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Blog de la compañía IRFP3206 MOSFET de potencia de canal N: Un análisis detallado del transistor de efecto de campo de alto rendimiento de 60V/200A

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Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
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Compañía El blog
IRFP3206 MOSFET de potencia de canal N: Un análisis detallado del transistor de efecto de campo de alto rendimiento de 60V/200A
últimas noticias de la compañía sobre IRFP3206 MOSFET de potencia de canal N: Un análisis detallado del transistor de efecto de campo de alto rendimiento de 60V/200A

Shenzhen Mingjiada Electronics, distribuidor de Infineon, tieneLas condiciones de los requisitos de la norma IRFP3206MOSFET de potencia StrongIRFETTM de un solo canal N de 60 V en stock, en embalaje TO-247.


- ¿ Qué?Las condiciones de los requisitos de la norma IRFP3206Resumen del producto

ElLas condiciones de los requisitos de la norma IRFP3206es un MOSFET de potencia de canal N de la serie HEXFET® de Infineon Technologies.que presenta una resistencia de encendido extremadamente baja y un rendimiento de conmutación excepcionalEste dispositivo, instalado en un paquete TO-247AC, está diseñado específicamente paraaplicaciones de conversión de potencia de alta eficiencia y es reconocido mundialmente como uno de los MOSFET de potencia TO-247 con la resistencia de encendido más baja en la clase de voltaje de 60 V.


Como dispositivo de conmutación de alta potencia, el IRFP3206 tiene un rendimiento particularmente bueno en aplicaciones como rectificación síncrona de alta eficiencia, fuentes de alimentación ininterrumpidas,circuitos de alta frecuencia de conmutación de energía de alta velocidad y conmutación de alta frecuencia de alta frecuenciaEste producto está certificado RoHS y libre de plomo, cumpliendo con la normativa ambiental vigente.

 

II. Las condiciones de trabajoLas condiciones de los requisitos de la norma IRFP3206Principales especificaciones técnicas

Fabricante: Infineon

Modelo de producto:Las condiciones de los requisitos de la norma IRFP3206

Tipo de FET: canal N

Tecnología: MOSFET (semiconductor de óxido metálico)

Ventilación de la fuente de drenaje (Vdss): 60V

Corriente de drenaje continua (Id): 120A (límite del paquete) / 200A (límite de la oblea)

Corriente de escape de pulso: 840A

RDS de resistencia encendida (tipo): 2,4 mΩ

Resistencia máxima de encendido RDS ((en): 3,0 mΩ @ 75 A, 10 V

La tensión de umbral de la puerta Vgs ((th): 4 V @ 150 μA

Carga de la puerta Qg: 170 nC @ 10 V

Capacidad de entrada Ciss: 6540 pF @ 50 V

Capacidad de salida: 720 pF

Capacidad de transferencia inversa Crss: 360 pF

Disposición de energía Pd: 280 W

Ventaja de la fuente de entrada Vgs: ±20 V

Intervalo de temperatura de funcionamiento: -55 °C a +175 °C

Tipo de embalaje: TO-247AC (montaje a través de un orificio)

Embalaje: en tubos, 25 por tubo


III. El Consejo EuropeoLas condiciones de los requisitos de la norma IRFP3206Características y ventajas del producto

1. Resistencia extremadamente baja

El IRFP3206 logra una resistencia de encendido tan baja como 2,4 mΩ (típica) bajo un accionamiento de puerta de 10 V, con un máximo de solo 3,0 mΩ.Este RDS extremadamente bajo resulta en menores pérdidas de conducción y una mayor eficiencia del sistema, por lo que es particularmente adecuado para aplicaciones de conversión de potencia de alta corriente.

2Capacidad de carga de alta corriente

La matriz de silicio permite una corriente de drenaje continua de hasta 200 A, mientras que el paquete está calificado para 120 A; las corrientes de pulso pueden alcanzar los 840 A, satisfaciendo las demandas de aplicaciones de alta potencia.

3- Excelente avalancha y robustez

El dispositivo presenta una robustez mejorada de la puerta, la avalancha y la robustez dinámica dV/dt, lo que le permite resistir eficazmente los picos de voltaje y las sobretensiones transitorias en el circuito,Mejorando así la fiabilidad del sistema.

4Capacidad totalmente caracterizada y SOA de avalancha

Las características de capacidad completamente caracterizadas y el área de operación segura para avalanchas (SOA) proporcionan a los ingenieros referencias de diseño precisas, reduciendo los riesgos de diseño.

5Capacidades mejoradas de diodo corporal

Las capacidades mejoradas de los diodos de carrocería dV/dt y dI/dt reducen las pérdidas de recuperación inversa en aplicaciones como la rectificación síncrona.

6. Paquete TO-247AC estándar de la industria

El paquete TO-247AC de agujero a través ofrece un excelente rendimiento térmico y resistencia mecánica, lo que facilita el diseño de PCB y el diseño térmico.


- ¿Qué es esto?Las condiciones de los requisitos de la norma IRFP3206Áreas de aplicación típicas

Gracias a su alta capacidad de corriente, baja resistencia y excepcional robustez, el IRFP3206 se utiliza ampliamente en las siguientes áreas:

Rectificación síncrona de alta eficiencia en fuentes de alimentación de modo de interrupción (SMPS): la resistencia de encendido extremadamente baja mejora significativamente la eficiencia de conversión de potencia

Fuentes de alimentación ininterrumpidas (UPS): La alta capacidad de carga de corriente y el excelente rendimiento térmico aseguran el funcionamiento estable de los sistemas UPS

Interruptores de alta velocidad: adecuados para circuitos de conversión de potencia que requieren operaciones de conmutación rápidas

Circuitos de conmutación dura y de alta frecuencia: Las características de conmutación superiores cumplen con los requisitos de funcionamiento de alta frecuencia

Motor de transmisión de corriente continua: la capacidad de alta corriente es adecuada para el control del motor de alta potencia

Sistemas de gestión de la batería: bajas pérdidas de resistencia prolongan la vida útil de la batería

Inversores y convertidores CC-CC: ampliamente utilizados en varias topologías de conversión de potencia


Datos de contacto

Nombre de la empresa: Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Dirección de la empresa: Salas 12391241, Edificio New Asia Guoli, calle Zhenzhong, distrito de Futian, Shenzhen, provincia de Guangdong

El teléfono: 86-755-83294757 / 13410018555

El correo electrónico: sales@hkmjd.com

Página web oficial:La Comisión ha adoptado una decisión sobre la aplicación de la presente Decisión.

Tiempo del Pub : 2026-09-03 10:21:39 >> Lista de las noticias
Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Mr. Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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