirigida a aplicaciones sensibles a los costos, como cargadores de teléfonos móviles, adaptadores de corriente, iluminación LED y fuentes de alimentación de televisores.
Estas aplicaciones exigen dispositivos de conversión de energía capaces de operar a altas frecuencias de conmutación manteniendo una baja elevación de temperatura y una alta fiabilidad.
La tecnología CoolMOS P7 alcanza los más altos estándares de eficiencia, soportando diseños de alta densidad de potencia para ayudar a los ingenieros a realizar soluciones de energía más delgadas y compactas.
【IPD70R600P7S Parámetros clave y características eléctricas】
El IPD70R600P7S cuenta con varias características eléctricas impresionantes que lo distinguen de sus pares.
Alojado en un encapsulado TO-252, el IPD70R600P7S ocupa un espacio mínimo en la placa de circuito impreso, lo que lo hace adecuado para diseños de placas de circuito de alta densidad.
Clasificaciones de voltaje y corriente: Con un voltaje drenaje-fuente (Vdss) de hasta 700V y una corriente de drenaje continua (Id) de 8.5A, se adapta a diversos entornos de aplicaciones de alto voltaje.
Resistencia de encendido: Bajo condiciones de prueba de 10V de voltaje puerta-fuente y 1.8A, la resistencia de encendido (RDS(on)) es de solo 600mΩ, reduciendo eficazmente las pérdidas de conducción.
Características de carga de puerta: Una carga de puerta (Qg) de 3.7 nC, combinada con una baja resistencia de encendido, logra un equilibrio óptimo entre el rendimiento de conmutación y las pérdidas de conducción.
Rango de temperatura de funcionamiento: Un amplio rango de temperatura de funcionamiento de -40°C a +150°C asegura un funcionamiento estable del dispositivo en diversos entornos hostiles.
El IPD70R600P7S MOSFET presenta un rango de voltaje puerta-fuente (Vgs) de ±16V, proporcionando un amplio margen de accionamiento. También incorpora un diodo de protección ESD integrado, mejorando la fiabilidad del sistema y el rendimiento de la producción.
【IPD70R600P7S Características estructurales e innovaciones técnicas】
El IPD70R600P7S emplea la tecnología CoolMOS™ de séptima generación de Infineon, utilizando una estructura de super-unión para superar las limitaciones de rendimiento de los MOSFETs convencionales.
La tecnología de super-unión logra mayores concentraciones de dopaje y una menor resistencia de encendido al introducir pilares de tipo p y tipo n entrelazados dentro de la región de deriva, manteniendo al mismo tiempo un alto voltaje de ruptura.
En comparación con las generaciones anteriores, la serie P7 presenta parámetros de dispositivo meticulosamente optimizados: Eoss y Qg se reducen en más del 50%, mientras que Ciss y Coss también se reducen.
Esta optimización reduce significativamente las pérdidas de conmutación, lo que permite un rendimiento superior en aplicaciones de conmutación de alta frecuencia.
El IPD70R600P7S integra además un diodo Zener para la protección contra descargas electrostáticas (ESD), con una tolerancia ESD que supera los 2kV. Esto reduce sustancialmente las fallas relacionadas con ESD durante la producción, mejorando así el rendimiento de la fabricación.
【IPD70R600P7S Ventajas de rendimiento】
Ultra alta eficiencia energética
Beneficiándose de una resistencia de encendido y una carga de puerta excepcionalmente bajas, el IPD70R600P7S logra pérdidas ultra bajas, cumpliendo con los estándares de eficiencia energética más estrictos del mundo, como Energy Star y la Directiva de Ecodiseño de la UE.
Rendimiento térmico superior
Con una potencia de disipación de 43.1W y características térmicas sobresalientes, el IPD70R600P7S permite un funcionamiento continuo en entornos de alta temperatura, reduciendo los requisitos térmicos y simplificando el diseño de gestión térmica.
Alta densidad de potencia
La capacidad de conmutación rápida y las características de baja pérdida permiten que los diseños de fuentes de alimentación funcionen a frecuencias de conmutación más altas, reduciendo significativamente el tamaño de los componentes pasivos, como transformadores y filtros.
Optimización de costos del sistema
A pesar de su excelente rendimiento, la serie CoolMOS P7 mantiene una estructura de costos competitiva. Al reducir los costos de los componentes periféricos y la gestión térmica, reduce el gasto general de la lista de materiales (BOM) del sistema.
【IPD70R600P7S Escenarios de aplicación típicos】
El IPD70R600P7S es adecuado para diversos escenarios de conversión de energía, demostrando un rendimiento excepcional, particularmente en topologías flyback.
Cargadores y adaptadores
El IPD70R600P7S es ideal para productos de energía para el consumidor, como cargadores de teléfonos inteligentes y adaptadores de corriente para portátiles. Su alta frecuencia de conmutación permite diseños más compactos y optimizados.
Controladores de iluminación LED
En los controladores de retroiluminación de televisores LED y fuentes de alimentación de iluminación LED de uso general, la alta eficiencia y el excelente rendimiento térmico del IPD70R600P7S garantizan la fiabilidad a largo plazo del sistema.
SMPS de audio
El IPD70R600P7S es adecuado para fuentes de alimentación conmutadas en equipos de audio profesionales y sistemas de audio domésticos, donde sus características de bajo ruido garantizan la integridad de la señal de audio.
Fuentes de alimentación auxiliares
El IPD70R600P7S se puede emplear en circuitos de alimentación auxiliares dentro de fuentes de alimentación industriales, proporcionando energía estable y confiable a los circuitos de control y los sistemas de monitoreo.
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