Mingjiada Electronics ha estado suministrando y comprando Infineon usadoEl valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.Este dispositivo está específicamente optimizado para aplicaciones de convertidores DC-DC de alta densidad de potencia en telecomunicaciones y servidores de centros de datos.Siéntase libre de ponerse en contacto con nosotros para obtener más información..
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.Resumen del producto
ElEl valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.es un MOSFET de potencia de nivel lógico de canal N de 80 V de la serie OptiMOSTM 5 de Infineon, con un innovador paquete PQFN 3.3 × 3.3 Source-Down.Resistencia a encendido ultrabaja (RDS(on)) a 25 °C y rendimiento térmico excepcional, este dispositivo es una opción ideal para productos de alimentación de conmutación de alta densidad de potencia (SMPS), particularmente para aplicaciones de convertidores CC-DC en telecomunicaciones y servidores de centros de datos.
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.Ventajas técnicas clave
Revolucionaria tecnología de descarga desde la fuente
OptiMOSTM Source-Down utiliza la tecnología interna de silicona flip-chip, que ofrece ventajas significativas sobre los envases tradicionales: mejor rendimiento térmico, mayor densidad de energía,y mayor flexibilidad de diseñoEste diseño acorta el camino de disipación de calor del chip y reduce la resistencia térmica, mejorando efectivamente la fiabilidad del sistema.
Resistencia de encendido muy baja
El IQE046N08LM5 cuenta con una resistencia máxima de encendido (RDS ((on)) de solo 4,6 mΩ a VGS = 10 V, lo que representa una reducción de aproximadamente el 30% en comparación con los productos que utilizan tecnologías similares.Baja resistencia se traduce en menores pérdidas de conducción y menor generación de calor, mejorando directamente la eficiencia de conversión de energía.
Unidad de nivel lógico
Este dispositivo admite unidad de nivel lógico, lo que permite voltajes más bajos de unidad de puerta (compatible con unidad de 4,5 V), lo que reduce las cargas de puerta Qrr y QOSS al tiempo que simplifica la selección y el diseño del controlador de puerta.
Configuración paralela optimizada
Con un diseño de paquete Center-Gate, este dispositivo está específicamente optimizado para el funcionamiento paralelo de múltiples MOSFET, ayudando a simplificar las configuraciones paralelas y mejorar el intercambio de corriente.
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.Parámetros clave
Válvula de descarga (VDS): 80 V
Corriente de drenaje continua (ID @ 25°C): 99 A
Corriente de escape máxima (IDpuls): 396 A
La resistencia de encendido RDS ((encendido) (@10V, máximo): 4,6 mΩ
La resistencia de encendido RDS ((encendido) (@4,5V, máximo): 5,9 mΩ
Carga de la puerta Qg (típica @10V): 38 nC
Carga de la puerta Qg (@4,5V): 19 nC
Disposición de energía (Ptot): 100 W
Rango de temperatura de funcionamiento: -55°C a +175°C
Tipo de paquete: PQFN 3.3×3.3 Fuente descendente
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.Principales aplicaciones
Conversores de CC-DC para telecomunicaciones y servidores
El IQE046N08LM5 está diseñado específicamente para productos SMPS de alto rendimiento y sirve como el dispositivo de alimentación central en módulos de conversión CC-DC para equipos de telecomunicaciones y servidores de centros de datos.Con el crecimiento continuo de la demanda de energía para los servidores y centros de datos de IA (la tasa de crecimiento anual compuesta de las fuentes de energía de los servidores de IA alcanza los 18%).8%), la necesidad de MOSFETs de alta eficiencia y alta densidad de potencia se está volviendo cada vez más urgente.
Rectificación sincrónica
Este dispositivo está optimizado para aplicaciones de rectificación síncrona en SMPS de alto rendimiento.Su baja resistencia y baja carga de la puerta le permiten reducir eficazmente las pérdidas de rectificación y mejorar la eficiencia general del suministro de energía.
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Conclusión
Con su tecnología OptiMOSTM 5 y su innovador embalaje Source-Down, el Infineon IQE046N08LM5 ha establecido un nuevo punto de referencia de rendimiento en el sector MOSFET de potencia de 80 V.Sin importar si se utilizan en convertidores de CC a CC de telecomunicaciones o módulos de potencia de servidores, ayuda a los ingenieros a lograr una mayor densidad de potencia, menores pérdidas del sistema y un diseño térmico optimizado.
Mingjiada Electronics apoya a los clientes en obtener rápidamente este dispositivo de alta potencia a través de sus servicios de cadena de suministro de alta calidad.Siéntase libre de contactarnos por teléfono o correo electrónico para preguntas sobre el suministro y el reciclaje.
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