Blog de la compañía Mingjiada Electronics suministra chips GaN de TI: Dando paso a una nueva era de alta eficiencia y alta densidad de potencia

La Comisión consideró que los importes procedentes de China no constituían ayuda estatal en el sentido del artículo 2 del Reglamento de base.Como proveedor profesional de componentes electrónicos, ahora ofrece una gama completa de chips de nitruro de galio (GaN) de Texas Instruments y productos relacionados.reconocido por su rendimiento y fiabilidad excepcionales, está impulsando la innovación y la transformación en el ámbito de la gestión de la energía.

1. Tipos de productos de chips TI GaN disponibles

Mingjiada ofrece una gama de chips de potencia GaN de alto rendimiento, que cubren industrias como la industrial, automotriz, centros de datos y energía renovable.

Se trata de una serie de LMG34xx (600V/650V GaN FET)

LMG3410R050: 600V/50mΩ GaN FET con funciones integradas de accionamiento y protección, adecuado para fuentes de alimentación de conmutación de alta frecuencia, fuentes de alimentación de servidores, etc.

LMG3410R070: 600V/70mΩ GaN FET que admite una frecuencia de conmutación de 1 MHz, adecuado para motores industriales, inversores fotovoltaicos.

LMG3411R070: 600V/70mΩ GaN FET, optimizado para diseños de alta densidad de potencia, adecuado para aplicaciones de clase 10kW.

LMG3425R030: 600V/30mΩ GaN FET (grado industrial), con un controlador integrado de 2,2 MHz, que mejora la densidad de potencia.

LMG3525R030-Q1: 650V/30mΩ GaN FET (grado automotriz), adecuado para vehículos eléctricos OBC (cargador de a bordo).

Se trata de una serie de LMG2100 (100V GaN FET)

LMG2100R026: 100V/2.6mΩ GaN FET, diseñado específicamente para accionamientos conjuntos de robots, con una huella 50% menor en comparación con los MOSFET basados en silicio.

LMG2100R044: 100V/4.4mΩ GaN FET, adecuado para sistemas híbridos suaves de 48 V y amplificadores de audio de clase D.

Modulos de potencia integrados de GaN

LMG5200: módulo de medio puente GaN de 80 V/10 A, adecuado para la conversión de CC-CC de alta frecuencia.

LMG1210: GaN FET de paquete ultrapequeño, adecuado para dispositivos portátiles y electrónica de consumo.

2Las ventajas del suministro de electrónica Mingjiada

Productos originales de fábrica: 100% productos originales, calidad garantizada.

Inventario de stock: Los modelos populares siempre están en stock en los almacenes de Shenzhen / Hong Kong, para apoyar las compras de pequeños lotes.

Logística global: Apoya el transporte aéreo DHL/FedEx, garantizando una entrega rápida a los mercados mundiales.

3Aplicaciones típicas

Fuentes de alimentación industriales: inversores fotovoltaicos, módulos de alimentación de servidores, accionamientos de motores industriales.

Electrónica automotriz: carga de vehículos eléctricos (OBC), sistemas híbridos ligeros de 48 V, conversión DC-DC en el vehículo.

Centros de datos: fuentes de alimentación de titanio de alta eficiencia (eficiencia superior al 96%) que reducen los costes operativos.

Electrónica de consumo: carga rápida GaN (65W-140W), amplificadores de audio de clase D.

Para cotizaciones de modelos específicos o consultas de adquisición, póngase en contacto con el Sr. Chen al +86 13410018555 o por correo electrónico sales@hkmjd.com. Mingjiada Electronics se compromete a proporcionar a los clientes un servicio eficiente,confiable, y soluciones de chips TI GaN rentables!