Blog de la compañía Tecnologías Infineon Semiconductores discretos IGLR60R190D1XUMA1 CoolGaNTM 600V GIT HEMT

La Comisión consideró que los importes procedentes de China no constituían ayuda estatal en el sentido del artículo 2 del Reglamento de base. supplies Infineon Technologies Discrete Semiconductors IGLR60R190D1XUMA1 CoolGaN™ 600V Gate Injection Technology (GIT) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) with fast on and off speeds and minimal switching losses.

Introducción

Esta familia de transistores de potencia de modo de mejora de GaN está disponible en el paquete de montaje de superficie ThinPAK 5x6 y es ideal para aplicaciones que requieren un dispositivo compacto que no requiere un disipador de calor.Los HEMT GIT CoolGaNTM 600V de Infineon Technologies tienen un tamaño pequeño de 5 mm x 6 mm2 y una altura fina de 1 mm, por lo que son ideales para lograr altas densidades de potencia.

Características

• Transistor de modo de mejora, con interruptor normalmente cerrado
• GaN HEMT en un pequeño paquete SMD sin plomo
• GaN certificado por encargo
• Velocidad de conmutación ultra rápida
• No se aplicará ningún cargo por recuperación inversa
• con una capacidad de conducción inversa
• Baja carga de puerta, baja carga de salida
• Excelencia en la tolerancia a la conmutación
• Mejora de la eficiencia del sistema
• Aumento de la densidad de potencia
• Soporta frecuencias de funcionamiento más altas
• Menor coste del sistema
• Reducción del IME
• Conforme a las normas JEDEC (JESD47 y JESD22) para aplicaciones industriales
• Sin plomo, sin halógenos, conforme con la Directiva RoHS

Datos técnicos

Categoría de productos: MOSFET

Tecnología: GaN

Tipo de montaje: SMD/SMT

Envase / estuche: TSON-8

Polaridad del transistor: canal N

Número de canales: 1

Vds - tensión de ruptura de la fuente de drenaje: 800 V

Id. Corriente de escape continua: 12,8 A

Rds Resistencia de descarga: 190 mOhms

Vgs - tensión de la fuente de la puerta: - 10 V, + 10 V

Vgs voltaje umbral de la fuente de la puerta: 900 mV

Carga de la puerta Qg: 3,2 nC

Temperatura mínima de funcionamiento: - 40 °C

Temperatura máxima de funcionamiento: + 150 C

Disposición de energía Pd: 55,5 W

Modo de canal: Mejoramiento

Marca registrada: CoolGaN

Serie: CoolGaN 600V

Configuración: único

Tiempo de caída: 14 ns

Tiempo de elevación: 12 ns

Tiempo típico de retraso de apagado: 13 ms

Tiempo de retraso típico de encendido: 16 ns

Casa de la Compañía:La Comisión ha adoptado una decisión sobre la aplicación de la presente Decisión.