Blog de la compañía Transistores MOSFET de potencia de canal P de 30 V de INFINEON IRF7328TRPBF

En el caso de los productosEl número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo será el siguiente:Transistores MOSFET de potencia de canal P de 30 V

Descripción del productoEl número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo será el siguiente:

El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo será el siguiente:Los MOSFET de potencia utilizan procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia cartera de dispositivos para soportar diversas aplicaciones como motores de CC, inversores, SMPS, iluminación,los interruptores de carga, así como las aplicaciones alimentadas por baterías.

Los nuevos MOSFET de potencia HEXFET® utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio.combinado con el diseño del dispositivo robusto que los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos por, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en aplicaciones de gestión de baterías y carga.

Características delEl número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo será el siguiente:
Tecnología de zanjas
Resistencia muy baja
MOSFET de doble canal P
Disponible en cinta y bobina
Sin plomo

Las aplicaciones deEl número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo será el siguiente:
Dispositivos móviles y smartphones

Cintas y bobinas de SO-8