Blog de la compañía Infineon lanza el N-Channel OptiMOSTM Power MOSFET IPB038N12N3G

Hoy, Infineon presenta el MOSFET de potencia OptiMOSTM de canal N-IPB038N12N3G es el MOSFET de potencia líder que ofrece las soluciones de mayor densidad de energía y eficiencia energética.Las cargas de entrada y salida ultrabajas y la resistencia de encendido más baja en un paquete de tamaño pequeño los hacen ideales para satisfacer los requisitos exigentes de las soluciones de regulación de voltaje en servidoresLos FET de control de conmutación ultrarrápido y los FET sincrónicos de bajo EMI proporcionan soluciones fáciles de diseñar.Los MOSFET de potencia OptiMOSTM de canal N de Infineon proporcionan una excelente carga de puerta y están optimizados para la conversión CC-DC.

Introducción

La familia OptiMOSTM de 120 V ofrece la resistencia de encendido más baja y el rendimiento de conmutación más rápido de la industria para una amplia gama de aplicaciones, lo que permite un rendimiento excelente.La tecnología OptiMOSTM de 120 V abre nuevas posibilidades para ayudar a lograr soluciones optimizadas.

Descripción de las características

Rendimiento de conmutación superior

El más bajo del mundo (RDs(on))

Qg y Qgd muy bajos

Impuesto de entrada en vigor x R DS ((on) productos (FOM)

Compatible con la Directiva RoHS - libre de halógenos

Calificación MSL1 2

Especificación

Fabricante: Infineon

Categoría de productos: MOSFET

Tecnología: Si

Tipo de montaje: SMD/SMT

Envase / estuche: D2PAK-3 (TO-263-3)

Polaridad del transistor: canal N

Número de canales: 1

Vds-Drain-source voltaje de ruptura: 120 V

Id. Corriente de escape continua: 120 A

Rds Resistencia de descarga: 3,2 mOhms

Vgs - tensión de la fuente de la puerta: - 20 V, + 20 V

Vgs th - voltaje umbral de la fuente de la puerta: 2 V

Carga de la puerta Qg: 211 nC

Temperatura mínima de funcionamiento: - 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento: + 175 C

Disposición de energía Pd: 300 W

Modo de canal: Mejoramiento

Marca: OptiMOS

Serie: OptiMOS 3

Configuración: único

Tiempo de caída: 21 ns

Transconductividad hacia adelante - min: 83 S

Altura: 4,4 mm

Duración: 10 mm

Tipo de producto: MOSFET

Tiempo de elevación: 52 ns

Paquete de fábrica Cantidad: 1000

Subcategoría: MOSFETs

Tipo de transistor: 1 canal N

Tiempo típico de retraso de apagado: 70 ns

Tiempo de retraso típico de encendido: 35 ns

Ancho: 9,25 mm

Sobre las Tecnologías Infineon

Infineon es una empresa líder mundial de tecnología de semiconductores comprometida con la creación de un mundo más conveniente, seguro y respetuoso con el medio ambiente.Ofrecemos una amplia gama de soluciones de semiconductores que permiten una gestión eficiente de la energía, movilidad inteligente, y comunicaciones seguras e ininterrumpidas que conectan los mundos real y digital.