Blog de la compañía INFINEON IQE057N10NM6CGSC Transistor de 6 MOSFETs OptiMOSTM de canal N

En el caso de los productosEl número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo es el siguiente:Transistores de MOSFETs OptiMOSTM 6 de canal N

Descripción del productoEl número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo es el siguiente:
El IQE057N10NM6CGSC es un transistor OptiMOSTM 6 MOSFETs de canal N de 100 V.

Especificaciones deEl número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo es el siguiente:
Polaridad del transistor: canal N
Número de canales: 1 canal
Vds - Tensión de ruptura de la fuente de drenaje:100 V
Id - Corriente de drenaje continua:98 A
Rds encendido - Resistencia de la fuente de drenaje:5.7 mOhms
Vgs - Tensión de la fuente de la puerta:- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión de umbral de la fuente de la puerta:3.3 V
Qg - Carga de la puerta:26 nC
Temperatura mínima de funcionamiento: - 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento: + 175 C
Pd - Disposición de energía:125 W
Modo de canal: Mejora
Tiempo de caída:4.6 ns
Tipo de producto:MOSFET
Tiempo de elevación:1.9 s
Tiempo de retraso típico de apagado:12 ms
Tiempo de retraso típico de encendido:5.6 ns

Características delEl número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo es el siguiente:
N-canal, nivel normal
Rps (en) de resistencia muy baja
Excelente precio de entrada X Ros ((on) producto (FOM)
Carga de recuperación inversa muy baja (Qr)
Calificación de energía de avalancha alta
Temperatura de funcionamiento de 175°C
Optimizado para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona
Revestimiento con plomo libre de Pb; conforme a la Directiva RoHS
Sin halógenos de acuerdo con la norma IEC 61249-2-21
MSL 1 clasificado de acuerdo con la J-STD-020

Proyecto de acciónEl número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo es el siguiente: