Blog de la compañía INFINEON IPP051N15N5 Transistores MOSFET OptiMOSTM 5 de potencia de 150 V de canal N

En el caso de los productosSe aplicará el procedimiento siguiente:Transistores MOSFET de potencia 5 de 150 V de canal N OptiMOSTM

Descripción del productoSe aplicará el procedimiento siguiente:
Se aplicará el procedimiento siguiente: Los MOSFET de potencia OptiMOSTM 5 150 V son particularmente adecuados para accionamientos de baja tensión como carretillas elevadoras y patinetes eléctricos, así como para aplicaciones de telecomunicaciones y de energía solar.Se aplicará el procedimiento siguiente:ofrecer una reducción significativa de R DS ((on) (hasta un 25% en comparación con la siguiente mejor alternativa en SuperSO8) y Q rr sin comprometer FOM gd y FOM OSS,Reducción efectiva del esfuerzo de diseño y optimización de la eficiencia del sistemaAdemás, la carga de recuperación inversa ultrabaja (Q rr = 26 nC en SuperSO8) aumenta la robustez de conmutación.

Características deSe aplicará el procedimiento siguiente:
Bajar la R DS ((on) sin comprometer los valores de FOM gd y FOM oss
Carga de salida más baja
Carga de recuperación inversa muy baja
Aumento de la robustez de la conmutación
Es posible una frecuencia de conmutación más alta

Beneficios deSe aplicará el procedimiento siguiente:
Paralelo reducido
Reducción de tamaño habilitada con SuperSO8, mejor de su clase
Diseños de mayor densidad de potencia
Productos más resistentes
Reducción de los costes del sistema
Mejora del comportamiento de la EMI

Las aplicaciones deSe aplicará el procedimiento siguiente:
Dispositivos de baja tensión
Servicios de telecomunicaciones
Energía solar
Distribución de energía de 48 V
Fuentes de alimentación para trenes DIN
Motor de propulsión de uso general - frecuencia y voltaje variables
Infraestructuras de telecomunicaciones
Fuentes de alimentación ininterrumpidas (UPS)

Proyectos de paquete deSe aplicará el procedimiento siguiente: