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Blog de la compañía Mingjiada Electronics Suministra Transistores MOSFET de Potencia Infineon, Soluciones de Potencia de Alto Rendimiento

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Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
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Mingjiada Electronics Suministra Transistores MOSFET de Potencia Infineon, Soluciones de Potencia de Alto Rendimiento
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Mingjiada Electronics Supplies Transistores MOSFET de Potencia Infineon, Soluciones de Potencia de Alto Rendimiento

 

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. — Proveedor a largo plazo de varios productos MOSFET de alto rendimiento de Infineon, incluyendo: IRFP4110PBF, IRFB3306GPBF, BSZ440N10NS3G, BSZ520N15NS3G, BSC052N08NS5, etc., proporcionando soluciones de dispositivos de potencia centrales para fuentes de alimentación industriales, nuevas energías y aplicaciones de accionamiento de motores.

 

Los productos de la serie MOSFET de potencia Infineon proporcionados por Mingjiada Electronics cubren una amplia gama de voltajes, clasificaciones de corriente y requisitos de aplicación. A continuación se muestra la información relevante para los productos suministrados:
1. IRFP4110PBF: Interruptor de potencia de alta corriente
Parámetros básicos: Con un encapsulado TO-247-3 y diseño de canal N, tiene un voltaje de ruptura drenaje-fuente de 100V y una capacidad de corriente de drenaje continua de 180A, con una baja resistencia de encendido de 3.7mΩ.
Características de conmutación: Carga de puerta (Qg) 150nC, soportando un amplio rango de voltaje puerta-fuente de -20V a +20V.
Rendimiento térmico: Disipación de potencia máxima de 370W a 25°C, rango de temperatura de funcionamiento de -55°C a +175°C.
Ventajas de la aplicación: Diseñado específicamente para rectificación síncrona eficiente y fuentes de alimentación conmutadas de alta corriente, funciona excepcionalmente bien en sistemas UPS y aplicaciones de conversión de potencia de alta frecuencia.

 

2. IRFB3306PBF: Rectificación síncrona de alta eficiencia
Encapsulado y características eléctricas: Encapsulado TO-220, voltaje drenaje-fuente de 60V, corriente de drenaje continua de 160A, resistencia de encendido tan baja como 3.3mΩ.
Rendimiento dinámico: Carga de puerta 85nC, soporta ±20V de voltaje puerta-fuente, velocidad de conmutación rápida, adecuado para aplicaciones de alta frecuencia.
Gestión térmica: Disipación de potencia máxima de 230W, resistencia térmica unión-caja de solo 0.65°C/W, excelente rendimiento de disipación de calor.
Escenarios de aplicación: Especialmente adecuado para circuitos de rectificación síncrona en fuentes de alimentación de servidores y SMPS de grado industrial, mejorando la capacidad dV/dt del diodo del cuerpo.

 

3. BSZ440N10NS3G: Dispositivo de baja pérdida de próxima generación
Avance técnico: Especificación de 100V/70A, la tecnología OptiMOS logra una resistencia de encendido ultra baja (valor típico 4.4mΩ).
Eficiencia de conmutación: Qg significativamente optimizado reduce las pérdidas de conmutación y mejora la eficiencia de la fuente de alimentación de alta frecuencia.
Ventajas del encapsulado: Utiliza el encapsulado TO-263 estándar, compatible con procesos de montaje automatizados.
Valor de la aplicación: particularmente adecuado para convertidores DC-DC y diseños de fuentes de alimentación de herramientas eléctricas (Nota: las características de los parámetros se basan en la tecnología común de la nueva generación BSZ de Infineon).

 

4. BSC052N08NS5 & BSZ520N15NS3G: Combinación de alta eficiencia de voltaje medio
Características BSC052N08NS5: Especificación de 80V/100A, resistencia de encendido tan baja como 5.2mΩ, con diseño Qgs optimizado.
Características BSZ520N15NS3G: Especificación de 150V/70A, accionamiento de puerta de 15V, equilibrando la pérdida de conducción y el rendimiento de conmutación.
Comunalidad técnica: Ambos adoptan el encapsulado SuperSO8, que ofrece un excelente rendimiento térmico y alta densidad de potencia.
Combinación de aplicaciones: Proporciona una cobertura de voltaje perfecta en aplicaciones de OBC de vehículos eléctricos y accionamiento de motores industriales (Nota: las características de la serie BSZ se basan en el análisis común de la documentación técnica de Infineon).

 

Para obtener más información sobre los transistores MOSFET de potencia Infineon o para consultar los precios de modelos específicos, visite el sitio web oficial de Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) para verificar los detalles del suministro.

Tiempo del Pub : 2025-08-05 14:57:26 >> Lista de las noticias
Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Mr. Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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