Blog de la compañía Mingjiada Electronics Suministra Infineon SRAM Asíncrono de Memoria Estática de Acceso Aleatorio

En sectores de alta gama como el control industrial, la electrónica automotriz, la aeroespacial y los dispositivos inteligentes, la estabilidad, la velocidad de respuesta y la resistencia a las interferencias de la memoria determinan directamente la precisión operativa y la vida útil del equipo. La SRAM asíncrona, un tipo de memoria estática de acceso aleatorio caracterizada por la ausencia de restricciones de sincronización de reloj, capacidades flexibles de lectura/escritura y una adaptabilidad excepcional, se ha convertido en un componente de memoria central en sistemas integrados de alta gama y equipos de medición y control de precisión, gracias a sus ventajas clave de no requerir refresco y proporcionar respuesta en tiempo real.

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.— con muchos años de experiencia especializada en la cadena de suministro de componentes electrónicos — ha proporcionado durante mucho tiempo una gama completa de productos de SRAM asíncrona de Infineon. Mantenemos un inventario completo de especificaciones en todo momento, que comprende chips genuinos, y ofrecemos soluciones de adquisición integral, adaptación técnica y suministro estable a clientes de diversas industrias.

[Infineon] SRAM Asíncrona

1. Detalles:

La SRAM asíncrona proporciona memoria expandible de alta velocidad y bajo consumo con ECC en chip, adecuada para aplicaciones automotrices e industriales.

La SRAM asíncrona es una memoria volátil de acceso aleatorio (RAM) que utiliza circuitos de pestillo basados en disparadores para almacenar cada bit. Los bits de datos se conservan en la memoria mientras se suministra energía. Infineon ofrece la cartera más completa de productos de SRAM asíncrona de la industria, que van desde 256 KB hasta 64 MB. La SRAM asíncrona se utiliza en aplicaciones de redes, defensa e industriales debido a su alta fiabilidad y soporte a largo plazo. La SRAM asíncrona MOBL™ también es una opción ideal para soluciones alimentadas por batería y respaldadas por batería (BBSRAM), adecuadas para una variedad de aplicaciones que requieren copia de seguridad de datos en caso de fallo de energía.

2. Características Clave:

Tiempo de acceso rápido de 10 ns

Bajo consumo de energía – PowerSnooze™

Alta fiabilidad< 0.1 FIT/Mbit

Series y Especificaciones Comunes Cubiertas

Las series comunes de SRAM asíncronas de Infineon disponibles en Mingjiada Electronics incluyen las CY7C10xx, CY7C11xx, CY621xx y CY62xxx, con modelos típicos como CY7C1019DV33, CY7C1021DV33, CY7C1041DV33, CY62128EV30, CY62146EV30 y CY62167EV30. Las capacidades de los productos varían de baja a alta densidad, con voltajes de operación que incluyen 1.8V, 2.5V, 3.3V y 5V. Los tipos de encapsulado incluyen TSOP, SOIC, BGA y QFP, mientras que las velocidades cubren 8ns, 10ns, 12ns, 15ns, 20ns, 45ns, 55ns y 70ns.

Mingjiada Electronics suministra memoria SRAM asíncrona [Infineon], incluyendo, entre otras, las siguientes:

CY62157G30-45ZXI

CY62157H30-45BVXA

CY62158EV30LL-45BVXI

CY62158EV30LL-45ZSXI

CY7C10612G30-10ZSXI

CY7C1061G-10BVXI

CY62165E-3XWI

CY62167DV30LL-55BVXI

CY62167DV30LL-55ZXI

CY62167ELL-45ZXI

CY62167EV18LL-55BVI

CY62167EV18LL-55BVXI

CY62167EV30LL-45BVXI

CY62167EV30LL-45ZXA

CY62167EV30LL-45ZXI

CY62167G-45BVXI

CY62167G-45ZXI

CY62167G30-45BVXI

CY62167G30-55BVXE

CY7C1061G30-10BV1XE

CY7C1061G30-10BV1XI

CY7C1061G30-10BVJXI

CY7C1061G30-10BVXI

CY7C1061G30-10ZXI

CY7C1061GE-10BVXI

CY7C1061GE30-10BV1XI

CY62126EV30LL-45BVXI

CY62126EV30LL-45ZSXA

CY62126EV30LL-45ZSXI

CY62126EV30LL-55BVXE

CY62126EV30LL-55ZSXE

CY62167GE30-45ZXI

CY62167GN30-45ZXI

CY62168EV30LL-45BVXI

CY62177EV18LL-70BAXI

CY62177EV30LL-55BAXI

CY62177EV30LL-55ZXI

Para más información sobre la memoria SRAM asíncrona [Infineon] o para consultar precios de muestras, visite el sitio web de Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) para más detalles de suministro.