Blog de la compañía En el caso de los productos de los que se trate, se utilizará el código de código de los Estados miembros de la UE.

La Comisión consideró que los importes procedentes de China no constituían ayuda estatal en el sentido del artículo 2 del Reglamento de base.Como proveedor profesional en el campo de los chips de memoria, ahora está suministrando un gran número de Micron originalMT3E512M32D1ZW-046 WT:BLos chips de memoria móvil de baja potencia de 16Gbit LPDDR4X en stock.MT53E512M32D1ZW-046 WT:B es la solución de memoria principal para dispositivos móviles de alto rendimiento en el mercado hoy en día.B es la solución de memoria principal para dispositivos móviles de alto rendimiento en el mercado hoy, y se utiliza ampliamente en teléfonos inteligentes, tabletas, dispositivos portátiles y otros campos.

MT3E512M32D1ZW-046 WT:BResumen del producto
El MT53E512M32D1ZW-046 WT:B es un chip de memoria LPDDR4X SDRAM de 16Gbit (2GB) de capacidad de Micron Technology. Fabricado utilizando un proceso avanzado de 1x nm, opera a un bajo voltaje de 0.6V (VDDQ),reducir aún más el consumo de energía manteniendo el alto rendimiento de LPDDR4El MT53E512M32D1ZW-046 WT:B viene en un paquete FBGA de 200 bolas (8.5 mm x 14.5 mm) y admite un ancho de bus de E / S de 32 bits con una velocidad de datos máxima de hasta 4266 Mbps.

Como producto original de Micron, el MT53E512M32D1ZW-046 WT:B cumple con la especificación estándar JEDEC LPDDR4X,y ha sido sometido a pruebas y validación rigurosas para garantizar un funcionamiento estable en una variedad de entornos adversosMingjiada Electronics garantiza que el MT53E512M32D1ZW-046 WT:B suministrado es original y genuino, con soporte completo y servicio postventa.

MT3E512M32D1ZW-046 WT:BPrincipales características
MT53E512M32D1ZW-046 Los chips de memoria WT:B tienen las siguientes características destacadas:
Diseño de energía ultrabaja: MT53E512M32D1ZW-046 WT:B adopta un funcionamiento de baja tensión de 0,6 V (VDDQ), lo que reduce el consumo de energía en aproximadamente un 10-20% en comparación con el LPDDR4 estándar,prolongación significativa de la duración de la batería de los dispositivos móviles.
velocidad de transferencia de alto rendimiento: el MT53E512M32D1ZW-046 WT:B admite velocidades de transferencia de datos de hasta 4,266 Mbps,proporcionar hasta 17 GB/s de ancho de banda para satisfacer las demandas de aplicaciones móviles de alto rendimiento.
Capacidad de almacenamiento de alta densidad: el MT53E512M32D1ZW-046 WT:B tiene una capacidad única de hasta 16Gbit (2GB), adopta una arquitectura de doble canal y admite configuraciones x32,que reduce efectivamente el área de PCB ocupada.
Tecnología de embalaje avanzada: el MT53E512M32D1ZW-046 WT:B está envasado en un paquete FBGA de 200 bolas (8,5 mm x 14,5 mm) con un grosor de solo 0,8 mm,que lo hace adecuado para diseños de dispositivos móviles con espacio limitado.
Mejora de la adaptabilidad a la temperatura: el MT53E512M32D1ZW-046 WT:B admite un rango de temperatura de grado industrial (-30 °C a +85 °C) para garantizar un funcionamiento estable en diversas condiciones ambientales.
Múltiples modos de ahorro de energía: el MT53E512M32D1ZW-046 WT:B admite tecnologías de ahorro de energía como el modo de ahorro de energía profundo (DPSM),Autoactualización de matriz parcial (PASR) y autoactualización compensada por temperatura (TCSR).
Diseño de alta fiabilidad: MT53E512M32D1ZW-046 WT:B tiene una función ECC (comprobación y corrección de errores) incorporada para garantizar la integridad de los datos y la fiabilidad del sistema.

MT3E512M32D1ZW-046 WT:BEspecificaciones técnicas
Especificación
En el caso de los vehículos de la categoría N1 y N2, el valor de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los valores de los
Capacidad: 16Gbit (512M x 32 bits)
Frecuencia de funcionamiento: 2,133 GHz
Voltado de funcionamiento: 1,1 V
Envase: TFBGA-200
Número de pines: 200
Número de canales: de doble canal
Ancho del bus de datos: 16 bits
Intervalo de temperatura de funcionamiento: -25°C a +85°C (grado comercial)

El ¥046 ¥ en elMT3E512M32D1ZW-046 WT:BEl número de modelo indica un grado de velocidad de 4266Mbps, y el sufijo -046 asegura que el chip cumple con esta especificación de rendimiento.

MT3E512M32D1ZW-046 WT:BÁreas de aplicación
Dispositivos móviles
El MT53E512M32D1ZW-046 WT:B es adecuado para teléfonos inteligentes y tabletas, proporcionando capacidades de procesamiento de datos de alta velocidad.
Sistemas integrados:
Apto para el control industrial, dispositivos IoT y sistemas instalados en vehículos, que cumplen los requisitos de baja potencia y alto rendimiento.
Electrónica de consumo:
Adecuado para productos electrónicos de consumo sensibles a la energía, como relojes inteligentes y dispositivos portátiles.

Comunicación en red:
Se puede utilizar en routers, switches y otros dispositivos de red para proporcionar soporte de memoria estable.

Por qué elegirMT3E512M32D1ZW-046 WT:B¿De Mingjiada Electrónica?
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