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Blog de la compañía Suministros electrónicos de Mingjiada STH13N120K5-2AG - Potencia de canal N de grado automotriz 1200v Mosfet para Stmicroelectrónica

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Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
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Suministros electrónicos de Mingjiada STH13N120K5-2AG - Potencia de canal N de grado automotriz 1200v Mosfet para Stmicroelectrónica
últimas noticias de la compañía sobre Suministros electrónicos de Mingjiada STH13N120K5-2AG - Potencia de canal N de grado automotriz 1200v Mosfet para Stmicroelectrónica

Suministros de Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.- un MOSFET de potencia de canal N de 1200 V de calidad automotriz con un valor típico de 630 mOhm y embalaje H2PAK-2.

 

Descripción del productoSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
El dispositivo STH13N120K5-2AG es un MOSFET de potencia de canal N de 1200V de alto rendimiento diseñado específicamente para aplicaciones automotrices e industriales, con baja resistencia, alta eficiencia de conmutación,y excelente fiabilidad.

 

Características del productoSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Capacidad de resistencia a la alta tensión: STH13N120K5-2AG soporta una tensión de la fuente de drenaje de 1200V (VD.S.), adecuado para sistemas de alta tensión.
Baja pérdida de conducción: STH13N120K5-2AG adopta tecnología avanzada SuperMESH TM La tecnología reduce significativamente la RD.S. (encendido)y mejora la eficiencia energética.
Certificación de grado automotriz: STH13N120K5-2AG cumple con las normas AEC-Q101 y cumple con los estrictos requisitos de los entornos electrónicos automotrices.
Fuerte rendimiento de conmutación: STH13N120K5-2AG optimiza la carga de la puerta (QG), adecuado para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia.

 

Atributos del productoSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Fabricante: STMicroelectronics
Tipo de producto: MOSFET
Tecnología: Si
Tipo de instalación: SMD/SMT
Envase/caja: H2PAK-2
Polaridad del transistor: canal N
Número de canales: 1 canal
Vds fuente de descarga de voltaje de avería: 1,2 kV
Id - Corriente de escape continua: 12 A
Rds en la fuente de drenaje en la resistencia: 690 mOhms
Vgs - Tensión de la fuente de la puerta: -30 V+,30 V
Vgs th voltaje umbral de la fuente de la puerta: 3 V
Carga de la puerta QG: 44,2 nC
Temperatura mínima de funcionamiento: -55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento: + 150 °C
Disposición de energía Pd: 250 W
Modo de canal: Mejoramiento
Calificación: AEC-Q101
Nombre de la marca: MDmesh
Configuración: único
Tiempo de descenso: 18,5 ns
Tiempo de elevación: 11 ns
Tipo de transistor: 1 canal N
Tiempo típico de retraso de apagado: 68,5 ns
Tiempo de retraso típico de la conexión: 23 ns

 

Aplicaciones típicas deSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Cargador a bordo de vehículos eléctricos (EV)
Módulo de conversión CC-CC
Sistema de accionamiento de motores e inversores industriales
Inversor fotovoltaico y fuente de alimentación UPS

 

Mingjiada Electronics puede proporcionar un suministro estable a largo plazo de STH13N120K5-2AG, apoyando la adquisición de muestras y lotes pequeños.Nos aseguramos de que cada STH13N120K5-2AG es un producto de fábrica genuino y proporcionar apoyo técnico completo y garantía logística.


Si necesita especificaciones detalladas o cotizaciones paraSe trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape., por favor contacte al equipo de ventas de Mingjiada Electronics.
Contacto: el Sr. Chen
Teléfono: +86 13410018555
El correo electrónico: sales@hkmjd.com
Página web:
La Comisión ha adoptado una decisión sobre la aplicación de la presente Decisión.

Tiempo del Pub : 2025-05-05 10:41:21 >> Lista de las noticias
Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Mr. Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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