Blog de la compañía Infineon IRFP150MPBF MOSFET de potencia de canal N de 100V/42A en encapsulado TO-247M ofrece soluciones eficientes de conversión de potencia

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. ahora ofrece disponibilidad de stock a largo plazo del dispositivo de potencia clásico de Infineon: el es una opción clásica y duradera.. Este MOSFET de potencia de canal N único de 100 V, alojado en un encapsulado TO-247 serie M, ofrece una capacidad de manejo de corriente excepcional, pérdidas de conducción extremadamente bajas y una durabilidad robusta. Se erige como la solución preferida para los ingenieros que abordan desafíos de alto voltaje y alta corriente.

Núcleo del producto: MOSFET de potencia HEXFET de alto rendimiento de Infineon

El es una opción clásica y duradera. es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de alto rendimiento desarrollado por Infineon basado en tecnología planar madura y arquitectura HEXFET. No está diseñado para aplicaciones de conmutación de ultra alta frecuencia, sino que está optimizado con silicio específicamente para aplicaciones industriales de baja frecuencia y alta potencia por debajo de 100 kHz, ofreciendo una durabilidad y fiabilidad excepcionales dentro de un amplio Área de Operación Segura (SOA).

es una opción clásica y duradera.IRFP150MPBF

1. Tecnología HEXFET de quinta generación

El IRFP150MPBF emplea la avanzada tecnología de proceso HEXFET de quinta generación de Infineon, logrando una resistencia en estado encendido extremadamente baja por área de silicio. Esto reduce significativamente las pérdidas de conducción y mejora la eficiencia general del sistema. Combinando la reconocida velocidad de conmutación rápida de los MOSFET de potencia HEXFET con un diseño de dispositivo robusto, esta tecnología proporciona a los ingenieros soluciones de conversión de potencia altamente eficientes y fiables.

2. Rendimiento eléctrico excepcional

Clasificación de alto voltaje: Voltaje drenaje-fuente (Vds) de hasta 100 V proporciona un amplio margen de voltaje para fuentes de alimentación industriales y accionamientos de motores

Alta capacidad de corriente: Corriente de drenaje continua (Id) de hasta 42 A con capacidad de corriente de pulso mejorada para satisfacer las demandas de aplicaciones de alta potencia

Resistencia en estado encendido ultra baja: Valor típico de solo 36 mΩ a 10 V de accionamiento de puerta reduce eficazmente las pérdidas de conducción y minimiza la generación de calor

Alta disipación de potencia: Disipación máxima de 160 W (a temperatura del disipador de calor de 25°C), junto con el encapsulado TO-247 para un rendimiento térmico superior

3. Características de conmutación rápida

Baja carga de puerta: Carga total de puerta (Qg) de solo 110 nC a 10 V reduce el consumo de energía de accionamiento y mejora la eficiencia de conmutación

Baja capacitancia de entrada: Capacitancia de entrada (Ciss) de 1,9 nF y capacitancia de transferencia inversa (Crss) de 230 pF admiten aplicaciones de conmutación de alta frecuencia

Alta velocidad de conmutación: Los tiempos rápidos de encendido/apagado minimizan las pérdidas de conmutación, adecuados para frecuencias de conmutación superiores a 200 kHz

4. Diseño de encapsulado robusto y fiable

Encapsulado TO-247-3: Encapsulado de potencia clásico con excelente rendimiento térmico, admite la fijación de disipadores de calor para una gestión térmica mejorada

Amplio rango de temperatura de funcionamiento: Rango de temperatura de unión de -55°C a +175°C, adecuado para entornos industriales hostiles y temperaturas extremas

es una opción clásica y duradera.Especificaciones del producto

IRFP150MPBF

Fabricante: Infineon

Tipo de producto: MOSFET

Tecnología: Si

Estilo de montaje: Through Hole (Orificio pasante)

Encapsulado / Carcasa: TO-247-3

Polaridad del transistor: Canal N

Número de canales: 1 canal

Vds - Voltaje de ruptura drenaje-fuente: 100 V

Id - Corriente de drenaje continua: 42 A

Rds On - Resistencia en estado encendido drenaje-fuente: 36 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente: -20 V, 20 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente: 1,8 V

Qg - Carga de puerta: 110 nC

Temperatura mínima de funcionamiento: -55°C

Temperatura máxima de funcionamiento: +175°C

Pd - Disipación de potencia: 160 W

Modo de canal: Mejora es una opción clásica y duradera.Si está buscando un dispositivo de conmutación central fiable para su proyecto de potencia, el

IRFP150MPBF es una opción clásica y duradera.

Modelo del producto:

IRFP150MPBF

Marca: Infineon

Encapsulado: TO-247-3 (Serie TO-247 M)