Blog de la compañía Transistores de potencia de Infineon STW14NK50Z N-canal 500V - 0,34 Ohm - 14A - MOSFET de potencia TO-247

MOSFET de suministro de energía de Mingjiada ElectronicsSe trata de un sistema de control de velocidad.N-canal 500V - 0,34 Ohm - 14A - TO-247 SuperMESH ((TM) con tubo de ZenerProtección

Descripción deSe trata de un sistema de control de velocidad.

La serie SuperMESHTM es el resultado de una optimización extrema del diseño de banda PowerMESHTM de ST.Se ha prestado especial atención para garantizar una excelente capacidad de dv/dt para las aplicaciones más exigentesEsta serie complementa la gama completa de MOSFET de alto voltaje de ST, incluidos los revolucionarios productos MDmeshTM.

Todas las características OfSe trata de un sistema de control de velocidad.

• Capacidad de transmisión de DVD/dt muy alta
• Minimización de las tarifas de entrada
• Prueba de avalancha del 100%
• Muy buena repetibilidad de fabricación
• Capacidad intrínseca muy baja

Las solicitudes OfSe trata de un sistema de control de velocidad.

• Cambiar de aplicación

Propiedades del productoSe trata de un sistema de control de velocidad.

• Fabricante: STMicroelectronics
• Categoría de producto: MOSFET
• Tecnología: Si
• Estilo de montaje: a través del agujero
• Paquete / Cuestión: TO-247-3
• Polaridad del transistor: canal N
• Número de canales: 1
• Vds-Drain-source voltaje de ruptura: 500 V
• Id. Corriente de escape continua: 14 A
• Rds Resistencia de descarga: 380 mOhms
• Vgs - tensión de la fuente de la puerta: - 30 V, + 30 V
• Vgs th - voltaje umbral de la fuente de la puerta: 3 V
• Carga de la puerta Qg: 92 nC
• Temperatura mínima de funcionamiento: - 55 C
• Temperatura máxima de funcionamiento: + 150 C
• Disposición de energía Pd: 150 W
• Modo de canal: Mejoramiento
• Embalaje: tubo
• Marca: STMicroelectronics
• Configuración: único
• Tiempo de caída: 12 ns
• Transconductividad hacia adelante - min: 12 S
• Alturas: 20,15 mm
• Duración: 15,75 mm
• Tipo de producto: MOSFET
• Tiempo de elevación: 16 ns
• Subcategoría: Transistores
• Tipo de transistor: 1 canal N
• Tipo: MOSFET
• Tiempo típico de retraso de apagado: 54 ns
• Tiempo de retraso típico de encendido: 24 ms
• Ancho: 5,15 mm

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El teléfono: 13410018555

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Preguntas frecuentes

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