Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.es un proveedor especializado en componentes electrónicos, que ofrece disponibilidad de stock a largo plazo del MOSFET de potencia de canal N de alto rendimiento de Infineon, el IPB117N20NFD. Este producto pertenece a la serie OptiMOS™ FD, reconocida por su rendimiento excepcional y alta fiabilidad, lo que lo hace ampliamente aplicable en diversas aplicaciones de alta potencia.
IPB117N20NFD Descripción general del producto
El IPB117N20NFD es un transistor MOSFET de potencia de canal N de Infineon Technologies, que utiliza la avanzada tecnología OptiMOS™ FD (Fast Diode).
Este IPB117N20NFD de 200V pertenece a la serie OptiMOS™ FD, optimizado específicamente para la conmutación brusca del diodo del cuerpo.
El IPB117N20NFD utiliza un encapsulado TO-263-3 (también conocido como D2PAK), adecuado para la tecnología de montaje en superficie, lo que facilita la soldadura y el montaje eficientes en líneas de producción automatizadas.
IPB117N20NFD Parámetros clave de rendimiento
Tensión Drain-Source (VDS): 200V
Resistencia máxima en estado ON (FOS(uv)): 11.7mΩ
Corriente de drenaje continua (ID): 84A (a Tc=25°C)
Corriente de drenaje de pulso: 336A (a Tc=25°C, I0=67A, R0B=25Ω)
dv/dt pico del diodo inverso: 60kV/μs (a ln=160A, V0B=100V, dir/t=1500A/μs, Tjmax=175°C)
Tensión Gate-Source (VGS): -20V a 20V
Disipación de potencia (Pd): 300W (a Tc=25°C)
Rango de temperatura de funcionamiento: -55°C a 175°C
Características del producto
El IPB117N20NFD integra múltiples tecnologías avanzadas, ofreciendo las siguientes características clave:
Robustez mejorada: Optimizado para la resistencia bajo conmutación brusca del diodo del cuerpo, mejorando la fiabilidad del sistema en entornos de conmutación difíciles.
Tecnología de diodo rápido: Incorpora tecnología de diodo rápido (FD) de bajo Qrr, lo que reduce significativamente la carga y el tiempo de recuperación inversa para un rendimiento superior en aplicaciones como fuentes de alimentación conmutadas.
Eficiencia energética y densidad de potencia: Con parámetros Rds(on) y Qg líderes en la industria, el IPB117N20NFD logra una mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia, lo que permite a los diseñadores reducir la huella del producto.
Cumplimiento ambiental y seguridad: Cumple con RoHS y está libre de halógenos, el IPB117N20NFD cumple con los estrictos requisitos ambientales para la electrónica moderna, al tiempo que ofrece excelentes características de temperatura y estabilidad a largo plazo.
Escenarios de aplicación
El IPB117N20NFD encuentra una amplia aplicación en múltiples dominios, incluyendo:
Equipos de telecomunicaciones: Ofreciendo una gestión de energía de alta eficiencia.
Fuentes de alimentación industriales: Garantizando una entrega de energía estable.
Amplificadores de audio Clase D: Mejorando el rendimiento en dispositivos de audio.
Control de motores: Regulando con precisión el funcionamiento del motor.
Inversores CC-CA: Permitiendo una conversión de energía eficiente.
Tipo de encapsulado
El IPB117N20NFD utiliza un encapsulado PG-TO 263-3, que ofrece ventajas de ahorro de espacio junto con facilidad de instalación y manejo.
Resumen
El MOSFET de potencia Infineon IPB117N20NFD suministrado por Mingjiada Electronics representa un MOSFET de canal N de 200V de alto rendimiento y versátil. Su baja resistencia en estado ON, alta velocidad de conmutación y baja tensión de encendido proporcionan una solución fiable para diversas aplicaciones de alta potencia. Ya sea en telecomunicaciones, fuentes de alimentación industriales o equipos de audio, el IPB117N20NFD satisface las demandas de los usuarios de MOSFET de potencia de alto rendimiento.
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