InfineónSe aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.Transistores MOSFET de potencia N-canal de 650V CoolMOSTM
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., también conocida como Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,En la actualidad, Infineon es un proveedor reconocido de componentes electrónicos.Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.650V CoolMOSTM MOSFET de potencia de canal N. Este producto representa el MOSFET de alta tensión líder en el mercado de segunda generación de Infineon,ofreciendo un rendimiento y una fiabilidad excepcionales que lo convierten en una opción ideal para aplicaciones industriales.
¿Qué quieres decir?Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.Resumen del producto
El IPW65R110CFD representa el CoolMOSTM MOSFET de alta tensión de segunda generación de Infineon, que emplea una tecnología avanzada de 650V con un diodo de cuerpo rápido integrado.Este dispositivo sucede a la tecnología CFD de 600 V, con el fin de mejorar aún más la eficiencia energética.
La tecnología CoolMOSTM está diseñada sobre el revolucionario principio de Super-Junction, trascendiendo las limitaciones de los MOSFET de potencia convencionales.Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.No solo hereda la alta eficiencia de la gama CoolMOSTM, sino que también presenta optimizaciones en múltiples parámetros clave.
Diseñado para ofrecer una mayor densidad de potencia y un rendimiento de conmutación superior, elSe aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.ofrece una competitividad significativamente mejor que los productos rivales debido a su comportamiento de conmutación más suave y a sus mejores características de interferencia electromagnética.Estos atributos facilitan la integración más fácil del diseño al tiempo que ofrecen un precio más competitivo.
¢Características clave y parámetros de rendimiento deSe aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.¿Qué quieres decir?
El IPW65R110CFD cuenta con varios parámetros característicos impresionantes que determinan directamente su excelente rendimiento en diversas aplicaciones:
Este MOSFET cuenta con un voltaje de ruptura de la fuente de drenaje (VDS) de hasta 650V, proporcionando un amplio margen de seguridad.mientras que la corriente de drenaje de pulso (IDM) alcanza su punto máximo en 99.6A.
Su resistencia máxima de descarga (RDS)) es de 110mΩ (probada a tensión de puerta de 10V), con valores típicos aún más bajos.
ElSe aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.utiliza un paquete TO-247 con una carga típica de la puerta (Qg) de 118 nC (@ 10V). Esta baja carga de la puerta reduce significativamente las pérdidas de conmutación.que demuestren una capacidad de manejo de potencia excepcional.
El IPW65R110CFD también incorpora un diodo de carrocería ultrarrápido con una carga de recuperación inversa extremadamente baja (Qrr),que permite limitar el exceso de voltaje durante el cambio de tensión y, por lo tanto, mejorar la fiabilidad del sistema.
¿Qué quieres decir?Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.Características del producto
El IPW65R110CFD emplea la avanzada tecnología CoolMOSTM CFD2 de Infineon con un diodo de cuerpo rápido integrado, lo que ofrece mejoras significativas de eficiencia en comparación con las generaciones anteriores.
Las características clave incluyen:
Capacidad de alto voltaje: 650V de voltaje de ruptura de la fuente de drenaje (VDS) proporciona un margen de diseño adicional.
Baja resistencia de encendido: el máximo RDS ((on) de 110mΩ (a 10V VGS) reduce eficazmente las pérdidas de conducción.
Capacidad de manejo de alta corriente: corriente de drenaje continua (ID) de hasta 31.2A, con corriente de pulso (IDpuls) que alcanza 99.6A.
Rendimiento de conmutación rápido: las pérdidas de conmutación se reducen significativamente gracias a la baja carga de la puerta (Qg de solo 118nC) y la baja carga de recuperación inversa (Qrr).
Características térmicas superiores: disipación de potencia máxima de 277,8W con resistencia térmica (RthJC) tan baja como 0,45K/W. Utiliza el paquete TO-247 clásico para una gestión térmica sencilla.
¿Qué quieres decir?Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.Ventajas clave
ElSe aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.trasciende un MOSFET estándar, ofreciendo múltiples beneficios de diseño:
Un comportamiento de conmutación más suave y un rendimiento superior de interferencia electromagnética (EMI), que ofrece distintas ventajas sobre las soluciones competidoras.
Baja Qrr durante el cambio repetitivo del diodo del cuerpo, reduciendo efectivamente las pérdidas de cambio.
Capacidad de di/dt y dv/dt de autolimitación, mejorando la fiabilidad del sistema.
Se ha reducido significativamente la Qg en comparación con la tecnología CFD de 600 V, con un comportamiento de conmutación mejorado y un precio más competitivo.
¿Qué quieres decir?Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.Dominios de aplicación
El IPW65R110CFD es adecuado para diversas aplicaciones de alta potencia y alta eficiencia:
Dentro de la infraestructura de comunicaciones, como las estaciones base de telefonía celular, su alta eficiencia contribuye a reducir los costes operativos y mejorar la fiabilidad del sistema.
Las fuentes de alimentación de servidores representan otro área de aplicación crítica, donde las crecientes demandas de energía de los centros de datos crean una necesidad urgente de conversión eficiente de energía.
En el sector de las energías renovables, como los inversores solares, laSe aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos.La capacidad de alta tensión y la eficiencia lo convierten en una opción ideal.
La infraestructura de carga de vehículos eléctricos, en particular las estaciones de carga rápida, también se beneficia de la gran capacidad y eficiencia de este dispositivo.
Además, puede utilizarse en aplicaciones que incluyen balastos de lámparas HID, iluminación LED y soluciones de movilidad eléctrica.
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