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Blog de la compañía Transistores MOSFET de potencia N-canal de 600 V

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
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Compañía El blog
Transistores MOSFET de potencia N-canal de 600 V
últimas noticias de la compañía sobre Transistores MOSFET de potencia N-canal de 600 V

En el caso de los productosSe aplicará el procedimiento de ensayo.Transistores MOSFET de potencia de canal N de 600 V

 

Descripción del productoSe aplicará el procedimiento de ensayo.
Se aplicará el procedimiento de ensayo.El MOSFET de superunión (SJ) CoolMOSTM G7 de 600 V se combina con el concepto innovador de refrigeración superior,proporcionar una solución de sistema para topologías de conmutación de alta corriente como PFC y una solución de alta eficiencia para topologías LLC.

 

Especificación deSe aplicará el procedimiento de ensayo.
Polaridad del transistor: canal N
Número de canales: 1 canal
Vds - Tensión de ruptura de la fuente de drenaje:600 V
Id - Corriente de drenaje continua:47 A
Rds encendido - Resistencia de la fuente de drenaje: 50 mOhms
Vgs - Tensión de la fuente de la puerta:- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión de umbral de la fuente de la puerta:3 V
Qg - Carga de la puerta:68 nC
Temperatura mínima de funcionamiento: - 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento: + 150 C
Pd - Disposición de energía: 278 W
Modo de canal: Mejora
Configuración:Sólo
Tiempo de caída:3 ms
Tipo de producto:MOSFET
Tiempo de elevación:6 s
Tiempo de retraso típico de apagado: 72 ms
Tiempo de retraso típico de encendido:22 ms
Peso unitario:763.560 mg

 

Características deSe aplicará el procedimiento de ensayo.
Da el mejor FOM de su clase RDS ((on) x Eoss y RDS ((on) x Qg
Concepto innovador de refrigeración en la parte superior
Configuración de la fuente de 4 pines Kelvin e inductancia de la fuente parasitaria baja
Capacidad de TCOB de >> 2.000 ciclos, conforme con MSL1 y totalmente libre de Pb

 

Beneficios deSe aplicará el procedimiento de ensayo.
Habilitar la máxima eficiencia energética
El desacoplamiento térmico de la placa y el semiconductor permite superar los límites térmicos del PCB
La reducción de la inductancia de la fuente parasitaria mejora la eficiencia y la facilidad de uso
Permite soluciones de mayor densidad de potencia
Superar los más altos estándares de calidad

 

Las aplicaciones deSe aplicará el procedimiento de ensayo.
Servicios de telecomunicaciones
El servidor
Energía solar
Potencia de PC
Las empresas de servicios de telecomunicaciones
Soluciones de inversores de cadena de una fase
Distribución de energía de 48 V
Fuentes de alimentación para trenes DIN
Electrolisis por hidrógeno
Infraestructuras de telecomunicaciones

 

Proyectos de paquete

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Tiempo del Pub : 2025-01-09 11:13:38 >> Lista de las noticias
Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Mr. Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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